晶体管直流稳压源 |
一、稳压电源的技术指标 |
直流稳压电源的技术指示如下: (1)最大输出直流电流Iomax:表明该稳压电源的负荷能力,与整流管和调整管的最大允许电流IcM有关 (2)额定输出稳压直流电压Uo:分别定压式和调压式两种 (3)稳压系数数S:表示在负载电流与环境温度保持不变的情况下,由于输入电压Ui的变化而引起的输出电压的相对变化量与输入电压的相对变化量的比值,即: S=(△Uo/Uo)/(△Ui/Ui) S越小,电源的稳定性越好,通常S约为10-10。 (4)输出阻抗Ro:表示当输入电压和环境温度保持不变时,由于负载电流Io和变化而引起的输出电压的变化量与负载电流的变化量的比值,即 Ro=△Uo/△Io 可见,如果Ro越小,则说明输出电压的变化越小。 (5)纹波系数y:输出电压中交流分量占额定输出直流电压的百分比,即 r=[(U-)/Uo]×100% 显然,r越小越好,通常稳定电源的纹波电压只有几毫伏,甚至小于1毫伏 |
二、整流与滤波电路 |
1、整流电路 常用的整流有半波、全波、桥式、对偶、倍压式整流电路,它们都是利用二极管的单向导电性把交流电压变为直流电压,不同形式的整流电路对变压器及二极管的要求也不同,其特点和要求列于表一中 |
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2、滤波电路 |
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注:r是输出电压的纹波系数数 r=输出电压交流分量有效值(伏)/输出直流电压(平均值)(伏) r越小,滤波性能越好。通常r为百分之几至千分之几。 采用电感滤波时,应考虑到在电源断开时,电感线圈两端会产生较大的感应电势,所以选用整流二极管的电压特级应留有一定余量,以防击穿。 |
三、并联式稳压电源 |
若调整元件与负载并随着,称为并联稳压电源,如图1所示,图中稳压管Dz作为调整无件,通常Dz运用在反向击穿状态,所以,Dz在中路中的接法要使Iz的方向与Dz方向相反,由于稳压管Dz反向击穿时,具有稳压特性,即稳压管中电Iz在Izmin-Izmax范围内变化时,稳压管的端电压Uz几乎并联式稳压电源结构简单,输出电流小,适用于固定稳压的基准电源及用作晶体管稳压电路中的辅助电源,图2给出几种参考电路。 |
图一 |
图二 | 图三 |
图三是晶体管并联稳压电源。以晶体管BG2与BG3作调整元件,它与负载相并联,故属并联式稳压电路,BG1为放大元件,若输入电压|Ui|增加时,|UR2|和|Ue1|也增加,而BG2、BG3集射之间的电阻减小,因此输入电压增量基本上降落在R1上,从而保证U2稳定。 |
- 组图晶体(5856)
- 流稳压源(5899)
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氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管对分分析哪个好?
和500KHz的半桥LLC谐振转换器的拓扑结构。在较高频率下,无源谐振电路(例如变压器、谐振电感器和谐振电容器)的尺寸明显减小,从而提高了功率密度。此外,还需要考虑功率晶体管(Q1和Q2)的选择,以权衡
2023-02-27 09:37:29
电子管与晶体管在结构和应用上的区别
电子产品中,近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代,但目前在一些高保真音响器材中,仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响
的电荷差使栅极电压VG变为负值,从而在硬开关应用中关断晶体管。 图1:E模式GaN HEMT等效电路(左)和建议的驱动方案(右)。 当并联配置CoolGaN™晶体管时,可使用相同参数的RC驱动网络
2021-01-19 16:48:15
纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
芯片里面100多亿晶体管是如何实现的
栅极的原材料,下面的绝缘体就是二氧化硅。平台的两侧通过加入杂质就是源极和漏极,它们的位置可以互换,两者之间的距离就是沟道,就是这个距离决定了芯片的特性。 当然,芯片中的晶体管不仅仅只有Mos管这一
2020-07-07 11:36:10
请问图中这个电路晶体管如何be如何负偏置吗?
请问能帮忙分析这个电路晶体管如何be如何负偏置吗?貌似VCC会对Vin造成直流干扰吧?在Vin和Lb间要加一个隔直电容吧?
2019-04-15 06:36:28
资深工程师谈晶体管使用心得:用晶体管来实现功率负载的控制
集成电路来实现一些常见的功能,如扩流、恒流、稳压等。本文也就正是基于这方面,和大家分享一下晶体管的使用心得,希望能对初学者有一定的帮助,老司机可以直接忽略在下的班门弄斧了。首先来看一个负载控制的实例
2016-06-03 18:29:59
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