的驱动损耗和更短的死区时间电路优势，因为栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 显着降低。因此，GaN HEMT 在高频软开关谐振拓扑（如 LLC 谐振转换器）中显示出优于硅 MOSFET 的显着
2021-10-11 14:49:23
5154 
氮化镓（GaN）器件具有类似硅的电性能，可以由硅MOSFET设计中使用的许多现成的驱动产品驱动。
2022-07-12 13:05:422400 超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33:241389 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 硅MOSFET功率晶体管多年来一直是电源设计的支柱。虽然它们仍然被广泛使用，但是在一些新设计中，氮化镓（GaN）晶体管正在逐渐替代MOSFET。GaN技术的最新发展，以及改进的GaN器件和驱动器电路
2017-05-03 10:41:53
的MOSFET和IGBT会产生不可接受的损耗、WBG半导体晶体管比如GaN能够克服这些问题集成GaN HEMT和驱动器方案现在已经可以应用于电机系统中能够承受高压条件的高性能电容也可以应用到需要高压高频电机驱动电路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
（MOSFET）是在20世纪70年代末开发的，但直到20世纪90年代初，JEDEC才制定了标准。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格认证对GaN晶体管而言意味着什么。 标准滞后于技术的采用，但标准无需使技术可靠
2018-09-10 14:48:19
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
所示为硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降时间。图中数字显示死区时间存在两倍的差异，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加线性。这些属性使得更精细的边缘
2018-08-30 15:05:41
的应用做好准备。要使数字电源控制为GaN的应用做好准备，它需要针对更高开关频率、更窄占空比和精密死区时间控制的时基分辨率、采样分辨率和计算能力。图1和图2显示的是一个硅 (Si) MOSFET和一个GaN
2018-09-06 15:31:50
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
;gt;N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当
2010-08-17 09:21:57
N 型 MOSFET。下图显示了MOSFET的结构。MOSFET的操作由栅极电压控制。由于栅极与通道隔离，因此可以对其施加正电压和负电压。当栅极偏置电压为负时，它充当耗尽型MOSFET，当栅极偏置电压
2023-02-02 16:26:45
S34SL04G200BHI003闪存芯片S34SL04G200BHI000网络保护厂商Acronis 选择西部数据Ultrastar®Data60和Ultrastar Data102高容量混合存储
2022-01-27 13:12:56
SOP-830V18A可替换 AO4410 SL4430N沟道SOP-830V18A可替换 AO4430SL4468N沟道SOP-830V12A可替换 AO4468SL4842N沟道SOP-830V 8A可替换
2020-06-02 14:14:46
深圳市聚能芯半导体有限公司是一家集芯片代理、芯片生产、技术服务为一体的综合性电子元器件公司。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案SL25N
2020-06-09 10:23:37
TO23-3L 封装N沟道【60V MOS管 N/P沟道】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道SL426460V10ASOP-8封装 N沟道
2020-06-05 10:20:57
深圳市聚能芯半导体有限公司是一家集芯片代理、芯片生产、技术服务为一体的综合性电子元器件公司。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案SL35N
2020-06-09 10:36:41
及方案解决，提供原装正品芯片、提供技术支持、提供优先货源，保障客户利益，为客户提供全方面服务。我司还提供MOS管，支持样品测试供应【100V MOS管 N沟道】SL05N
2020-07-27 17:15:08
深圳市聚能芯半导体有限公司是一家集芯片代理、芯片生产、技术服务为一体的综合性电子元器件公司。供应中低压mos管，供应替代AO系列MOS管。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案SL50N
2020-06-10 14:33:23
方案：SL1585 30V 3A 500kHz同步降压芯片描述SL1585是一款高频、同步、整流、降压、开关模式转化器，内置电源MOSFET。它提供了一种非常紧凑的解决方案在宽输入电源范围内实现4A
2022-07-09 10:01:47
SL 2284Q provides up to total3.5A output current limit at 5V output with floating ISETpin. Switching
2021-04-28 17:45:20
SL4410N沟道SOP-830V18A可替换 AO4410 SL4430N沟道SOP-830V18A可替换 AO4430SL4468N沟道SOP-830V12A可替换 AO4468SL4842N沟道
2020-08-03 14:29:24
等。电摩两轮GPS 出行位置管理方案面向电瓶车摩托车两轮出行位置管理需求，结合智能硬件和位置服务平台提供整体解决方案，满足实时定位、历史轨迹、地理围栏、监控报警等功能需求。SL
2022-06-18 09:28:58
1.方案名称：150V降压恒压IC 12v10A大电流 2.方案品牌：森利威尔电子有限公司 3.方案规格：SOP-8 4.方案简介：SL3038是一款支持宽电压输入的开关降压型DCDC控制器，最高
2021-04-08 09:17:51
封装N沟道SL4294100V12ASOP8封装N沟道供应【60V MOS管 N/P沟道】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道
2020-05-30 11:47:59
】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道SL426460V10ASOP-8封装 N沟道SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道【55V MOS
2020-07-03 16:56:53
】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道SL426460V10ASOP-8封装 N沟道SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道【55V MOS管 N沟道
2020-08-03 14:48:45
AO系列MOS管。SL444场效应管 60V12A N沟道功率MOS管完美替代AO444SL680030V3.4A60毫欧SOT23-6封装N沟道优势替代AO6800SL482230V8A19毫欧
2020-06-12 10:41:06
AOD4184SL444N沟道TO-252 60V 12A可替代 AOD444SL50N06 N沟道TO-252 60V 50ASL15N10 N沟道TO-252100V 15ASL403N沟道
2020-06-03 15:06:15
TO23-3L 封装N沟道SL4294100V12ASOP8封装N沟道供应【60V MOS管 N/P沟道】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道
2020-06-05 10:14:58
、MOS管、LED/LEC驱动等等，广泛应用于台灯、钟表、LCD显示模块、数码伴侣、玩具、车灯、扭扭车、等各类工业和民用电器产品上。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案SL484 30V/41A N
2020-06-04 13:58:07
、MOS管、LED/LEC驱动等等，广泛应用于台灯、钟表、LCD显示模块、数码伴侣、玩具、车灯、扭扭车、等各类工业和民用电器产品上。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案SL7410N沟道DFN3.3
2020-06-04 11:25:10
作者： TI 工程师 Aki Li, Rayna Wang高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961
2019-03-07 06:45:04
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
`Altium中这种电容规格封装表什么SL-H/SL-G/SL-E/SL-D`
2017-05-13 17:26:02
电流2A以内功率20W以内5.方案应用范围：DCDC低压球泡灯方案AC36V球泡灯方案等SL1502内置MOS 降压型大功率LED 恒流驱动芯片 负载可驱动2A电流SL1502 供电12-85V转3串2A球泡灯方案6.SL1502芯片电路图：
2015-08-25 16:23:02
关键词：SHARP，夏普，光电耦合开关，响拇指电子，Sumzi提要：GP1S093HCZ0F是一个透射式的光电耦合开关，器件集光电三极管、发光二极管（LED）、光电倍增管以及红外光发射端和探测端于
2013-11-13 10:57:43
ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换器拓扑。这些驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制器N沟道
2020-09-30 16:47:03
PCM15N12E 3A以上快充锂电池保护MOSFET 的参数介绍 威明半导体/周R:***产品类型:12V ESD 锂电池保护MOSFET参数: 12V,5.9mohm (TYP: 4mohm
2019-07-31 10:45:31
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
全新的电源应用在同等的电压下以更高的转换频率运行。这意味着，在同样的条件下，GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。TI日前发布了LMG5200，随着这款全集成式原型机的推出，工程师们能够轻松地将
2018-09-10 15:02:53
[tr=transparent]USB 2.0接口4口HUB芯片：SL2.2s/SL2.1ASL2.2s/SL2.1A是一颗高集成度,高性能,低功耗的USB2.0集线器主控芯片；该芯片采用STT技术
2018-06-29 15:52:37
GaN器件在许多应用中取代现有的IGBT和MOSFET，能够带来更优异的性能、更低的损耗以及更快的开关速度。不变的是仍然需要隔离型上桥臂驱动器，以及可承受高开关电压、严苛的工作温度和高转换速率的隔离
2017-09-20 10:28:09
本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑
如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电，所以用两个N沟道增强型
2016-09-06 12:51:58
10MTO220封装 HGP100N12SLTO220封装PD电源100W：HGN077N10SL DFN5*6封装 HGP082N10MTO220封装 HGP100N12SLTO220 封装 PD电源开关30V
2018-08-07 15:25:45
生活中有各种各样的电源，其中就有一款叫高频开关电源系统，什么是高频开关电源系统？它有什么作用？高频开关电源（也称为开关型整流器SMR）是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。
2020-11-25 06:00:00
基于平面矩阵的高频高效LLC模块基于GaN功率集成电路的CPRS变压器
2023-06-16 06:48:18
SL4410N沟道SOP-830V18A可替换 AO4410 SL4430N沟道SOP-830V18A可替换 AO4430SL4468N沟道SOP-830V12A可替换 AO4468SL4842N沟道
2020-07-27 16:55:26
我实际搭了一个N型的MOSFET FDS9945管来试验他的性能，结果发现光耦PC817 IN2脚不管是高电平还是低电平，N型mosfet的2脚都是高电平，实测通过IO口给IN2高电平信号，IN2
2019-02-12 17:12:04
描述PMP4435 是一款面向工业和电信应用并且采用 GaN mosfet 的直流-直流隔离式数字模块参考设计。直流输入范围为36V-60V，其中典型输入为 12V，而输出为 12V/5A。此设计中
2018-11-02 16:47:28
ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换器拓扑。这些驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制器N沟道
2020-09-29 17:38:58
分享一款不错的TiWi－SL：2.4GHz WLAN解决方案
2021-05-25 07:01:50
的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后，在G极的下面的P型体区，就会形成一个非常薄的反型层N型，这样D极的N、反型层N、S极的N，就会形成导通的路径。图1：N沟道(左）、P沟道MOSFET结构P
2016-12-07 11:36:11
的氮化镓(GaN)直流/直流解决方案去除了中间母线直流/直流转换级，设计师可以在单级中将48V电压降至更低的输出电压。去除中间母线直流/直流转换器使得功率密度和系统成本显着增加，同时提高了可靠性。与硅
2019-07-29 04:45:02
开通造成桥臂短路； 通过优化 PCB 布局减小寄生电感能有效减小驱动振荡[3]，但在硬开关场合依旧存在较大电压过冲； 而且 GaN HEMT 的反向导通损耗往往高于同电压等级的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
今天观看了电子研习社的直播课程，由TI工程师王蕊讲解了TI的基于GaN的CrM模式的图腾柱无桥PFC参考方案的设计（TIDA00961）。下面是对该方案的介绍：高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱
2022-01-20 07:36:11
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
的功率损耗。这些功率损耗会引起发热，需要设计人员执行散热管理，从而增加系统成本和解决方案尺寸。二极管的另外一个缺点就是较高的反向泄露电流—最高会达到大约1mA。用N沟道MOSFET替换高损耗二极管可以通过
2018-05-30 10:01:53
选用32 MHz的石英晶振作为基准信号，从而保证测频精度。 2.1 STC12C5A60S2单片机 在测高频信号时，由于普通51单片机在确认一次负跳变时需要2个机器周期，即24个时钟周期，因此
2018-10-18 16:46:46
, Robert. 电源技巧29：估算热插拔MOSFET内的瞬态温度上升—第2部分，EFTimes，2010年11月7日下载LMG5200 技术指南进一步了解TI GaN解决方案Bahl, Sandeep.一个限定GaN产品的综合方法，白皮书，德州仪器 (TI)，2015年3月
2019-07-12 12:56:17
沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的缩写。对工程师来说
2021-04-09 09:20:10
SL440630V13A7毫欧SOP-8封装 N沟道SL441030V20A6毫欧SOP-8封装 N沟道SL443030V18A4.5毫欧SOP-8封装 N沟道SL446830V12A10毫欧SOP-8封装
2020-06-05 11:33:57
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
求一个适用于高频开关电路的mosfet，极间电容要小一点，越小越好
2019-08-19 13:47:23
拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET
2023-02-14 15:06:51
拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘
2020-10-27 06:43:42
参数极其敏感，因此相较于传统的Si基半导体器件的驱动电路，GaN的驱动要求更为严苛，因此对其驱动电路的研究很有意义。在实际的高压功率GaN器件应用过程中，我们用GaN器件和当前主流的SJ MOSFET在
2021-12-01 13:33:21
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地，20欧姆电阻连接运放反馈端，我想把运放个mosfet进行隔离，求方案。求器件。整个原理其实就是运放控制mosfet实现电流源。
2018-08-02 08:55:51
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
驱动25A/12V的mosfet，IR2103S需要多大的自举电容
2021-01-28 12:07:56
MT-093：散热设计基础
2021-03-21 08:44:42
13 DC093A-设计文件
2021-04-12 15:25:161 DC093A-演示手册
2021-05-23 15:13:210 DC093A-设计文件
2021-06-16 11:22:062 电子发烧友网为你提供ADI(ti)DC093A相关产品参数、数据手册，更有DC093A的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DC093A真值表，DC093A管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-09-07 11:00:04
SL12-THRU-SL110-SMA规格书下载
2021-11-30 16:20:327 在设计基于氮化镓的转换器七年后，我们可以肯定地说，从硅 MOSFET 到 GaN 晶体管的转换是一个革命性事件，其规模可与 70 年代后期的功率 MOSFET 革命相媲美，当时 Alex Lidow
2022-08-01 11:18:04513 GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。
2022-10-19 11:57:57306 MOSFET 和 GaN FET 应用手册-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 立元微ZS2934SL 24W开关电源方案
2023-10-24 11:36:15640 
立元微ZS3086SL 12W小功率开关电源方案
2023-10-26 14:23:26520 fp6102v093-lf
2021-12-01 10:25:010 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 
碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性： 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357
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