模拟技术
电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。汽车浪潮席卷模拟行业,安全领域挑战犹存,纳芯微2023年再迎新进展!
电子发烧友网报道(文/刘静)近年汽车是所有模拟芯片领域中成长最快的细分市场,知名市场调研机构IDC指出,2021年至2025年汽车模拟芯片市场以两位数13.2%的年复合增长率持续增长。 对于这...
2024-03-18 3365
可编程晶振调整频率怎么弄呢?
对于可编程晶振调整频率可以直接使用说明进行操作。晶体振荡器单元的实际驱动电平在驱动电平规格内。晶振作为电子产品中的必需品,广泛应用于各个领域,存在各种问题,如晶振异常振荡...
2024-03-12 841
浅析贴片晶振和直插晶振区别以及如何选择?
现在很多电子产品的时钟模块都是使用的贴片晶振,而贴片晶振也是众多种类晶振的一种。因为大多数电子产品的封装都是分为贴片和直插两类,这就让很多客户都在关注直插晶振和贴片晶振的...
2024-03-11 701
二维材料异质外延GaN及其应用探索
传统的GaN异质外延主要在蓝宝石衬底、Si衬底或者SiC衬底,在剥离的过程中,如蓝宝石就特别困难,会产生较大的材料损耗和额外成本,且剥离技术也有待进一步提高。...
2024-03-28 53
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。...
2024-03-28 273
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的?栅源振荡的危害什么?如何抑制
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢?栅源振荡的危害什么?如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢? MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的栅源振荡是指在工作过程中,出现的栅极与源极之间...
2024-03-27 173
什么是MOS管亚阈值电压?MOSFET中的阈值电压是如何产生的?
什么是MOS管亚阈值电压?MOSFET中的阈值电压是如何产生的?亚阈值区在 MOSFET器件中的作用及优点 MOS管亚阈值电压指的是在MOSFET器件中的亚阈值区域工作时,门极电压低于阈值电压的情况。在...
2024-03-27 241
MOS管中漏电流产生的主要六大原因
MOS管中漏电流产生的主要六大原因 MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种重要的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。然而,MOS管中漏电流的产生是一个常见的问题,需要仔细...
2024-03-27 163
晶体管入门基础知识全面解析
基极电压升高时,BJT的基极电流开始流动,集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压(VBE)。...
2024-03-27 211
探索天气影响下的三极管异常现象
当单板启动时,SLP_S3会输出3V3电平,此时Q14的ib=(3.3-0.7)/2K=1.3mA;按三极管处于放大区时hFE=100计算,ic=100*1.3mA=130mA,已经超过了ic的饱和电流1.2mA(12V/10K)。...
2024-03-27 159
数字设计的信号完整性基础知识
每当沿着一条导线驱动信号时,该导线周围都会产生磁场。如果两根导线相邻放置,两个磁场可能会相互作用,导致信号之间的能量交叉耦合,称为串扰。...
2024-03-27 55
IGBT模块封装过程中的技术详解
IGBT 模块是由 IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与 FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。...
2024-03-27 104
探索BJT、CMOS、DMOS等半导体工艺技术
双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管。晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动,由于同时涉及到电子和空穴两种载流子的流动,因此它被...
2024-03-27 51
探秘功率二极管反向恢复抑制的三大法宝
为解决功率二极管反向恢复问题已经出现了很多种方案。一种思路是从器件本身出发,寻找新的材料力图从根本上解决这一问题,比如碳化硅二极管的出现带来了器件革命的曙光,它几乎不存在...
2024-03-27 149
如何处理MOS管小电流发热严重情况?
穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐步增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,产生电流较大。另一方面,耗尽层展宽大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。...
2024-03-27 159
IGBT驱动电路的隔离方式与作用
驱动电路要求 o提供适当的正反向电压,使IGBT能可靠地开通和关断○提供IGBT适当的开关时间 oIGBT开通后,提供足够的电压和电流幅值○保证IGBT电路较好的效率 o较强的...
2024-03-27 41
Buck电路EMI高风险区域揭秘
标准的矩形波,电压波形跳变具有明显的激增和骤降,存在高dv/dt,高频分量饱和程度也是拉满。结合上节提到的寄生电容和分布电感,给共模噪声的产生做了巨大贡献。SW节点电压跳变所产生...
2024-03-26 100
深度解析MOS场效应管应用实例
MOSFET的输入电阻很高,高达109Ω以上,从导电沟道来分,可以分为N沟道和P沟道两种,无论是N沟道还是P沟道,又可以分为增强型和耗尽型。...
2024-03-26 140
电阻元件典型应用电路细探讨及分析
有些DCDC的输出端接的负载的等效电阻很高,这样对下电时,会有很长的放电时间,这有可能导致电源时序有问题,所以一般会在输出端加个电阻。...
2024-03-26 55
碳化硅功率器件的工作原理
碳化硅功率器件的核心在于其能够在极端条件下高效地控制电力的流动。SiC材料的宽带隙特性意味着它在高温下仍能维持较高的能量障碍,从而保持稳定的半导体特性。...
2024-03-26 39
碳化硅晶片C面与硅面的存在原因探究
Si-Si键能大小为 310 kJ/mol,可以理解键能是把这两个原子拉开的力度,键能越大,需要拉开的力越大。 Si-C键原子间距为 1.89 Å, 键能大小为 447 kJ/mol。...
2024-03-26 51
FinFET是什么?22nm以下制程为什么要引入FinFET呢?
随着芯片特征尺寸的不断减小,传统的平面MOSFET由于短沟道效应的限制,难以继续按摩尔定律缩小尺寸。...
2024-03-26 199
安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。...
2024-03-26 432
英飞凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的
本文提及的相关产品,均会在直播中出现扫描上方二维码即可报名摘要:EconoDUAL3是一款经典的IGBT模块封装,其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器(S...
2024-03-26 158
MOS管散热片设计如何影响EMC表现
骚扰通过MOS管与散热片寄生电容、LISN、以及L、N线返回到源。如果MOS管接地的话,在骚扰电压一定的情况下,阻抗很低,骚扰电流很大,导致CE测试失效。...
2024-03-25 76
运算放大器同向输入端和反向输入端怎么区分
运算放大器(Operational Amplifier,简称 Op-Amp)是一种重要的电子元件,在模拟电路中有着广泛的应用。运算放大器具有以下几个主要特点...
2024-03-25 57
常见的电平电路转换方法
当 SDA2 输出低电平时:MOS 管不导通,但是它有体二极管,MOS 管里的体二极管把 SDA1 拉低到低电平,此时 Vgs 约等于 3.3V,MOS 管导通,进一步拉低了 SDA1 的电压。...
2024-03-25 114
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