模拟技术

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合科泰生产的高压MOS产品有哪些？

MOS管根据其耐压值可分为中低压MOS和高压MOS管，高压MOS也是基于场效应管的原理工作，通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流。与普通MOS管相比，高压MOS管能承受更高的电压和电流。...

2024-04-12 标签：开关电源电机控制 MOS管电压电流伺服驱动器 332

探讨氮化镓在汽车动力系统和激光雷达的应用

氮化镓（GaN）作为一种新兴的半导体材料，因其优异的电子特性和潜在的系统成本优势，在汽车和移动手机市场中展现出巨大的商业潜力。...

2024-04-12 标签：氮化镓 GaN 激光雷达汽车动力系统 227

合科泰半导体推出一款N沟道MOS管HKTQ80N03

MOS管有N沟道MOS和 P沟道MOS等，N沟道MOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。...

2024-04-12 标签：锂电池电机驱动 DFN封装阈值电压 NMOS管 326

ADI二极管钳位电路设计应用

在此电路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速钳位一些瞬态的电压到30V，同时它的漏电流也非常非常小（25℃的时候典型漏电流为1nA），这个管子也很推荐大家使用，漏电流很小。...

2024-04-12 标签：二极管 BUCK 稳压管齐纳二极管钳位电路 232

缓冲放大器的几种类型介绍

电压缓冲放大器的作用是将电压从具有高输出阻抗的电路传输到具有低输入阻抗的另一个电路。通过在这两个电路之间插入缓冲器，可以防止第二个电路过度加载第一个电路，这可能会干扰其预...

2024-04-12 标签：放大器运算放大器缓冲放大器电阻抗 197

运算放大器采样保持电路的工作原理

采样和保持电路是一种电子电路，它创建作为输入的电压样本，然后将这些样本保持一定的时间。采样保持电路对输入信号产生采样的时间称为采样时间。...

2024-04-12 标签：电容器运算放大器模拟信号采样保持电路模拟信号电容器输出波形运算放大器采样保持电路 561

深入探讨碳化硅功率器件优势、应用

碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更优越的物理和化学特性，包括更高的临界击穿场强、更大的热导率、更高的工作温度和更快的开关速度。...

2024-04-12 标签：变压器电感器功率器件 SiC 碳化硅 79

RECOM凭借新推出的RxxC1TF 1 W DC/DC转换器再次引领市场

这款完全稳压型转换器采用超紧凑 12 焊盘 LGA 封装，尺寸仅为 5 x 4 x 1.18 mm，提供 2.5 kVAC/1 min 的隔离电压，以及 3.3 V 或 5 V 可选输出电压。...

2024-04-11 标签：隔离电压物联网数据通信 RECOM dcdc转换器 278

MOS管栅极前加100Ω电阻原理分析

在MOSFET的栅极前增加一个电阻？ MOS管是电压型控制器件，一般情况下MOS管的导通，只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，并不需要栅极电流。...

2024-04-11 标签：电阻 MOSFET MOS管电感谐振电路 179

瑞能半导体推出一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件

碳化硅（SiC）肖特基二极管是一种带隙大于传统硅基肖特基二极管的半导体器件。...

2024-04-11 标签：电动汽车肖特基二极管光伏逆变器碳化硅瑞能半导体 306

三安光电碳化硅业务迎来高成长契机

碳化硅功率器件及模块正加速从高端产品向下渗透。“现在售价为20万元以上的800V电动汽车，碳化硅功率器件渗透率约为一半，可以全驱配置，或只配置主驱。...

2024-04-11 标签：电动汽车逆变器光伏发电系统碳化硅宽禁带半导体 165

小米SU7碳化硅应用情况如何？

小米SU7单电机版，400V电压平台的电驱供应商为联合汽车电子，其中搭载了来自博世的碳化硅芯片，根据调研：其中搭载了博世第二代750V，6毫欧的芯片产品。...

2024-04-11 标签：永磁电机碳化硅 SiC MOSFET 小米SU7 692

全国最大8英寸碳化硅衬底生产基地落地山东？

作为技术应用最成熟的衬底材料，碳化硅衬底在市场上“一片难求”。碳化硅功率器件在新能源汽车中的渗透率正在快速扩大，能显著提升续航能力与充电效率，并降低整车成本。...

2024-04-11 标签：新能源汽车功率器件碳化硅 158

基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，...

2024-04-11 标签：MOSFET 晶圆 DCDC变换器充电桩碳化硅 428

如何使用两个单向电流检测放大器？怎样使用最高效？

越来越多的应用需要快速准确地进行电流监控，包括自动驾驶汽车、工厂自动化和机器人技术、通信、服务器电源管理、D 类音频放大器和医疗系统。...

2024-04-11 标签：运算放大器电流检测占空比脉宽调制电流检测放大器负载电阻 797

镓未来TOLL&TOLT封装氮化镓功率器件助力超高效率钛金能效技术平台

珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。...

2024-04-10 标签：半导体功率器件氮化镓 LED驱动电源 511

光电三极管的特性及结构示意图

光电三极管是一种半导体器件，能够感应光水平并根据其接收的光水平来改变在发射极和集电极之间流动的电流。顾名思义，光电三极管是一种晶体管，可以感应光并改变晶体管端子之间的电流...

2024-04-10 标签：场效应管 MOS管晶体管半导体器件光电三极管 418

关于光电三极管的简单介绍

光电三极管有塑封、金属封装、陶瓷、树脂等多种封装结构，引脚分为两脚型和三脚型。一般两个管脚的光电三极管，管脚分别为集电极和发射极，光窗口则为基极。...

2024-04-10 标签：三极管光敏三极管集电极光电三极管 473

碳化硅(SiC)功率器件特性及应用

碳化硅是一种宽带隙半导体材料，相比于传统的硅材料，具有更高的热导率、更大的电场击穿强度和更高的载流子迁移率等特点。...

2024-04-10 标签：电动汽车功率器件 SiC 碳化硅 SiC 功率器件牵引逆变器电动汽车碳化硅 177

RX23E-A 24bit ΔΣADC基础篇(2)用于传感器测量的Δ∑ADC的特性

世界上有各种各样的传感器，除了ΔΣADC之外，还需要各种电路来测量这些传感器。当处理微小信号时，您可能需要在执行AD转换之前放大信号。...

2024-04-10 标签：传感器缓冲器 adc 数字滤波器偏置电压可编程增益放大器 adc ADC 传感器偏置电压可编程增益放大器数字滤波器缓冲器 797

基于JEDEC栅电荷测试方法测量MOSFET的栅电荷

在栅极电荷方法中，将固定测试电流（Ig）引入MOS晶体管的栅极，并且测量的栅极源电压（Vgs）与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。...

2024-04-10 标签：MOSFET 电源管理晶体管 MOS 栅极电荷 178

深入对比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的...

2024-04-10 标签：MOSFET 场效应晶体管 SiC 碳化硅 Qorvo 1127

碳化硅器件在车载充电机（OBC）中的性能优势

碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%，在OBC产品上使用碳化硅功率器件对于提升...

2024-04-10 标签：电动汽车功率器件碳化硅 OBC 车载充电器 136

深入探索芯片内部电路结构

SDA和SCL都是双向线路，都通过一个电流源或上拉电阻连接到正的电源电压。当总线空闲时，这两条线路都是高电平，连接到总线的器件输出级必须是漏极开路或集电极开路才能执行线与的功能。...

2024-04-10 标签：芯片振荡器场效应管电源电压 MOS 68

PIN二极管的结构图和工作原理分析

PIN二极管的结构由P型半导体、Intrinsic半导体和N型半导体三层组成。Intrinsic半导体层是一层轻掺杂的半导体，因此可忽略自由载流子。...

2024-04-09 标签：功率二极管 PIN二极管光电二极管 PIN 微波开关 701

雪崩光电二极管击穿原理图

雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。...

2024-04-09 标签：数据传输雪崩二极管光信号光电二极管 354

知识科普：一文看懂有源晶振和无源晶振的区别

有源晶振因其优异的特性，广泛应用于卫星通信、航空航天、精密计测仪器等高科技行业。例如，手机导航模块一般采用有源晶振，因为GPS模块每时每刻与卫星交互产能大量热量，而温补晶振可...

2024-04-09 标签：有源晶振无源晶振晶振晶体振荡器扬兴科技 695

IGBT栅极驱动关键注意事项

为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双极型晶体管的基极到其发射极的低阻抗路径。...

2024-04-09 标签：MOSFET 晶体管寄生电容栅极电阻栅极驱动 136

碳化硅功率器件的应用优势

碳化硅具有比硅更高的热导率、更宽的能带宽度和更高的电子饱和漂移速度。这些特性使得SiC功率器件在高温、高频以及高电压应用中表现优异。...

2024-04-09 标签：功率器件 SiC 碳化硅 103

IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别？

三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂，其中较窄区域高浓度N型掺杂，含有大量自由电子，中间极窄区域普通浓度P型掺杂，含有少数空穴，上边较宽区域普通浓度N型掺杂，含有正常数量的电...

2024-04-09 标签：三极管 MOS管发射机 IGBT 基极电流 1016

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