0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

大容量存储器TC58DCG02A1FT00的引脚功能、特点及应用分析

电子设计 来源:国外电子元器件 作者:袁文菊,孙天泽, 2020-05-26 08:00 次阅读

1、NAND和NOR flash

目前市场上的flash从结构上大体可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种。其中NOR和DiNOR的特点为相对电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高,而NAND和AND的特点为容量大、回写速度快、芯片面积小。现在,NOR和NAND FLASH的应用最为广泛,在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards、MMC存储卡以及USB闪盘存储器市场都占用较大的份额。

NOR的特点是可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应该程序可以直接在flash内存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,但写入和探险速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度,并且写入和擦除的速度也很快,是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下:

*NOR的读速度比NAND稍快一些。

*NAND的写入速度比NOR快很多。

*NAND的擦除速度远比NOR快。

*NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路也更加简单。

*NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次,而NOR的擦写次数是十万次。

此外,NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用,并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND Flash都有支持,如风河(拥有VxWorks系统)、微软(拥有WinCE系统)等公司都采用了TrueFFS驱动,此外,Linux内核也提供了对NAND Flash的支持。

2、大容量存储器TC58DCG02A1FT00

2.1 引脚排列和功能

大容量存储器TC58DCG02A1FT00的引脚功能、特点及应用分析

TC58DVG02A 1FT00是Toshiba公司生产的1Gbit(128M8Bit)CMOS NAND E2PROM,它的工作电压为3.3V,内部存储结构为528 bytes32pages8192blocks。而大小为528字节,块大小为(16k+512)字节。其管脚排列如图1所示。各主要引脚如下:

I/O1~I/O8:8个I/O口;

CE:片选信号,低电平有效;

WE:写使能信号,低电平有效;

RE:读使能信号,低电平有效;

CLE:命令使能信号;

ALE:地址使能信号;

WP:写保护信号,低电平有效;

RY/BY:高电平时为READY信号,低电平时为BUSY信号。

2.2 与ARM处理器的连接

当前嵌入式领域的主流处理器当属ARM。图2是以ARM7处理器为例给出的NAND Flash与ARM处理器的一般连接方法。如前所述,与NOR Flash不同,NAND Flash需要驱动程序才能正常工作。

图中PB4,PB5,PB6是ARM处理器的GPIO口,可用来控制NAND Flash的片选信号。CS1是处理器的片选信号,低电平有效。IORD、IOWR分别是处理器的读、写信号,低电平有效。写保护信号在本电路中没有连接。

2.3 具体操作

地址输入,命令输入以及数据的输入输出,都是通过NAND Flash的CLE、ALE、CE、WE、RE引脚控制的。具体方式如表1所列。

表1 逻辑表

NAND Flash芯片的各种工作模式,如读、复位、编程等,都是通过命令字来进行 控制的。部分命令如表2所列。

表2 命令表

串行数据输入的命令80表示向芯片的IO8、IO7、IO6、IO5、IO4、IO3、IO2、IO1口发送0x80,此时除IO8为1外,其余IO口均为低电平。

2.4 时序分析及驱动程序

下面以表2中的读模式1为例分析该芯片的工作时序。由图3可知,CLE信号有效时通过IO口向命令寄存器发送命令00H。此时NAND Flash处于写状态,因此WE有铲,RE无效。发送命令后,接着发送要读的地址,该操作将占用WE的1、2、3、4个周期。注意,此时发送的是地址信息,因此CLE为低,而ALE为高电平。当信息发送完毕后,不能立刻读取数据,因为芯片此时处于BUSY(忙)状态,需要等待2~20ms。之后,才能开始真正的数据读取。此时WE为高电平而处于无效状态,同时CE片选信号也始终为低以表明选中该芯片。

这段时序的伪代码如下:

Read_func(cmd,addr)

{

RE=1;

ALE=0;

CLE=1;

WE=0;

CE=0;

Send_cmd(cmd);//发送命令,由参数决定,这里为00

WE=1; //上升沿取走命令

CE=1;

CLE=0; //发送命令结束

ALE=1; //开始发送地址

For(i=0;i4;i++)

{

WE=0;

CE=0;

Send_add(addr);//发送地址

WE=1; /上升沿取走地址

CE=1;

}

//所有数据发送结束,等待读取数据

CE=0;

WE=1;

ALE=0;

Delay(2ms);

While(BUSY)

Wait;//如果还忙则继续等待

Read_data(buf);//开始读取数据

}

3、Linux系统对NAND Flash的支持

Linux操作系统虽然已经支持NAND Flash,但要使用NAND Flash设备,还必须先对内核进行设置方法如下:

(1)在/usr/src/(内核路径名)目录中输入make menuconfig命令,再打开主菜单,进入Memory Technology Devices(MTD)选项,选中MTD支持。

(2)进入NAND Flash Device Drivers选项,NAND设备进行配置。不过此时对NAND的支持仅限于Linux内核自带的驱劝程序,没有包含本文介绍的Toshiba芯片,为此需要对Linux内核进行修改,方法如下:

(1)修改内核代码的drivers.in文件,添加下面一行:

dep-tristate ‘Toshiba NAND Device Support’CONFIG-MTD-TOSHIBA $CONFIG-MTD

其中CONFIG-MTD-TOSHIBA是该设备的名称,将在Makefile文件中用到。

$CONFIG-MTD的意思是只有选有$CONFIG-MTD时,该菜单才会出现,即依赖于$CONFIG-MTD选项。宋,Toshiba的NAND设备将被加入Linux系统内核菜单中。

(2)修改相应的Makefile文件,以便编译内核时能加入该设备的驱动程序。

obj-$(CONFIG-MTD-TOSHIBA)+=toshiba.o

此行语句的意思是如果选择了该设备,编译内核时加入toshiba.o(假设驱动程序是toshiba.o),反之不编译进内核。

责任编辑:gt


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1681

    浏览量

    136149
  • 存储器
    +关注

    关注

    38

    文章

    7487

    浏览量

    163808
  • 操作系统
    +关注

    关注

    37

    文章

    6818

    浏览量

    123319
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    PIC单片机数据存储器特点功能

    本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 编辑 1统一编址   不同型号的PIC单片机,其数据存储器的内部资源仅仅是功能种类和多少的不同。如PIC16C71
    发表于 11-03 14:17

    NAND 闪速存储器的内部结构

    TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器容量增大,则块数也将增加,但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速存储器特点①按顺序存取数据
    发表于 04-11 10:11

    单片机数据存储器扩展板设计

    。F29C51004的储存容量A4为512KB,其外部引脚分布图=如图1所示。其中A0-A18为19根地址线,I/
    发表于 07-26 13:01

    TC58BVG0S3HTA00香港现货 原装原封

    KioxiaTC58BVG0S3HTA00TC58NVG5H2HTAI0THGBMHG7C1LBAILTHGBMFG8C2LBAILTHGBMNG5D1LBAITTHGBMNG5D1LBAILTHGBMFG6C1LBAILTH58NVG4S0FTAK0TC58
    发表于 03-12 15:39

    回收TC58BVG0S3HTA00 收购TC58BVG0S3HTA00

    ★★大量收购工厂库存TC58BVG0S3HTA00东芝ic,实力收购工厂库存TC58BVG0S3HTA00 东芝ic,回收价格高!!!财富热线 帝欧电子 赵先生 (同步微信) *** QQ
    发表于 12-11 16:44

    TC58BVG2S0HBAI6闪存芯片TC58BVG2S0HTA00

    系列 PCIe 4.0 NVMe SSD 的定价和上市日期,但已开始向 PC 制造商出样。TC58BVG0S3HBAI4TC58BVG0S3HBAI6TC58BVG0S3HTA00TC58BVG0S3HTAI0TC58BVG1S3HBAI4TC58BVG1S3HBAI6TC58BVG1S3HTA00TC58BVG
    发表于 01-25 08:48

    TC 2159存储器数据

    TC 2159存储器数据
    发表于 06-04 13:51 5次下载

    TCL 2129A-24C04(TCLM5C02)存储器数据

    TCL 2129A-24C04(TCLM5C02)存储器数据
    发表于 06-04 14:45 8次下载

    TCL 2136A-24C04(TCLM5C02)存储器数据

    TCL 2136A-24C04(TCLM5C02)存储器数据
    发表于 06-05 11:51 7次下载

    TCL 2169A-24C04(TCLM5C02)存储器数据

    TCL 2169A-24C04(TCLM5C02)存储器数据
    发表于 06-05 13:15 14次下载

    TCL 2178A-24C04(TCLM5C02)存储器数据

    TCL 2178A-24C04(TCLM5C02)存储器数据
    发表于 06-05 13:23 7次下载

    PCF8594存储器引脚功能说明

    PCF8594存储器引脚功能说明
    发表于 01-10 23:42 1324次阅读
    PCF8594<b class='flag-5'>存储器</b><b class='flag-5'>引脚</b><b class='flag-5'>功能</b>说明

    便携存储器存储容量

    便携存储器存储容量            存储容量是指该便携存储产品最大所能
    发表于 01-09 14:51 749次阅读

    TC58NVG5D2FTA00

    东芝的TC58NVG5D2FTA00的flash芯片,主要是描述整个芯片。
    发表于 03-14 14:35 12次下载

    串行外设接口(SPI)扩展大容量数据存储器

    在许多实际应用中经常面临的问题是需要支持大容量的数据存储功能。 但是采用常规扩展外部 数据存储器 的方法,需要大量的地址总线和数据总线引脚
    发表于 04-08 09:20 4999次阅读
    串行外设接口(SPI)扩展大<b class='flag-5'>容量</b>数据<b class='flag-5'>存储器</b>