0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

DCM3623转换器可大大降低金属氧化物半导体晶体管的开关损耗

贸泽电子 来源:贸泽电子 作者:贸泽电子 2021-05-18 15:43 次阅读

对于电子系统而言,高效、可靠的电源模块控制系统安全可靠运行的保证。小巧、轻量化、低成本的电源模块是实现智能化系统的必要前提。Vicor一直致力于设计、制造创新的高性能模块化电源组件,涵盖从模块化电源到半导体芯片产品,并致力于为客户提供高效的电源相关产品。在开关电源中,DC-DC转换器是一种基础、重要的元器件,它将输入的直流(DC)电源转换为不同电压的直流电源。

DC-DC转换器可以是隔离式,也可以是非隔离式。隔离稳压DC-DC转换器在输入和输出之间提供电气隔离,两者之间不存在直流路径,可以避免不想要的电流在输入和输出之间流动,同时还可以实现更高的安全性。除了需要满足上述要求外,功率密度、效率和易用性也是选择隔离稳压DC-DC转换器必须考虑的关键因素。

DCM3623是Vicor推出的一款高性能隔离稳压DC-DC转换器,可从宽泛的未稳压输入生成隔离式稳压输出。凭借其高频零电压开关(ZVS)拓扑结构,DCM3623转换器大大降低了金属氧化物半导体晶体管的开关损耗,提高了开关频率,可在整个输入电压范围内始终提供高效率。

封装

DCM3623采用22mm × 23mm × 7mm的ChiP封装技术,可提高电源模块的转换效率、功率密度,有效地节省了制作成本,在提升性价比的同时也为用户带来价格上的实惠。除此之外,Vicor的ChiP封装方式在散热方面也具有一定优势,可以使内部产生的热量均匀分散至封装表面,从而有助于实现灵活的热管理方案。

实际应用

模块化的DCM3623转换器和下游的DC-DC产品支持高效的功率分配,提供出色的电力系统性能,并将各种未稳压电源连接到负载点。DCM3623适用于多种应用,包括可在72VDC和110VDC标称系统内使用3000VDC隔离电压和宽泛的43VDC—154VDC输入电压范围的铁路系统。

电压范围

DCM3623系列产品为具有标称输入电压为15V、24V、28V、30V、48V和100V的六个系列。最高功率320W,功率密度高达818W/in3,峰值效率接近93%。

并联运行

在电信网络等行业应用中,对功率的要求可能会超出单个DC-DC转换器可提供的功率,这时就需要多个器件并联使用。在阵列模式下并联多个DCM转换器,即可通过负载分配实现更高的功率容量。DCM3623最多可支持8个器件并联运行。

故障保护

DCM3623电源转换模块还提供输入和输出过压故障保护及其他故障处理机制,以便在检测到故障时自动关闭电源模块。

应用领域

DCM3623电源模块具有小型化、轻量化、高转换效率、宽输入电压等特点,广泛应用于航空航天、国防、高性能计算机、工业设备和自动化、电信、网络基础设施,以及车辆和运输等领域。

Vicor DCM3623在贸泽电子有售。贸泽电子始终致力于快速引入新产品与新技术,帮助客户设计出先进产品,并使客户产品更快走向市场。贸泽网站提供的搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况,同时还提供数据手册等各类详尽资料供用户参考。心动不如行动,来贸泽买买买,授权分销 + 贴心服务,那叫一个放心!

原文标题:轻巧而又用途广泛,这就是Vicor DCM3623隔离稳压DC-DC转换器

文章出处:【微信公众号:贸泽电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 转换器
    +关注

    关注

    27

    文章

    8465

    浏览量

    145432
  • 封装
    +关注

    关注

    125

    文章

    7565

    浏览量

    142043

原文标题:轻巧而又用途广泛,这就是Vicor DCM3623隔离稳压DC-DC转换器

文章出处:【微信号:贸泽电子,微信公众号:贸泽电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    开关电源MOS的主要损耗

    开关电源中的MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体
    的头像 发表于 08-07 14:58 338次阅读

    降压开关稳压如何使用串联晶体管

    例如降压转换器可以将+12伏转换为+5伏。 降压开关稳压是一种直流-直流转换器,也是简单、的开关
    发表于 06-18 14:19

    如何减少MOS损耗

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管
    的头像 发表于 05-30 16:41 675次阅读

    带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的非同步降压稳压数据表

    电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的非同步降压稳压数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 04-25 10:03 0次下载
    带有集成<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>(MOSFET) 的非同步降压稳压<b class='flag-5'>器</b>数据表

    带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的非同步降压稳压TPS5403数据表

    电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的非同步降压稳压TPS5403数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 04-25 09:57 0次下载
    带有集成<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应<b class='flag-5'>晶体管</b> (MOSFET) 的非同步降压稳压<b class='flag-5'>器</b>TPS5403数据表

    带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管TPS65270数据表

    电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管TPS65270数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 04-11 11:22 0次下载
    带有集成<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>TPS65270数据表

    带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的非同步降压稳压TPS5405数据表

    电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的非同步降压稳压TPS5405数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 04-11 10:57 0次下载
    带有集成<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应<b class='flag-5'>晶体管</b> (MOSFET) 的非同步降压稳压<b class='flag-5'>器</b>TPS5405数据表

    带有集成高侧金属氧化物场效应晶体管的3A双路非同步转换器TPS54386-Q1数据表

    电子发烧友网站提供《带有集成高侧金属氧化物场效应晶体管的3A双路非同步转换器TPS54386-Q1数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 04-08 15:04 0次下载
    带有集成高侧<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b>场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>的3A双路非同步<b class='flag-5'>转换器</b>TPS54386-Q1数据表

    金属氧化物压敏电阻 (MOV) 概述:工作和应用

    型的设备免受各种类型的故障的影响。它们可用于 AC/DC 电路中的单相线对线保护和单相线对线和线对地保护。它们可用于电机操作设备,用于晶体管、MOSFET 或晶闸管中的半导体开关保护和接触电弧保护。 MOV
    发表于 03-29 07:19

    N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表

    电子发烧友网站提供《N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-28 15:43 0次下载
    N通道NexFET™ 功率<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>(MOSFET) 数据表

    简单认识功率金属-氧化物-半导体场效应

    功率金属-氧化物-半导体场效应 (Power MOSFET) 由于输入阻抗高、开关速度快,并且具有负温度系数(温度上升时电流减少),因此被
    的头像 发表于 01-16 09:45 601次阅读
    简单认识功率<b class='flag-5'>金属</b>-<b class='flag-5'>氧化物</b>-<b class='flag-5'>半导体</b>场效应<b class='flag-5'>管</b>

    【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

    【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    的头像 发表于 12-13 14:22 532次阅读
    【科普小贴士】<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>(MOSFET)

    GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管

    教授李清庭做了“GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管”的主题报告。
    的头像 发表于 12-09 14:49 1389次阅读
    GaN基单片电子器件的集成互补<b class='flag-5'>金属</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半导体</b>D模和E模高电子迁移率<b class='flag-5'>晶体管</b>

    美格纳推出第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管

    美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ
    的头像 发表于 11-02 17:04 809次阅读

    华为公开“半导体器件”专利:提升场效应晶体管电流驱动能力

    根据专利摘要,该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物
    的头像 发表于 10-11 14:23 661次阅读
    华为公开“<b class='flag-5'>半导体</b>器件”专利:提升场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>电流驱动能力