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四甲基氢氧化铵水溶液湿蚀刻中AlGaN/AlN摩尔分数关系

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2022-01-13 14:47:19624

关于GaAs在酸性和碱性溶液中的湿蚀刻研究报告

,表面的Ga-As键断裂,元素砷留在砷化镓表面。此外,用盐酸+2-丙醇溶液蚀刻时可以观察到吸附的2-丙醇分子,但用氨水溶液蚀刻时没有检测到吸附的水分子。 介绍 湿式化学蚀刻工艺在器件制造中已被广泛应用。半导体/电解质界面上发生的过程
2022-01-24 15:07:301071

关于氮化镓的深紫外增强湿法化学蚀刻的研究报告

本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中,我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液氢氧化溶液中。在稀释
2022-01-24 16:30:31948

多晶硅薄膜后化学机械抛光的新型清洗解决方案

索引术语—清洗、化学机械抛光、乙二胺四乙酸、多晶硅、三氧化二氢。 摘要 本文为后化学机械抛光工艺开发了新型清洗液,在稀释的氢氧化铵(NH4OH+H2O)碱性水溶液中加入表面活性剂四甲基氢氧化铵
2022-01-26 17:21:18550

华林科纳共注入BOE的化学实验报告

中,氢氧化铵将是保持最终溶液酸性的限制因素(少数),为了确保蚀刻步骤有过量的HF,必须制备混合物,使n2 图2显示了使用1800cc去离子水、100cc49wt%HF和0~200cc28wt%氢氧化铵溶液中不同物种的计算分布。随着更多氢氧化铵的加入,更多的HF反应产生NH4F,F增加的
2022-02-07 17:57:14630

HF/HNO3和氢氧化溶液中深湿蚀刻对硅表面质量的影响

下的抗激光损伤能力。这种比较是在高损伤阈值抛光熔融石英光学器件上设计的划痕上进行的。我们证明氢氧化钾和氢氟酸/硝酸溶液都能有效钝化划痕,从而提高其损伤阈值,达到抛光表面的水平。还研究了这些湿蚀刻对表面粗糙度和外观的影响。我们表明,在
2022-02-24 16:26:032429

氢氧化钾在凸角处的蚀刻行为

,在实现晶片通孔互联的情况下,圆角是必须的。尖角增加了光致抗蚀剂破裂的风险,光致抗蚀剂破裂用于图案化下面的金属。因此,了解最常见的各向异性蚀刻剂(氢氧化钾)的蚀刻行为以及圆角的形状非常重要。本文通过蚀刻
2022-03-07 15:26:14372

一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺

高度光滑表面光洁度的45个反射镜。在这项工作中,我们使用了一种CMOS兼容的各向异性蚀刻剂,含有四甲基氢氧化铵(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非离子表面活性剂(NC-200),含有100
2022-03-14 10:51:42581

硅在氢氧化水溶液中的刻蚀机理

本文根据测量的OCP和平带电压,构建了氢氧化水溶液中n-St的定量能带图,建立了同一电解质中p-St的能带图,进行了输入电压特性的测量来验证这些能带图,硅在阳极偏置下的钝化作用归因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:081119

丁基醇浓度对Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响

本文我们华林科纳半导体有限公司研究了类似的现象是否发生在氢氧化溶液中添加的其他醇,详细研究了丁基醇浓度对(100)和(110)Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响,并给出了异丙醇对氢氧化溶液蚀刻结果,为了研究醇分子在蚀刻溶液中的行为机理,我们还对溶液的表面张力进行了测量。
2022-03-18 13:53:01288

如何利用原子力显微镜测量硅蚀刻速率

本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法,应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化溶液中对硅的选择性蚀刻,通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度,从而获得了氢氧化溶液中精确的硅的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18401

用NaOH和KOH溶液蚀刻硅晶片的比较研究

在本研究中,我们研究了碱性后刻蚀表面形貌对p型单晶硅片少子寿命的影响,在恒温下分别使用30%和23%的氢氧化钠和氢氧化溶液,表面状态通过计算算术平均粗糙度(Ra)和U-V-可见光-近红外光学反射率
2022-03-21 13:16:47573

单晶硅各向异性蚀刻特性的表征

在本文章中,研究了球形试样的尺寸参数,以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性,然后进行了一系列的实验,测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建立了一个涵盖广泛的氢氧化蚀刻条件范围的蚀刻
2022-03-22 16:15:00411

详解单晶硅的各向异性蚀刻特性

为了形成膜结构,单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:342506

详解SC-I清洗的化学模型

RCA标准清洁,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清洁包括两个顺序步骤:标准清洁1(SC-1)和标准清洁2(SC-2)。SC-1溶液氢氧化铵、过氧化氢和水的混合物组成,是迄今为止发现的最有
2022-03-25 17:01:252376

氧化氢在SC1清洁方案中的作用说明

介绍 RCA标准清洁,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清洁包括两个顺序步骤:标准清洁1(SC-1)和标准清洁2(SC-2)。SC-1溶液氢氧化铵、过氧化氢和水的混合物组成,是迄今为止发现的最有
2022-03-25 17:02:502376

一种强有力的各向异性湿法化学刻蚀技术

我们展示了在c平面蓝宝石上使用磷酸、熔融氢氧化钾、氢氧化钾和乙二醇中的氢氧化钠生长的纤锌岩氮化镓的良好控制结晶蚀刻蚀刻速率高达3.2mm/min。晶体学氮化镓蚀刻平面为0001%,1010
2022-04-14 13:57:511214

单晶硅的各向异性蚀刻特性说明

为了形成膜结构,单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻
2022-05-05 16:37:362658

碱性KOH蚀刻特性的详细说明

氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:201420

多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的研究

本文介绍了我们华林科纳研究了蚀刻时间和氧化剂对用氢氧化铵(铵根OH)形成的多孔氧化锌(氧化锌)薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影响。在本工作中,射频磁控管溅射的ZnO薄膜在氢氧化铵(NH4OH)溶液中腐蚀,全面研究了刻蚀时间和添加H2O2溶液对多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影响。
2022-05-09 15:19:34560

硅KOH蚀刻:凸角蚀刻特性研究

引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:481114

栅极氧化物形成前的清洗

氧化物的性质有害,这反过来影响整个器件的性质。 种程序用于清洁硅晶片。一个广泛使用的程序是标准的RCA清洁。RCA清洗包括暴露在三种不同的溶液中——SC1、氢氟酸和SC2。SC1溶液包含氢氧化铵、过氧化氢和水,通常能有效去除颗
2022-06-21 17:07:391229

单次清洗晶圆的清洗方法及解决方案

本文讲述了我们华林科纳的一种在单个晶圆清洗工艺中使用新型清洗溶液的方法,该方法涉及在单一晶片模式下使用清洗溶液,并且清洗溶液包括至少包括氢氧化铵(NH-OH)、过氧化氢(HO)、水(HO)和螯合剂
2022-06-30 17:22:112101

镍氢电池工作原理 镍氢电池的主要应用特性

镍氢电池是一种碱性电池,其负极采用由储氢材料作为活性物质的氢化物电极,正极采用氢氧化镍电极(简称镍电极),电解质为氢氧化水溶液。镍氢电池充电时,氢氧化钾电解液中的氢离子会被释放出来,由这些化合物将它吸收,避免形成氢气,以保持电池内部的压力和体积。
2022-09-07 14:51:0210118

天华超净:预计2023年电池级氢氧化锂产量将高于10万吨

近日,天华超净在接受机构调研时表示,根据公司的经营计划,2023 年天宜锂业一期和二期生产线均达到满产,其中一期项目包括技改扩产,合计生产 5 万吨电池级氢氧化锂。伟能锂业 2.5 万吨电池
2022-11-07 11:28:051669

氢氧化锂深度补跌,寻找成本平衡点

高镍三元正极材料生产中需要更低的烧结温度,所以必须使用熔点较低的氢氧化锂提供锂源。而其它正极材料中,包括中低镍三元、磷酸铁锂、钴酸锂、锰酸锂则主要使用熔点高的碳酸锂。
2023-04-24 14:23:082297

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

晶片湿法刻蚀方法

硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒,一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011598

不同行业对氢氧化铝阻燃剂都有些什么要求?

氢氧化铝中的结晶水含量,高达34.46%,当周围温度上升到300℃以上,这些水分全部析出。由于水的比热大,当其化为水蒸气时需从周围吸取大量热能。氢氧化镁也含结晶水,但含水率仅30.6%,不如氢氧化铝。
2023-07-20 16:31:12316

研究氢氧化钙,发一篇Science!

有鉴于此,哈佛大学Loïc Anderegg和加州理工学院Nicholas R. Hutzler等人建立了对氢氧化钙(CaOH)中各个量子态的相干控制,并演示了一种搜索电子电偶极矩(eEDM)的方法。
2023-11-25 15:18:58310

在氮化镓和AlGaN上的湿式数字蚀刻

由于其独特的材料特性,III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤,并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166

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