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东芝新推出了一款额定值为1350V/30A的分立IGBT—GT30N135SRA

台电存储 来源:东芝半导体 作者:东芝半导体 2021-08-16 16:33 次阅读

近日,东芝新推出了一款额定值为1350V/30A的分立IGBT——GT30N135SRA,扩充了其IGBT产品阵容。新产品主要适用于采用AC200V输入电压谐振电路的家用电器,例如IH电磁炉、IH电饭煲和微波炉。

GT30N135SRA

GT30N135SRA的集电极额定电流为30A[1],是现有产品GT20N135SRA的1.5倍。这使得它的控制功率容量增加到了2400W。并且集电极-发射极饱和压降典型值降到1.65V[2],同时二极管正向压降典型值降到1.75V[3],导通损耗和关断损耗都有不同幅度的降低,这些性能进一步降低GT30N135SRA的总损耗。

与现有产品相同,本产品可通过抑制饱和电流来抑制短路电流,从而对家用电器启动时所产生的谐振电容器短路电流起到阻碍作用。另外,本产品短路电流峰值降低了40%左右,并能够将非重复性集电极峰值电流抑制在260A或更低。

GT30N135SRA遵循东芝现有产品的理念,通过降低导通损耗来减少设备功耗,具有抑制短路电流功能。

应用

仅适用于家用电器电压谐振

IH电饭煲

IH电磁炉

微波炉等

特性

6.5代RC结构(内置二极管)

低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat)=1.65V(典型值) @IC=30A,Ta=25℃

低二极管正向电压:VF=1.75V(典型值) @IF=30A,Ta=25℃

产品规格

2a00955c-fe6b-11eb-9bcf-12bb97331649.png

2a12d960-fe6b-11eb-9bcf-12bb97331649.png

内部电路

2a356dea-fe6b-11eb-9bcf-12bb97331649.png

应用电路示例

注:

[1] @Tc=100℃

[2] @IC=30A,VGE=15V,Ta=25℃(脉冲测试)

[3] @IF=30A,VGE=0V,Ta=25℃(脉冲测试)

[4] 新产品

[5] @IC=20A,VGE=15V,Ta=25℃(脉冲测试)

[6] @IF=20A,VGE=0V,Ta=25℃(脉冲测试)

本文所示应用电路仅供参考。

需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。

提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

* 本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

编辑:jq

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原文标题:可显著降低家用电器功耗,东芝IGBT产品又添新成员!

文章出处:【微信号:gh_59da4a650b34,微信公众号:台电存储】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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