0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5433资料下载内容包括：MAX5433引脚功能MAX5433功能和特性MAX5433应用范围MAX5433内部方框图MAX5433极限参数MAX5433典型应用电路
2021-04-02 07:32:20
（Microcontroller Unit, MCU）市场，最新推出95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器（95纳米5V SG eNVM）工艺平台。在保证产品稳定性能的同时，95纳米5V SG eNVM工艺平台以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
谈到内存，我们都会想到PC，对于单片机或者arm来说也是存在内存的，简单的理解是：内存嘛……就是存放东西的地方，只不过这个东西是数据而已，好了，还是把重点放在mcu上面，对于一款mcu来说，在性能
2021-07-16 07:56:26
上。此设计工作在低功耗模式下，并可减少 CPU 工作量，进而有助于降低总体功耗。主要特色磁脉冲测量2.9uA 待机电流非易失性片上 FRAM 实时存储支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack电池电压监视器此终端设备设计已经过测试，并包含硬件、固件、GUI、演示和用户指南
2018-08-23 12:08:52
nvSRAM的工作，随后将介绍在企业级SSD中采用nvSRAM器件的具体细节。 非易失性SRAM（nvSRAM） nvSRAM在单个器件中完美结合了两大CMOS技术：SRAM和SONOS非易失性技术
2018-09-26 09:44:52
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
经过超过八年的MRAM研发，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚
2020-09-15 14:20:31
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
，非易失性存储器还需确保足够的读写次数来记录至少 20 年数据。此外，为了达到汽车级认证和资格，所有子系统应采用符合 AEC-Q100 标准的存储器组件。同时，功能性安全性能符合ISO 26262标准是另外一
2018-05-21 15:53:37
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C时的泄漏电流小于55mA，相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32Mb数据，它具有100K个循环的耐久性，而对于1Mb的数据可以>1M个循环。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
AT87F51是一个低功耗，高性能CMOS 8位微控制器，带有4K字节的快速闪存可编程只读存储器。该设备是采用Atmel的高密度非易失性内存技术和行业标准MCS - 51（TM）的指令集和引脚兼容
2013-09-03 11:39:03
的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-51指令系统，片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元，功能强大的AT89LV55单片机可为您提供许多高性能低价位的系统控制应用场合。AT89LV55有
2013-11-12 16:00:24
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1553
2020-09-17 17:24:23
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
一些微控制器配有片载 EEPROM，这样既提供了非易失性数据存储器，还能节省板空间。然而，随着数据安全变得愈发重要，许多现代嵌入式系统需要一种实用的方法，利用非易失性存储器来安全地存储数据，同时还可
2020-12-28 07:32:47
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-12 11:55 编辑
Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此
2018-06-12 09:52:07
Flash的硬件实现机制Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile
2018-07-18 15:50:36
飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术，该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在继承了GW1N-1/2/4的众多优点的基础上，加入了多项创新的特性，使得高云半导体在非易失性FPGA领域逐步建立了领先优势
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
。然而，我很难找到描述 LPC55S69 的两个内核如何访问芯片上的静态 RAM 和闪存资源的应用说明或技术规范。NXP 是否提供此类应用说明？我在哪里可以找到这个？我用各种搜索短语搜索了论坛，例如“双关心内存
2023-04-12 08:54:14
在那里，我正在编写一个应用程序的WYZBEE板从红松信号。他们使用来自FM4的M9BFX6XM家族的M9MF568。对于我的应用程序，我试图在非易失性工作快闪存储器中存储帐户凭据和无线LAN配置。一
2019-11-01 10:53:50
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.
2021-01-01 07:13:12
MSP430G 系列处理器是一款低成本16 位处理器，其并不具备 EEPROM。为了存储非易失性数据，MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了 256 字节的 Flash 空间作为信息
2019-10-18 09:00:50
我使用的是MPLAB X IDE v3.35、PicKit3和PIC32MX360F512L。我还在为应用程序的非易失性存储保存这个内存的一个块。考虑到一个512K的存储设备，这个值是有意义
2019-11-05 15:39:52
Pango DesignSuite，可支持千万门级FPGA器件设计开发高云半导体：推出中国首颗55nm嵌入式Flash SRAM非易失性FPGA芯片，实现可编程逻辑器件、嵌入式处理器无缝连接安路
2021-09-10 14:46:09
航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
2020-12-31 07:15:20
我在定制板上使用 STM32H745，带有 Micron 闪存 (MT25QU512ABB)电路板经过测试，我能够通过 QSPI 管理 NOR 内存。我试图更改非易失性配置寄存器来设置两件事：命令
2022-12-19 07:15:57
如题，MCU运行时的状态不是易失的吗，那每次上电时应该就是初始状态。为什么还需要上电复位电路来在MCU上电时，给它复位呢？
2018-04-12 09:19:56
现代化战争对吸波材料的吸波性能要求越来越高，一般传统的吸波材料很难满足需要。由于结构和组成的特殊性，使得纳米吸波涂料成为隐身技术的新亮点。纳米材料是指三维尺寸中至少有一维为纳米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
器件为市场上的许多8位MCU提供了编译器友好的替代方案。对了解FRAM来说，这些新型低成本MSP430 MCU器件是一个很好的切入点。FRAM为程序员提供了极大的灵活性，还具有作为非易失性程序和非易失
2019-07-25 04:45:11
菜鸟求助：一个外部设备的驱动加载后会自动在/dev下生成相应的设备文件，请问这个设备文件只是在内存中存在吗？应该是个临时的文件吧，掉电丢失。设备文件在硬盘中或者其他非易失性存储介质中会占用存储空间吗？
2016-09-04 18:28:43
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
纳米制程功耗低性能强国民做安全芯片起家，自带多种加密算法安全性高与台积电签订多份采购订单，供货较为稳定MCU产品已得到多家行业龙头客户认可并导入（华为、大疆、宁德时代）宽产品线、覆盖32位MCU从低端到高端的绝大多数应用场景国民技术MCU表示Pin数与flash容量的字母后缀与ST、GD对应含义
2021-11-01 07:51:48
AN0002—AT32 MCU如何使用片上Flash来实现EEPROM功能当前诸多嵌入式应用场景都需要用到 EEPROM 作为非易失性的数据存储设备。出于客户低成本的考虑，AT32 系列部分
2021-11-26 07:15:32
低功耗应用提高安全性。此外，它们还采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或闪存提供稳健统一的存储器架构，从而可简化安全系统设计。
2019-07-08 06:03:16
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存储提供了一些想法。一定有工程师经常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序内存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存储呢？本文将会介绍
2021-12-20 06:42:35
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器，在
2019-09-23 08:31:04
在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。
2021-01-11 06:44:23
osal_snv_init();这的NV条目 是指什么？ VOIDosal_snv_write(22, 10,buf); VOIDosal_snv_read(22 , 10,buf1); 我调用读写NV 函数 这时buf1 的内内容和buf 一样 然后我屏掉VOIDosal_snv_write(22, 10,buf);在运行一次 按理说buf1 也应该和buf 内容一样 因为上次保存到flash 了，可是结果并没有，不知道哪里抹掉了。这个uint16 ID 这个参数是如果传递的，我如何知道系统使用了那些地址，那些地址能给用户开发使用的？
2019-10-16 09:14:09
我如何获得该产品的波动性声明？我们的客户需要它。其他帖子称，大多数产品都具有易失性存储器，但根据数据表，除了易失性DDR3内存外，该主板还具有非易失性SPI闪存和EEPROM存储器。提前致谢
2019-04-08 06:51:36
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
1. 存储器理解存储器是计算机结构的重要组成部分，存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“非易失性存储器”两类，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11
CAT5140采用8引脚MSOP封装。含片上8位非易失性电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，使设计人员能一次就校准，并在上电(power-up)时保持存储器的电阻触点(wiper)设置范围。这
2021-04-16 06:29:19
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位计数器模式中使用Time1。下面的函数在代码中定期调用。每次调用上述函数后，Timer1应该重置为零。有时它不是这样发生的，但有时它像预期的那样工作。我必须将“T1Value”声明为易失性变量还是其他可能出现的问题？任何帮助都是值得赞赏的。
2020-04-08 06:36:57
有什么办法可以使发送到 VL6180 的偏移校准数据（也许还有串扰校准数据）不会像这样易失？每次重启后它被覆盖的原因是什么？设备地址也是如此。尽管这对我来说至少更合理一些。背景：对于一个 IoT
2023-01-04 06:00:00
和大量非易失性内存，这些内存分配给不同的内存区域，用于额外存储图像/等。 我的问题是构建成功的 touchgfx 应用程序是否需要两种内存类型？无论如何，我们都需要非易失性存储器来存储数据，但在我
2022-12-26 07:41:51
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
电子元器件涂层的耐磨性测试是很重要的检测试验，Taber5750线性磨耗仪是目前应用非常广泛的耐磨测试仪，本文讲述采用Taber5750线性磨耗仪对高耐磨亲水亲油易清洁纳米涂层的耐磨性进行测试
2017-10-13 16:53:27
中波长的1/50，具有在较低频段谐振的可能。但是由于单根碳纳米管天线输入阻抗很高，导致天线效率太低，并没有实际应用的可能。因此采用碳纳米管阵列构建微波器件更具有现实意义。提出采用中点馈电的碳纳米管束作为天线阵
2019-05-28 07:58:57
在 wiki 中，我发现了这些行：5.3 非易失性计数器↑每个证书都嵌入了一个非易失性计数器值，该值被检查以控制防回滚机制。有两种非易失性计数器： - 可信非易失性计数器 - 非可信易失性计数器在
2023-02-02 07:32:04
我想为我的 MCU 添加一些易失性内存 (32~64 MB)。我目前正在查看 STM32H/F7 设备。大多数 DRAM 需要如此多的走线，以至于内存占用的 PCB 面积使我的设计不切实际。似乎有一
2023-01-11 06:54:35
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含几款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外设集，面向各种感应和测量应用。该架构、FRAM和外设，结合大量低功耗模式，可以延长
2021-11-03 07:28:04
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-21 10:49:57
类别非易失性非易失性非易失性易失性晶胞结构*11T1C/2T2C2T1T6T数据改写方法覆盖写入擦除+写入扇面擦除+ 写入覆盖写入写入循环时间150ns*25ms10µs55ns耐久力最大 1012
2014-06-19 15:49:33
的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性，写入速度快，无限次写入,最关键是
2021-11-10 08:28:08
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米
上海2009年10月14日电 -- 中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约
2009-10-15 08:22:44
793 中芯国际共同宣布锐迪科RDA5802N 调频接收器(RF Receiver)芯片，一个采用中芯国际的55纳米低漏电(LL)工艺平台以及寅通科技 IP 解决方案的产品已于日前开始量产。
2011-03-11 10:18:161142 飞思卡尔半导体日前推出新的32位Qorivva微控制器(MCU)，该产品基于Power Architecture技术，目的是使过去只有在豪华汽车中才能见到的环绕摄像泊车辅助系统变得更加经济适用并普及到更广泛
2011-06-16 09:00:411829 Freescale公司的MPC5676R是采用Power Architecture®技术的32位多核Qorivva MCU,主要用在汽车动力总成系统
2011-12-01 10:09:502367 
飞思卡尔半导体公司日前宣布推出Qorivva MPC5746M多核微控制器（MCU），旨在满足全球对提高汽车动力总成系统性能日益增长的需求，同时又能符合最新的安全和应用要求。
2012-04-26 08:35:451069 全球电子创新设计Cadence公司与上海华力微电子，15日共同宣布了华力微电子基于Cadence Encounter数字技术交付55纳米平台的参考设计流程。华力微电子首次在其已建立55纳米工艺上实现了从RTL到GDSII的完整流程。
2013-08-16 11:08:111383 华力55纳米SONOS嵌入式闪存在55纳米逻辑平台上仅增加了4张光罩，与业界其它量产的55纳米嵌入式闪存技术（需要额外加入9~12张光罩）有非常强的成本优势。但华力团队仍然通过系列技术创新进一步提升质量，降低成本。
2018-04-27 14:16:067397 
Freescale公司的MPC5668x系列是Qorivva 双核32位MCU，集成了FlexRay，以太网和媒体本地总线。MPC5668x系列采用32位CPU核（e200z650）和Power
2018-07-06 17:40:004677 
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