0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>

模拟技术

电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。
汽车浪潮席卷模拟行业,安全领域挑战犹存,纳芯微2023年再迎新进展!

汽车浪潮席卷模拟行业,安全领域挑战犹存,纳芯微2023年再迎新进展!

  电子发烧友网报道(文/刘静)近年汽车是所有模拟芯片领域中成长最快的细分市场,知名市场调研机构IDC指出,2021年至2025年汽车模拟芯片市场以两位数13.2%的年复合增长率持续增长。 对于这...

2024-03-18 标签:汽车芯片模拟芯片汽车纳芯微 3365

可编程晶振调整频率怎么弄呢?

可编程晶振调整频率怎么弄呢?

对于可编程晶振调整频率可以直接使用说明进行操作。晶体振荡器单元的实际驱动电平在驱动电平规格内。晶振作为电子产品中的必需品,广泛应用于各个领域,存在各种问题,如晶振异常振荡...

2024-03-12 标签:有源晶振晶振晶体振荡器石英晶体振荡器晶体振荡器晶振有源晶振石英晶体振荡器 841

浅析贴片晶振和直插晶振区别以及如何选择?

浅析贴片晶振和直插晶振区别以及如何选择?

现在很多电子产品的时钟模块都是使用的贴片晶振,而贴片晶振也是众多种类晶振的一种。因为大多数电子产品的封装都是分为贴片和直插两类,这就让很多客户都在关注直插晶振和贴片晶振的...

2024-03-11 标签:有源晶振晶振晶体振荡器贴片晶振晶体振荡器晶振有源晶振贴片晶振 701

二维材料异质外延GaN及其应用探索

二维材料异质外延GaN及其应用探索

传统的GaN异质外延主要在蓝宝石衬底、Si衬底或者SiC衬底,在剥离的过程中,如蓝宝石就特别困难,会产生较大的材料损耗和额外成本,且剥离技术也有待进一步提高。...

2024-03-28 标签:功率器件石墨烯GaN热管理 53

电路中令人头大的各种电容元器件

电路中令人头大的各种电容元器件

电容是由两块平行的导电极板所构成,充电时以电场形式进行能量储存。并可以在放电电路中把储存的能量释放。...

2024-03-28 标签:旁路电容元器件电容电源电路耦合电容 34

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。...

2024-03-28 标签:电容器MOSFET安森美碳化硅阈值电压 273

如何生成脉冲宽度调制PWM信号?

如何生成脉冲宽度调制PWM信号?

PWM信号具有许多优点,例如精准性高,可以快速实现控制的响应和控制精度,并快速响应任何运动误差。...

2024-03-27 标签:PWM比较器模拟信号脉冲宽度调制PWM发生器 256

MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的?栅源振荡的危害什么?如何抑制

MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢?栅源振荡的危害什么?如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢? MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的栅源振荡是指在工作过程中,出现的栅极与源极之间...

2024-03-27 标签:MOSFET振荡电路晶体管 173

什么是MOS管亚阈值电压?MOSFET中的阈值电压是如何产生的?

什么是MOS管亚阈值电压?MOSFET中的阈值电压是如何产生的?亚阈值区在 MOSFET器件中的作用及优点  MOS管亚阈值电压指的是在MOSFET器件中的亚阈值区域工作时,门极电压低于阈值电压的情况。在...

2024-03-27 标签:MOSFETMOS管阈值电压 241

MOS管中漏电流产生的主要六大原因

MOS管中漏电流产生的主要六大原因  MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种重要的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。然而,MOS管中漏电流的产生是一个常见的问题,需要仔细...

2024-03-27 标签:MOS管电流电压漏电流 163

晶体管入门基础知识全面解析

晶体管入门基础知识全面解析

基极电压升高时,BJT的基极电流开始流动,集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压(VBE)。...

2024-03-27 标签:二极管MOSFET电阻器晶体管漏极电流 211

探索天气影响下的三极管异常现象

探索天气影响下的三极管异常现象

当单板启动时,SLP_S3会输出3V3电平,此时Q14的ib=(3.3-0.7)/2K=1.3mA;按三极管处于放大区时hFE=100计算,ic=100*1.3mA=130mA,已经超过了ic的饱和电流1.2mA(12V/10K)。...

2024-03-27 标签:三极管上拉电阻MOS管漏电流单板电源 159

数字设计的信号完整性基础知识

数字设计的信号完整性基础知识

每当沿着一条导线驱动信号时,该导线周围都会产生磁场。如果两根导线相邻放置,两个磁场可能会相互作用,导致信号之间的能量交叉耦合,称为串扰。...

2024-03-27 标签:pcb信号完整性数字信号传输线负载电容 55

IGBT模块封装过程中的技术详解

IGBT模块封装过程中的技术详解

IGBT 模块是由 IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与 FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。...

2024-03-27 标签:场效应管IGBT晶体管直流电压驱动电流 104

探索BJT、CMOS、DMOS等半导体工艺技术

探索BJT、CMOS、DMOS等半导体工艺技术

双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管。晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动,由于同时涉及到电子和空穴两种载流子的流动,因此它被...

2024-03-27 标签:CMOS放大器三极管晶体管DMOS 51

探秘功率二极管反向恢复抑制的三大法宝

探秘功率二极管反向恢复抑制的三大法宝

为解决功率二极管反向恢复问题已经出现了很多种方案。一种思路是从器件本身出发,寻找新的材料力图从根本上解决这一问题,比如碳化硅二极管的出现带来了器件革命的曙光,它几乎不存在...

2024-03-27 标签:二极管功率二极管emi电压波形碳化硅 149

寄存器与数据缓冲器在芯片设计中的关键作用

寄存器与数据缓冲器在芯片设计中的关键作用

数据缓冲器也有助于将转换器数字输出上的负载降至最低,同时提供数字输出与数据总线间的法拉第屏蔽。...

2024-03-27 标签:pcb转换器寄存器adc直流电流 44

如何处理MOS管小电流发热严重情况?

如何处理MOS管小电流发热严重情况?

穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐步增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,产生电流较大。另一方面,耗尽层展宽大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。...

2024-03-27 标签:二极管电流MOSFET场效应管MOS管 159

IGBT驱动电路的隔离方式与作用

IGBT驱动电路的隔离方式与作用

  驱动电路要求   o提供适当的正反向电压,使IGBT能可靠地开通和关断○提供IGBT适当的开关时间   oIGBT开通后,提供足够的电压和电流幅值○保证IGBT电路较好的效率   o较强的...

2024-03-27 标签:IGBT驱动电路IGBT脉冲变压器驱动电路 41

功率放大器的选型原则和方法

功率放大器的带宽应与负载的带宽匹配,否则可能会导致失真和噪声等问题。因此,在选型时需要仔细考虑负载的带宽要求,并选择合适的功率放大器。...

2024-03-27 标签:放大器功率放大器信号源拓扑结构 21

阻容降压电路的原理和实际电路

阻容降压电路的原理和实际电路

阻容降压电路中,所限制的是这个电路工作的最大电流,电流大小由电容的值决定,而最终的输出电压由稳压二极管决定。...

2024-03-26 标签:二极管电路图电容滤波全波整流阻容降压 166

Buck电路EMI高风险区域揭秘

Buck电路EMI高风险区域揭秘

标准的矩形波,电压波形跳变具有明显的激增和骤降,存在高dv/dt,高频分量饱和程度也是拉满。结合上节提到的寄生电容和分布电感,给共模噪声的产生做了巨大贡献。SW节点电压跳变所产生...

2024-03-26 标签:emi电感寄生电容buck电路电压波形 100

深度解析MOS场效应管应用实例

MOSFET的输入电阻很高,高达109Ω以上,从导电沟道来分,可以分为N沟道和P沟道两种,无论是N沟道还是P沟道,又可以分为增强型和耗尽型。...

2024-03-26 标签:三极管电容器MOSFET场效应管MOS 140

电阻元件典型应用电路细探讨及分析

电阻元件典型应用电路细探讨及分析

有些DCDC的输出端接的负载的等效电阻很高,这样对下电时,会有很长的放电时间,这有可能导致电源时序有问题,所以一般会在输出端加个电阻。...

2024-03-26 标签:串联电阻电阻下拉电阻RC电路电阻元件 55

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能够在极端条件下高效地控制电力的流动。SiC材料的宽带隙特性意味着它在高温下仍能维持较高的能量障碍,从而保持稳定的半导体特性。...

2024-03-26 标签:功率器件SiC碳化硅太阳能逆变器 39

碳化硅晶片C面与硅面的存在原因探究

碳化硅晶片C面与硅面的存在原因探究

Si-Si键能大小为 310 kJ/mol,可以理解键能是把这两个原子拉开的力度,键能越大,需要拉开的力越大。 Si-C键原子间距为 1.89 Å, 键能大小为 447 kJ/mol。...

2024-03-26 标签:SiC晶片光刻机碳化硅 51

FinFET是什么?22nm以下制程为什么要引入FinFET呢?

FinFET是什么?22nm以下制程为什么要引入FinFET呢?

随着芯片特征尺寸的不断减小,传统的平面MOSFET由于短沟道效应的限制,难以继续按摩尔定律缩小尺寸。...

2024-03-26 标签:MOSFET摩尔定律晶体管漏电流FinFET 199

如何确保ADC输出接地的准确性

如何确保ADC输出接地的准确性

ADC 输出与缓冲寄存器输入间的串联电阻(图 1 中标示为“R”)有助于将数字瞬态电流降至最低,这些电流可能影响转换器性能。...

2024-03-26 标签:pcb转换器寄存器混合信号adc 45

安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。...

2024-03-26 标签:电动汽车MOSFET安森美SiC碳化硅 432

英飞凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的仿真研究

英飞凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的

本文提及的相关产品,均会在直播中出现扫描上方二维码即可报名摘要:EconoDUAL3是一款经典的IGBT模块封装,其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器(S...

2024-03-26 标签:英飞凌变频器IGBT 158

MOS管散热片设计如何影响EMC表现

MOS管散热片设计如何影响EMC表现

骚扰通过MOS管与散热片寄生电容、LISN、以及L、N线返回到源。如果MOS管接地的话,在骚扰电压一定的情况下,阻抗很低,骚扰电流很大,导致CE测试失效。...

2024-03-25 标签:MOS管散热片emc集电极开关管 76

运算放大器同向输入端和反向输入端怎么区分

运算放大器同向输入端和反向输入端怎么区分

运算放大器(Operational Amplifier,简称 Op-Amp)是一种重要的电子元件,在模拟电路中有着广泛的应用。运算放大器具有以下几个主要特点...

2024-03-25 标签:放大器运算放大器比较器反馈网络 57

常见的电平电路转换方法

常见的电平电路转换方法

当 SDA2 输出低电平时:MOS 管不导通,但是它有体二极管,MOS 管里的体二极管把 SDA1 拉低到低电平,此时 Vgs 约等于 3.3V,MOS 管导通,进一步拉低了 SDA1 的电压。...

2024-03-25 标签:二极管上拉电阻MOS电平转换 114

编辑推荐厂商产品技术软件/工具OS/语言教程专题