0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

铠侠推出162层3D闪存:产能增加70%、性能提升66%

工程师邓生 来源:快科技 作者:宪瑞 2021-02-19 18:03 次阅读

在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后,美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存,现在铠侠、西数也加入这一阵营,推出了162层3D闪存。

各大厂商的3D闪存技术并不一样,所以堆栈的层数也不同,铠侠、西数使用的BiCS技术,堆栈层数并不是最高的,但是存储密度不错,这次162层相比之前的112层闪存提升了10%的密度。

这样一来,从112层提高到162层使得芯片的面积减少了40%,在同样的300mm晶圆上可以多生产70%的容量,直接大幅降低了闪存成本。

除了产能、成本上的改善,铠侠的162层闪存还改进了架构,将控制电路放置于存储阵列下方,不仅减少了核心面积,还提高了性能,工作速度2.4倍提升,延迟减少了10%,IO性能提升了66%,实现了性能、容量双重提升。

铠侠并没有公布162层3D闪存的量产时间,预期是要到2022年了,可能会在铠侠、西数位于日本四日市的新建工厂量产。

2020年10越低,为了满足日益增长的5G需求,铠侠宣布将投资1万亿日元,约合95亿美元,在日本四日市再建一座3D闪存工厂,占地面积超过40000平方米,建成后将成为旗下最大的闪存工厂,也是该公司第七座闪存厂。

责任编辑:PSY

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 产能
    +关注

    关注

    0

    文章

    66

    浏览量

    12919
  • 性能
    +关注

    关注

    0

    文章

    271

    浏览量

    18984
  • 3D闪存
    +关注

    关注

    0

    文章

    20

    浏览量

    6579
  • 铠侠
    +关注

    关注

    1

    文章

    103

    浏览量

    7759
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    预期提前,再次加速,3D NAND准备冲击1000

    电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000堆叠,而此前
    的头像 发表于 06-29 00:03 4519次阅读

    量产四单元QLC UFS 4.0闪存

    近日,宣布成功量产业界首款采用四单元(4LC)技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存相较于传统的TLC UFS,拥有更高的位密
    的头像 发表于 10-31 18:22 1810次阅读

    三星与计划减产NAND闪存

    近日,据供应链消息,三星电子与正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产,并预计根据市场状况分阶段实施。
    的头像 发表于 10-30 16:18 281次阅读

    北上市NAND闪存新工厂竣工,预计2025年秋投产

    存储芯片巨头(Kioxia)近日宣布了一项重要进展:其位于日本岩手县北上市的第二家NAND闪存制造工厂(Fab 2,简称K2)已圆满竣工。此次竣工标志着
    的头像 发表于 08-06 09:27 534次阅读

    单颗256GB,单一封装达4TB容量,第八代BiCS FLASH 2Tb QLC开始送样

    提升到一个全新的水平,将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。     的BiCS FLASH是一种三维(3D)垂直闪存单元结构。
    的头像 发表于 07-17 00:17 3107次阅读
    单颗256GB,单一封装达4TB容量,<b class='flag-5'>铠</b><b class='flag-5'>侠</b>第八代BiCS FLASH 2Tb QLC开始送样

    产能利用率全面复苏,218NAND Flash即将量产

    近期,日本NAND Flash领军企业(Kioxia)传来振奋人心的消息。随着全球AI技术的蓬勃发展和市场需求的强劲反弹,该公司产能利用率在经历了一段时间的低迷后,已于今年6月成功恢复至100%的满产状态。这一转变不仅标志着
    的头像 发表于 07-05 10:38 611次阅读

    瞄准2027年:挑战1000堆叠的3D NAND闪存新高度

    在全球半导体行业的激烈竞争中,日本知名存储芯片制造商(Kioxia)展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后,
    的头像 发表于 06-29 09:29 622次阅读

    结束NAND闪存减产,工厂开工率已恢复至100%

    随着存储器市场的逐步复苏,日本半导体巨头(Kioxia)已正式结束其NAND闪存减产策略。这一战略调整基于市场需求增长和公司财务状况的改善。
    的头像 发表于 06-20 11:29 840次阅读

    NAND闪存生产恢复

    近日,据日本媒体报道,知名半导体企业(Kioxia)已成功将其位于日本三重县四日市和岩手县北上市的两座NAND闪存工厂的生产线开工率提升至100%。这一举措标志着
    的头像 发表于 06-18 16:48 649次阅读

    计划2030-2031年推出3D NAND闪存,并开发存储级内存(SCM)

    目前,和西部数据共同研发NAND闪存技术,他们最杰出的作品便是218堆叠的BICS8 3D闪存
    的头像 发表于 04-07 15:21 665次阅读

    :PCIe Gen5 SSD袭卷2024年,闪存技术创新,加速生成式AI落地

    SSD的落地发展。在2024中国闪存市场峰会期间,高管们发表演讲并接受媒体采访,分享了诸多对闪存技术和市场的洞见。   2024 是PCIe Gen5 SSD 重要的一年  
    的头像 发表于 04-02 18:03 9437次阅读
    <b class='flag-5'>铠</b><b class='flag-5'>侠</b>:PCIe Gen5 SSD袭卷2024年,<b class='flag-5'>闪存</b>技术创新,加速生成式AI落地

    提升NAND闪存产能利用率

    据最新报道,全球领先的NAND闪存制造商已决定重新审视其先前的减产策略,并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
    的头像 发表于 03-07 10:48 788次阅读

    NAND产能预计恢复90%,减产策略或面临调整

    2022年10月起,已经减少了在日本四日市和北上市两家工厂的NAND晶圆投片量达30%。截至目前,NAND生产已恢复至原厂产能的两成
    的头像 发表于 03-01 13:53 665次阅读

    正式发布业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存

    存储器解决方案的全球领导者株式会社宣布,该公司已开始提供业界首款面向车载应用的通用闪存(UFS)4.0版嵌入式闪存设备的样品。
    的头像 发表于 02-22 16:21 988次阅读

    向SK海力士提议在日产非易失性存储器,推动合作达成

    去年,与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持,提出借助其实施的日本产
    的头像 发表于 02-18 16:06 530次阅读