PI354x-00-BGIZ 是 48V Cool-Power ZVS 降压稳压器产品系列的最新产品，为现有 PI354x-00-LGIZ LGA 系列提供了新的 BGA 封装选项。
2018-08-22 16:59:28
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PI358x 系列是 Vicor 48V ZVS 降压稳压器产品系列的最新成员，可为现有 LGA 和 BGA 系统级封装 （SiP） 产品提供一个全新低成本的 GQFN 封装选项。
2019-03-07 13:18:045798 UnitedSiC布将推出四种新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车（EV）逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
2019-12-10 13:45:241799 &符号在C语言中有两种含义：①取地址；②按位与；问题就来了。本人近期有一段程序其中有一条：if(addr&3 != 0)adh_block[addr>>2]2]2]
2015-05-25 14:30:42
在 PowerShell 中输入 python dmeo.py，就可以执行这个 python 脚本啦。以上介绍了两种最原始的 Python 程序的执行方式。3. 重要提示在后面学习 Python
2022-02-16 18:31:16
系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装因为专注，所以专业惠海半导体团队，为您提供周到完善
2020-09-23 15:08:14
220uf/10v和220uf/16有什么区别，能不能在单片机里面用。
2013-10-06 13:02:54
表示处理器或处理器子系统。
FAST型号有两种交付方式：
·作为ARM®IP的型号和工具组合，让您可以为您的精确系统构建自定义模型。
·作为完整ARM®平台的独立模型，开箱即用，让您可以在通用
2023-08-09 06:25:02
平台来表示处理器或处理器子系统。
FAST型号有两种交付方式：
·作为ARM®IP的型号和工具组合，让您可以为您的精确系统构建自定义模型。
·作为完整ARM®平台的独立模型，开箱即用，让您可以在通用系统
2023-08-25 06:34:13
，BGA封装技术的很多方面，诸如安装条件，还没有弄清楚。近年来，工程师们测试了两种规格的BGA封装(BGA—P225个管脚和BGA—T426个管脚)，并确定哪一种安装策略提高了封装效率和封装可靠性。在
2018-08-23 17:26:53
小的波动，但是信号已经非常接近直流了。 下面来介绍两种常用的电源滤波电路 1，电容滤波 电容滤波是一种最简单的电源滤波形式，如图所示，在整流全桥之后加上了一个滤波电容C，从整流全桥输出的单向
2021-01-11 15:48:50
使用 Altium Desinger绘制的PCB封装默认情况下为平面，也就是将其切换到 3D 视图时，只能看到的是封装的形状，并不是元件的外观，这里给大家介绍两种建立元件3D图形的方法，一种是通过 Altium Designer软件直接建立，另一种是借助 3D 图形绘制软件生成的模型文件建立电子元件的外观
2019-07-12 07:37:24
重新编译内核，但是rv板子里/usr/src里的版本和板子原装的版本不一样，这个可以直接替换吗因为需要在内核中新增内核模块，需要修改.config然后进行重新编译。
2021-12-28 06:38:44
在PADS中怎么放置两种不同孔径的过孔啊？
2023-04-28 16:45:06
，包括通过软件调整控制单元，以免修改硬件。AD5761R及该系列产品提供两种小型封装——3 mm × 3 mm引脚框架芯片级封装(LFCSP)和16引脚超薄紧缩封装(TSSOP)，并且支持–55°C至
2018-10-16 09:52:03
ADE7878，通过三相标准源给进220V基波信号，设置功率因素为0.5L，调试过程中发现总有功电能在正常累计模式下可正常累积，线路周期累计模式下寄存器的值为0；总无功电能，视在电能在两种累计模式下均无法累积，寄存器值接近于0；基波无功可正常累积，请教这是什么问题
2019-01-11 14:26:39
AGM Micro发布了兼容STM32的MCU产品系列，推出具有低延迟高灵活性的功能模块MCU产品系列。AGM32产品系列对32位MCU的广大客户群提供国产替代和新智能应用市场的开拓。
此次AGM
2023-12-29 11:18:08
AGM32系列产品都提供从flash零等待指令执行功能。
芯片内置了丰富的外设资源，包含3个12位ADC、2个DAC，2个基本定时器，5个高级定时器，以及一系列接口：2个CAN2.0、5个UART、2个I2C，支持SDIO、Ethernet MAC、USB、FS+OTG等。
2023-12-29 10:52:29
破坏的可能性也很小。 以上就是关于ASEMI快恢复二极管型号大全之TO220和TO-3P封装的详细介绍。ASEMI品牌在整流桥和二极管领域已有12年的专业经验，供应全系列高品质，高性能的整流桥和二极管产品。`
2021-07-24 13:51:33
产品详情CMD196C3是通用宽带RF /微波高隔离非反射MMIC SPDT开关，采用3x3 mm无铅表面贴装（SMT）封装。 CMD196C3覆盖DC至18 GHz，在8 GHz时具有1.5 dB
2020-02-19 15:05:40
。 首先：GDDR3和DDR3是两种不同的规格，请看下图下载 (126.26 KB)2009-5-31 09:29 通过上面的图我们清楚的看见在ATI 的4670系列中低端产品线中明显的说明了显存
2011-02-23 15:27:51
2.0V5.5V，工作温度范围包含-40◦C+85◦C常规型。且具有多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。并提供LQFP48、LQFP32和QFN32共3种封装形式。该产品系列可用于完全替代
2021-08-10 06:26:32
MediaTek MT2523产品系列(MT2523D/MT2523G)基于一个高度集成的封装系统(SIP)，其中包括一个微控制器单元、低功耗GNSS(MT2523G)、双模式蓝牙和电源管理单元
2021-07-22 06:40:42
，获得的纵向电场分布几乎是恒定的，而给定击穿电压所需的漂移区长度大幅降低。与此同时，漂移区的杂质浓度提高。这两种技术都可导致通态电阻的大幅降低。扩展器件系列，实现更高阻断能力占板空间更小的全新高效边缘终端
2018-12-07 10:21:41
ADI HMC系列该系列支持SPI接口，有两种通信MODE，SPI_OPEN_MODE和SPI_HMC_MODE。这两种模式由软件控制，根据上电时SCK和SEN谁先出现rise edge来选择，如果
2021-11-05 07:03:31
SQL语言的两种使用方式在终端交互方式下使用，称为交互式SQL嵌入在高级语言的程序中使用，称为嵌入式SQL―高级语言如C、Java等，称为宿主语言嵌入式SQL的实现方式源程序(用主语言和嵌入式SQL
2021-12-20 06:51:26
STC15系列新增主流封装 LQFP48/9mmx9mm，取代LQFP44/12mmx12mm 管脚图
2022-10-26 07:15:21
STM32 L1系列，基于 Cortex-M3 内核，工作频率为 32 MHz，在性能、特性、存储器容量和封装引脚数量方面扩展了超低功耗产品系列。 The STM32 L1 系列融合了高性能和超低
2022-07-11 14:09:05
ST扩展了STM32L4产品系列及其性能。最新的STM32L4+系列单片机在继承了原有L4优越的超低功耗特性的同时，还提供了更加优越的性能（最高频率可达120 MHz）、更大容量的内置存储器
2021-08-03 08:15:22
STM32 F 103 C 6 T 7 xxx 1 2345 6 78 第1部分：产品系列名，固定为STM32 第2部分：产品类型；F表示这是Flash产品，目前没有其它选项 第3部分
2014-10-09 19:03:28
YX133 SOP-16QFN3*3-16 两种封装可选8位16Pin单片机✓6路PWM输出✓14个IO引脚✓10个中断来源✓高精准度8（6+2）通道12位模数转换器YX150C SOP-8
2021-12-10 07:47:26
能仿真调试；2 在使用C6455或者C6713时只能选则coff格式输出，反之也不能仿真调试；想问一下两种格式的区别，和由此带来的使用上的影响？其次，TI不同型号的产品在选取这两个选项的时候是否存在一定依据？
2020-05-21 14:09:09
℃，宽工作电压1.65V5.5V，支持Sleep和DeepSleep两种低功耗工作模式，在最低功耗模式下工作电流仅为450nA，从DeepSleep模式下唤醒时间仅为4us。03CW32L031系列选型
2022-09-16 10:30:15
能等级的衍生应用时有卓越的设计效率。STM32F3系列混合信号微控制器包括：STM32F301、STM32F302、STM32F303通用产品线范围包括了基本型产品、包含高性价比外设组合的产品，以及
2022-12-01 14:56:06
流向结论，当输入为220V时，手动断开开关后，电路就是一个常见的桥式整流，C1+C2电压≈300VDC所以开关Ｋ置于不同位置时１１０Ｖ和２２０Ｖ对电源的作用是一样的，即实现了对１１０Ｖ／２２０Ｖ两种不同电压的选择，轻轻波动开关即可。
2021-06-24 06:00:00
` 谁知道双绞线分为哪两种？`
2019-12-31 15:53:14
S－l、S－4的封装外形基本相同;TO一220封装外形与国产管S一7B封装外形基本相同;T0一202封装外形与国产管S一6封装外形基本相同。 采用TO系列封装的常用晶体管有:T0一3为:2SD869
2008-06-17 14:42:50
Kinetis L系列概述Kinetis L系列MCU将新型ARM® Cortex™-M0+处理器的卓越能效和易用性与Kinetis 32位MCU组合的性能、丰富的外设集、支持功能和可扩展性
2016-07-14 17:05:07
现在市面上常见的ARM架构分为两种一种是M系列另外一种是A系列，这两种有什么区别啊，用的时候他们一般分别用在什么地方啊。
2023-10-26 07:00:09
) 无铅封装的新组件。 LIS2L02AL和LIS2L06AL是两个特别紧凑的双轴加速计，增强了ST现有的深受市场欢迎的“低重力加速度”的加速计产品系列，同时还缩小了偏移量公差，提高了温度漂移性能，而且
2018-10-26 16:27:33
嗨，如果有Spartan 3系列的路线图或产品生命周期文档，有人可以告诉我吗？我们目前在现有产品中使用Spartan 3A器件（XC3S50A-4VQG100C）。我现在处于新设计的早期阶段，改进
2019-04-12 14:45:27
，范围从0.1UF----680UF ③ 表示容量误差，钽电容的容量误差有两种：一是±10%（K）和±20%（M） ④ 表示电容的耐压，指在85℃时额定直流电压，钽电容的耐压范围从4V---50V
2015-04-01 10:14:54
输入至输出电压差可能很大，会引起极大的功耗。有两种主要的封装类型：表面贴装式封装和通孔式封装。 通孔式封装选项（如图1所示的T0-220）具有被焊接到印刷电路板（PCB）钻孔中的引线。另一方面，表面贴
2018-09-05 15:37:21
在调试6670时，发现L2的地址有0x0080 0000，每个核也有自己的L2地址，像核0 有0x1080 0000。难道每个核有自己的L2，另外有一个L2？如果是这样的话，这两种L2有什么关系吗？ 谢谢啊
2019-01-04 11:30:22
请问C语言中两种引用头文件方式的区别是什么？
2021-10-15 07:36:30
电流都是3mA，是不是有点大？3、我想用这两种芯片产生1.3V的电压给TMS320C6748的内核供电，可不可行？
2019-07-16 11:21:55
品佳公司现正推广英飞凌(Infineon)第三代高集成度功率集成电路——CoolSET F3系列产品。该产品在单一封装中，组合了英飞凌CoolMOS功率MOSFET与新型脉宽调制(PWM)控制
2018-08-27 16:14:04
问一下哪个产品或者产品系列的可以实现mesh network,多对多，全网络拓扑，可以跳频？
2018-11-13 15:39:07
问一下哪个产品或者产品系列的可以实现mesh network,多对多，全网络拓扑，可以跳频？？
2018-11-13 15:41:45
LDO。而这需要具备多种多样的输入输出规格和封装，因而打造了43种机型的产品阵容。－简单地说，就是类似“此次的设计中使用3个LDO，全部在这个系列中”这样吗？是啊！这样最好。－这样对客户有好处吗？当然有
2018-12-04 10:34:07
库里还有0402,0603，0805，1210，1815，等贴片电容封装。100uf贴片电容封装为C7343，封装库对应的电容值有10uF,0.1uF,22uF,220uF贴片电容。
2008-07-14 09:37:12
409 此封装库有0402,0603,0805,1210,1815等贴片电容封装。封装库对应的电容值有10uF,0.1uF,22uF,220uF,100uF的贴片电容。为pads封装库，从软件导入就可以使用。
2008-07-14 09:50:0513 Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今
2023-05-11 14:17:51
Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装
2023-05-11 14:21:51
Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一
2023-05-11 14:27:22
Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准
2023-05-11 14:29:32
Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装
2023-05-11 14:32:56
Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装
2023-05-11 14:37:31
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装
2023-05-11 14:52:46
UF3C065030B3产品简介Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同
2023-05-11 18:01:04
UF3C065030K3S产品简介Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 18:13:21
UF3C065030T3S产品简介Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET
2023-05-11 18:30:12
UF3C065040B3 产品简介Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化
2023-05-11 18:42:02
UF3C065040K3S 产品简介Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC
2023-05-11 19:01:57
UF3C065040K4S产品简介Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET
2023-05-11 20:00:05
UF3C065040T3S产品简介Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 20:11:52
UF3C065080B3产品简介Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-11 20:28:32
UF3C065080K3S产品简介Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET
2023-05-11 20:45:39
UF3C065080K4S 产品简介Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 产品将其高性能 F3 SiC 快速 JFET 与 FET 优化
2023-05-11 20:53:23
UF3C065080T3S产品简介Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 09:35:19
UF3C120040K3S 产品简介Qorvo 的 UF3C120040K3S 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC
2023-05-12 09:42:48
UF3C120040K4S产品简介Qorvo 的 UF3C120040K4S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品，将其高性能第 3 代 SiC 快速
2023-05-12 09:51:56
UF3C120080K3S 产品简介Qorvo 的 UF3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET
2023-05-12 12:26:54
UF3C120080K4S产品简介Qorvo 的 UF3C120080K4S 1200 V、80 mohm FET 产品将其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 与 FET 优化 MOSFET
2023-05-12 12:35:06
UF3C120150K4S产品简介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 产品将其高性能 F3 SiC 快速 JFET 与 FET 优化
2023-05-12 12:52:17
UF3C120400K3S 产品简介Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET
2023-05-12 14:11:46
UF3C170400K3S产品简介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 14:20:38
**详细参数说明：**- **型号:** IPD220N06L3G-VB- **丝印:** VBE1638- **品牌:** VBsemi- **参数:** - 封装类型
2024-02-03 14:23:15
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常开JFETUnitedSiC/Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC
2024-02-26 23:19:55
电脑锁产品系列/产品组成 产品系列 &n
2009-12-28 14:43:01722 超紧凑薄型封装的MicroFET MOSFET产品系列
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的
2010-05-11 17:55:27738 2014年4月24日，TDK株式会社（社长：上釜健宏）新增了积层陶瓷电容器的树脂电极产品系列，该系列着重了在基板封装后，由于分割基板等的压力造成的“翘曲裂纹”对策，并将从2014年7月起开始量产。
2014-04-29 14:29:541755 中国，北京 - 2017年6月15日 - Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）发布了新型的支持全面Bluetooth®5连接和更多存储容量选项的多频段SoC，进一步扩展了其Wireless Gecko片上系统（SoC）产品系列。
2021-11-02 11:36:441726 蓝牙5.0在低功耗标准中新增了两种模式。第一种模式的符码率(symbol rate)是现有的1Msps低功耗标准的两倍，称为LE 2M PHY(以前的标准现在称为LE 1M PHY)。LE 1M和LE 2M PHY都属于所谓的低公耗未编码物理层标准，因为它们内部都没有纠错编码阶段。
2018-05-16 09:48:5819644 
高频宽带产品系列
2018-06-07 13:46:003492 
C2000产品系列简介
2018-08-20 02:08:004844 PI354x-00-BGIZ 是 48V Cool-Power ZVS 降压稳压器产品系列的最新产品，为现有 PI354x-00-LGIZ LGA 系列提供了新的 BGA 封装选项。 Pi354x
2018-09-15 14:33:002929 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列，并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767 UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。
2022-06-06 09:33:573458 
中微爱芯MCU产品系列介绍PIN,GD.SMT等多个型号
2022-08-19 15:26:5911 意法半导体5V产品系列新增一款高性能双路运算放大器。新产品TSV782的增益带宽（GBW）为30MHz ，输入失调电压（典型值） 为50µV，可实现高速、高准确度的信号调理。
2022-10-13 14:11:072255
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