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2018-07-24 18:05:11
晶体管，还是MOS管？哪个漏电流小？一般常用哪些型号？
2019-10-23 07:52:32
。 晶体管中的每个层都附有引线。由此产生的端子称为发射极、基极和集电极。底座始终是中间层。 工作原理 晶体管基本上是一个电子开关。电源电压和负载通过集电极和发射极端子接线。在没有对基极端子施加电压
2023-02-16 18:22:30
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷
2019-11-30 18:41:39
晶体管开关DC-DC电源的拓扑结构图
2019-04-28 13:52:56
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
，将其与LY62L5128连接，搭建存储器编程开发环境，如图： 按钮SW-PB：S1，S2，S3，分别通过MOS晶体管开关电路，连接到LY62L5128的控制引脚WE#，OE#，CE#。 因为MOS
2016-08-30 04:32:10
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状
2010-08-12 13:59:33
晶体管的电流方向相反。如果使晶体管以开关方式工作，需要加大基极电流晶体管VCE的饱和状态当晶体管处于开关工作方式时，因为电源电压和集电极电阻的限制，集电极IC不足以提供hFEIB大小的电流。因此
2017-03-28 15:54:24
、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路、功率放大器的设计与制作、拓宽频率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
太多，可靠性较差，运算速度不快，价格昂贵，体积庞大，这些都使计算机发展受到限制。于是，晶体管开始被用来作计算机的元件。晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达
2021-01-13 16:23:43
时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。2．放大能力的检测 晶体管的放大能力可以用万用表
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
的设计，运算放大电路的设计与制作。下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识。1．1 学习晶体管电路
2009-11-20 09:41:18
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
（电阻器）组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此，晶体管也俗称"石"，设计者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分类为满足客户需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容，来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-07-23 00:07:18
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号，使音箱共鸣。这一作用便是晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形，只放大电压或电流。这是模拟信号的情况，但是
2019-05-05 00:52:40
晶体管的发射极箭头朝内，NPN型晶体管的发射极箭头朝外。2．三极管各个电极的作用及电流分配晶体管三个电极的电极的作用如下：发射极（E极）用来发射电子；基极（B极）用来控制E极发射电子的数量；集电极（C极
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型号的高反压大功率开关晶体管。 6．达林顿管的选用达林顿管广泛应用于音频功率输出、开关控制、电源调整、继电器驱动、高增益放大等电路中。 继电器驱动电路与高增益
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
`一、场效应晶体管选择的重要性随着电子产品更新换代的速度，我们对电子产品性能的要求也越来越高，在一些电子产品的电路设计与研发中，不光是开关电源电路中，还有在便携式电子产品的电路中都会用到场效应晶体管
2019-04-02 11:32:36
系统AM81214-030产品详情ASI为UHF，航空电子，雷达和微波应用生产全系列AM晶体管。 这些AM晶体管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI
2018-07-17 15:08:03
描述概述了ATMEGA644PA微控制器上自制的晶体管测试仪，采用晶体管测试仪的标准电路（非扩展电路）组装。
2022-07-25 06:29:13
至少800W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双
2021-04-01 10:11:46
`产品型号：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用我们获得的新半导体
2019-05-14 11:00:13
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
，可提供至少250 W的峰值输出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通过50 V电源电压工作。 为了获得最佳的热效率，该晶体管封装在带有环氧密封陶瓷盖的金属基封装中。特征
2021-04-01 10:35:32
IGN1090M800雷达晶体管产品介绍IGN1090M800报价IGN1090M800代理IGN1090M800IGN1090M800现货,李先生 深圳市首质诚科技有限公司,Integra
2019-05-20 09:16:24
本帖最后由 射频技术 于 2018-11-12 10:27 编辑
IGT2731L120雷达晶体管产品介绍IGT2731L120报价IGT2731L120代理
2018-11-12 10:26:20
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路
2018-12-28 15:44:03
的，因此在发射极E上使用箭头来指示电流方向。晶体管的放大功能是：集电极电流由基极电流控制（假设电源可以为集电极提供足够大的电流），基极电流的微小变化会引起集电极电流的较大变化：集电极电流的变化是基极电流
2023-02-08 15:19:23
低功耗设计中，晶体管控制电路会对电路产生一定的影响。无论是NPN还是PNP，晶体管的PN结都会有漏电流。当I/O控制基极电压时，为了稳定基极电压，一般在NPN开关电路的基极上加一个下拉电阻。在PNP开关电路的设计中，基极增加了一个下拉电阻。上拉和下拉电阻根据控制芯片、晶体管和电路电压进行选择。
2023-02-15 18:13:01
型掺杂半导体材料隔开。PNP晶体管中的大多数电流载流子是空穴s，而电子是少数电流载流子。施加到PNP晶体管的所有电源电压的极性都是反转的。电流在PNP中吸收到基极，由于PNP是电流控制器件，适度的基极
2023-02-03 09:44:48
。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中
2010-08-13 11:36:51
晶体管开关的作用控制大功率 现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是； (1)容易关断，所需要的辅助元器件少， (2)开关迅速，能在很高的频率下工
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
,和场效应晶体管一样，具有放大作用和开关特性的，是电子设备中的核心器件之- -，应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性，外形相同，但是工作原理却大不-样，普通三极管是电流控制器件，二场效应晶体管是电压
2019-04-09 11:37:36
、开关等。这是一种电压控制器件，不使用任何偏置电流。一旦在栅极和源极端子之间施加电压，它就会控制 JFET 晶体管的源极和漏极之间的电流。
结型场效应晶体管（JUGFET 或 JFET）没有 PN 结，但
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
带来麻烦。众所周知，PNP 和 NPN传感器都配有正负电源线，然后输出信号以表示“开启”状态。在“开启”状态下，PNP 传感器向工业控制输入产生正信号，而 NPN传感器产生负信号。如果您在学习晶体管之前
2023-02-03 09:50:59
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
鳍式场效应晶体管优势 更好地控制通道 抑制短通道效应 更低的静态漏电流 更快的开关速度 更高的漏极电流（每个封装的驱动电流更大） 更低的开关电压 低功耗 鳍式场效应晶体管缺点 难以
2023-02-24 15:25:29
的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器、电压／电流反馈放大电路、晶体管／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路
2017-06-22 18:05:03
晶体管，基极上的电压必须低于发射极上的电压。像这样的基本电路通常将发射器连接到电源的加号。通过这种方式，您可以判断发射极上的电压。PNP 晶体管如何开启？PNP 和 NPN 晶体管的端子电阻值然后，我们
2023-02-03 09:45:56
场效应晶体管在芯片中的作用讲起：开关电源芯片就是利用电子开关器件如晶体管、场效应晶体管、闸流管等，通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，维持稳定输出电压
2019-04-01 11:54:28
做了一个单结晶体管仿真（电力电子技术的初学者）。有个问题请教于各位高手。1：开关初始时刻是闭合的时候，点击仿真，发光二极管不亮 。:2：初始时刻，开关打开，点击仿真后，点击开关闭合，二极管开始闪烁。按照道理来说。情境1与情境2不应该是一样的吗，为什么会有差别啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
IRF7480MTRPBF晶体管场效应MOS管DSPIC33EP64GS504-I/ML 微控制器
2020-11-11 06:08:53
“晶体管开关”，是使用晶体管控制电路通断的开关。根据实际应用场景，也称“模拟开关（Analog Switch）”或“逻辑开关（Logic Switch）”。它或许是一些电子发烧友们DIY时遇到
2016-08-30 01:01:44
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选
2021-05-13 07:10:20
的目的。图2给出了一种利用场效应管实现的电源开关的控 制结构，当然，可以根据系统的需求设计不同的电源开关结 构。2、金升阳AD-DC电源模块：本设计选择金升阳AD-DC 电源模块（例如LS03系列
2018-10-12 17:04:35
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
输出级的器件应该是具有饱和输出电流的伏安特性。这可以采用工作于输出电流饱和状态的双极结型晶体管或者金氧半场效晶体管来实现。为了保证输出晶体管的电流稳定，就必须要满足两个条件：其输入电压要稳定——输入级需要是恒压源； 输出晶体管的输出电阻尽量大——输出级需要是恒流源。四种恒流源...
2021-12-30 07:46:38
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
图1：灌电流网络最终MOSFET（金氧半场效晶体管）源电压VS以及RSET电阻决定着各柱上的灌电流（sink current）；通过去除来自外部电流沉柱的反馈(即所有N>1)，已失去对VSN
2022-11-17 07:20:07
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和
2019-09-22 08:00:00
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和
2019-08-19 04:00:00
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
。②开关动作图2晶体管的动作有增幅作用和开关作用。在增幅作用中，通过注入基极电流IB，能够通过增幅hFE倍的集电极IC。在活性领域中，通过输入信号持续控制集电极电流，可以得到输出电流。在开关作用中，在
2019-04-09 21:49:36
电容在波形上升、下降时基极电流变大，加速开关过程。在实际当中晶体管由截止状态到导通状态的时间也缩短了，仿真的结果稍有偏差。在实际应用中，加速电容的值要通过观察开关波形来决定。加速电容是一种与减小R1值
2023-02-09 15:48:33
有没有关于晶体管开关的电路分享?
2021-03-11 06:23:27
（电阻器）组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此，晶体管也俗称"石"，设计者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分类为满足客户需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
的X-GaN栅极驱动器。X-GaN驱动器IC针对高达2 MHz的高开关频率进行了优化，并提供了解锁晶体管全部性能的简便方法。除了优化的栅极控制端子外，还提供了额外的集成功能 - 例如用于（可选）产生负
2023-02-27 15:53:50
输出LLC转换器，以进行效率和功率密度比较。初级晶体管选择LLC具有多种优势，因为它具有完全谐振行为，允许在整个范围内进行软开关导通，这本质上有助于最大限度地减少功率晶体管和磁性元件的损耗。在图2中
2023-02-27 09:37:29
求一个晶体管开关时间的测试搭建电路，有脉冲发生器，直流电源，示波器。
2020-03-05 22:57:43
一、简介MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2021-11-11 06:28:29
其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达
2016-01-26 16:52:08
`晶体三极管简称三极管，和场效应晶体管一样，具有放大作用和开关特性的，是电子设备中的核心器件之一，应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性，外形相同，但是工作原理却大不一样，普通三极管是电流控制器
2019-03-27 11:36:30
）输出分别实现晶体管的导通和关断。当使用12V隔离电源作为栅极驱动器供电时，EiceDRIVER™内部会将其分为正向驱动电压和-2.5V反向关断电压这样可确保驱动电压不超过晶体管栅极阈值，并大限度减小反向
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
组合的结果是，“ IGBT 晶体管”具有双极性晶体管晶体管的输出开关和导通特性，但像 MOSFET 一样是电压控制的。Igbt 主要应用于电力电子应用领域，如逆变器、变换器和电源等，但功率双极器件和功率
2022-04-29 10:55:25
回波，从而对遥远目标进行探测成像。在这种要求苛刻的应用中，这些脉冲系统电源采用的晶体管必须具备很高的能效，并能在各种工作条件下驱动稳定的信号。高能效带来低热量输出，而高可靠性使得可以在700瓦输出功率下
2018-11-29 11:38:26
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个晶体管为什么是开关管的作用，还有电流方向是怎样的？
2018-12-28 15:41:49
采用双极性晶体管的基准电源电路
2019-09-10 10:43:51
所示。为了方便仿真，控制端直接接到了负载电源24V的电压上，也就是一上电压负载就应该导通。图中使用的晶体管只是LTspice仿真模型库当中现成的模型，没有什么特殊的型号要求，并用一个PNP晶体管替代了图
2016-06-03 18:29:59
工作于开关状态的晶体管由于电流变化率di/dt和电压变化率dv/dt而产生瞬态过电流和瞬态过电压，这种现象称为电应力。电应力的本质是瞬时功耗的集中。这种电压和电流过冲形成的尖峰和毛刺，很容易
2020-11-26 17:26:39
晶体管的开关作用
(一)控制大功率
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；
2009-11-06 16:58:42
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