Am29F040是AMD公司生产的Flash存储器,主要作用是固化程序和保存历史数据,下面首先介绍Am29F040的特点和操作.
2011-11-03 16:45:513971 的TMS320VC5509A 和AMD 公司的AM29LV800开发系统, 详细阐述了在线烧写Flash 并实现自举启动的方法。
2020-11-13 08:59:002305 AM29LV040B-70JF能替代MX29LV040CQI-70G吗?是否要调整周边阻容参数进行匹配
2018-03-01 17:29:05
AM29LV400C系列芯片资料(英文版)[hide][/hide]
2017-02-12 14:05:59
大家好,
最近在AM335x BeagleBone Black 上完整验证了下eMMC的烧写,总结了一篇文档共享出来,欢迎拍砖。
附件是文档中所描述的debrick.sh,烧写用的文件系统在后面
2018-06-01 14:12:35
大家好:
我想购买一些AM3715CBC回来给仪器做售后,可是现在碰到一个问题,AM3715CBC是个pop封装的处理器,上面的存储芯片需要烧写程序,可是AM3715CBC本身还需要烧写程序么?希望各位大侠帮帮忙了解一下,数据手册我实在是看不明白。
2018-06-21 06:19:12
**第一至第三章**Q1. 若存储器的数据总线宽度为32位,存取周期为200ns,则存储器的带宽是多少?存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。存储器带宽 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
并行flash如何实现在线烧写
2017-08-07 13:19:35
(RAM)和非易失性存储器(ROM)产品的特性。 FM1808是基于铁电存储器原理制造的并行接口256kbit铁电存储器,该存储器相比其它类型的存储器有三大特点:●几乎可以像RAM那样无限次写入;●可随
2019-04-28 09:57:17
是AM29LV160D,程序是从hex文件中每次读取10行,对这10行进行处理主要是去掉空格和换行符等,然后将其烧写进FLASH,之后再读取10行,循环进行直到读完整个hex文件。现在的问题是:我的进行完第一次10行
2014-10-29 10:31:33
针对AT24Cxx系列eeprom存储器,写的时候有越页功能,不用考虑页边界,I2C用软件模拟实现,完善中…#define SDA1() PORTC|=1< #define SDA0
2021-11-23 06:32:05
问题一:位图都存储在哪了?都在程序存储器里吗问题二:能不能将位图存储到外部内存中?问题三:F429的程序存储器和数据存储器有多大?
2020-05-20 04:37:13
FIash控制器和FPGA器件配置模块设计2.1 FIash控制器设计烧写Flash存储器和利用Flash存储器配置FPGA器件时,都需要对Flash存储器进行操作,因此需要设计一个控制器模块来专门
2019-06-10 05:00:08
嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展,由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制,因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理
2019-08-16 07:06:12
可能需要改变数据或代码的系统维护提供了有效手段。利用Flash器件,能够实现在线程序编写,减少EPROM程序烧写带来的麻烦。2 Flash AM29LV800B简介
2008-10-07 11:01:37
集成了多达 8 个TMS320C66x DSP CorePac,能够实现无与伦比的定点与浮点处理能力。KeyStone 架构经精心设计,是一款效率极高的多内核存储器架构,允许并行执行任务的同时,还能
2011-08-13 15:45:42
分割;③以块为单位进行擦除操作;④以页为单位进行编程(写人);⑤页的大小存在尾数(TC28V64 是 528 字节);⑥也存在有坏块(bad block)的产品。以NAND闪速存储器为主的用途是类似硅盘
2018-04-11 10:11:54
您好,我不确定我理解线性数据存储器。数据表中的第113页第3.5.2节说有0x2000到0x29AF可用(2479字节),但是它说“未实现的内存读取为0x00”。数据表的第1页说有384字节的线性数据存储器寻址。如果只有384个字节,为什么你必须阅读,甚至广告可用的,未实现的RAM?有没有?谢谢。
2020-04-03 10:36:18
MiniLoaderAll.bin并切换存储器;另一种是Firefly为了方便大家烧写,提供的一种参考烧写方法,该方法操作上无需要切换存储器,也可以使用Linux端的烧写工具upgrade_tool进行烧写方法一
2022-04-26 17:58:43
S29AL016D是SPANSION公司生产的16兆位的3V单一供电的FLASH存储器。它为TSOP贴片48脚封装和SOP 44脚封装形式。
2021-04-23 07:16:05
有效、连续传送多字节的数据,可以一次最多进行 64 字节(1 页大小)的数据替换。状态寄存器的读/写操作除了不必赋予地址外,其他与存储器的读/写操作相同。当状态寄存器连续进行读操作时,将一个个读出
2018-04-18 10:34:47
大家好,之前玩过51,知道程序存在ROM,数据存在RAM,现在接触STM32,在读STM32F103ZET6的数据手册时看到,BOOTLOADER存在系统存储器,手册上写STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
自举程序存储在 STM32 器件的内部自举 ROM 存储器(系统存储器)中。在生产期间由 ST编程。其主要任务是通过一种可用的串行外设(USART、CAN、USB、I2C 等)将应用程序下载到内部
2023-09-28 07:15:06
的FLASH分成两部分:主存储块、信息块。 主存储块用于存储程序,我们写的程序一般存储在这里。 信息块又分成两部分:系统存储器、选项字节。系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序
2015-11-23 17:03:47
在这里。 信息块又分成两部分:系统存储器、选项字节。系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序(BootLoader),当使用ISP方式加载程序时,就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入
2013-10-07 15:55:30
与时钟概述3.2.6.STM32的时钟框图详解第二部分、章节介绍3.2.1.STM32的存储器映像 本节讲述STM32的存储器映像,涉及到了内存与IO统一编址、地址总线和寻址空间的知识。继续讲解存储器映射表,后面写代码时会需要用到这张表的内容,请大家多注意细节。3.2...
2021-08-20 06:06:01
最近写一个STR710程序,在Flash烧写环节出了问题:我将大小为60KB的程序烧写至存储器地址0x40000000处,程序从Flash起始地址开始执行,在程序中进行烧写Flash操作,会导致程序死掉,百思不解,特向众大神求助,如有赐教,不胜感激!
2013-07-13 10:20:45
上没有cpld,所以如要充分利用flash(Am29LV033C4M)的空间只能通过GPIO口来选择翻页工作,合众达以及其他例程上都是用了三根选择翻页线,即将flash分为8页,每页512K,一直
2020-07-28 08:18:05
使用flashburn烧写程序到C6416T+MBM29LV800B的板子中(这套系统用其它方法能烧程序进去)
2020-05-26 10:57:28
,在进入maskrom后可以尝试用这种方法去烧写。具体参考wiki 《切换升级存储器》部分的“方法一(Firefly)”第二种:使用原厂提供的方法,烧写MiniLoaderAll.bin后切换存储器再烧
2022-06-09 16:03:17
如题...在启动时,通过自举引脚可以选择三种自举模式中的一种:● 从程序闪存存储器自举● 从系统存储器自举● 从内部SRAM自举 自举加载程序(Bootloader)存放于系统存储器中,可以通过USART1对闪存重新编程
2015-03-11 13:00:47
提供的 ISP 模式,通过 UART 串口方便地实现对 CW32 微控制器片上 FLASH主存储器的擦除和烧写。本应用笔记将介绍如何进入 CW32 微控制器 ISP 模式,以及所使用的 ISP 协议,并详细介绍支持的每个命令。
2022-06-06 13:26:49
,所以叫做烧写,EPROM可以使用紫外线将原来写入的内容擦除,重新烧写,目前大量采用EEPROM,是可以电擦写的存储器。单片机启动时会直接运行这些芯片中的程序,完成既定的功能。所谓烧写,其实就是对单片机中...
2021-11-23 07:37:32
AM335x Beaglebone Black eMMC烧写记录在AM335x BeagleBone Black 上完整验证了下eMMC的烧写,总结了一篇文档共享出来
2016-02-26 16:01:37
器74LS373-3中,由锁存器将页面地址保持在F29C51004的地址引脚A15~A18上。页内偏移量可由存储器芯片的读写命令给出。P0输出的低八位地址在锁存器74LS373-2中保持,P2的引脚
2018-07-26 13:01:24
Flash存储器的擦除和烧写信号。由IEEE1149.1—2001标准以及NORFlash存储器先擦除后写入的特性,设计上位机软件的具体执行流程如图1所示。同时为了完成Flash存储器的擦除和烧写,本文在
2019-06-06 05:00:38
1. 嵌入式的外部存储器嵌入式系统中,外部的存储器一般是Nand flash和Nor flash,都称为非易失存储器。存储器的物理构成包含页内地址,页(Page),块(Block)。可以得出存储器
2021-12-10 08:26:49
前言大多数玩单片机的人都知道Jlink可以烧写Hex文件,作为ARM仿真调试器,但是知道能烧写SPI Flash的人应该不多,本篇文章将介绍如何使用JLink来烧写或者读取SPI Flash存储器
2021-07-23 06:54:33
CPU之间怎么进行通信?FIFO的工作原理是什么?如何利用多端口存储器设计多机系统?
2021-05-26 07:04:50
,复位后FPGA将通过这个PROM启动。但是在我未来的项目中,只有JTAG连接可用。因此,我想知道是否可以通过JTAG和软件IMPACT用位文件刷新这个外部PROM。有没有可用的通用指南如何通过JTAG和IMPACT(或任何其他工具)闪存任何随机并行存储器?感谢你的付出最好的祝福mitch89
2019-09-18 10:35:14
系统(In-System)中进行电擦写,掉电后信息不会丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程(烧写)、擦除等特点,并且可由内部嵌入算法完成对芯片的操作,因而在各种
2019-06-10 05:00:01
您好,我在MCU上使用程序内存的一部分作为NVM(非易失性存储器)。我已经设法写和读,但是现在我面临的问题是,我想避免编译器覆盖我用于NVM的程序内存空间。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存储器的最后一页是NVM的一页。谢谢,问候,
2019-09-18 10:31:51
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别?特点?小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分,片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
,EPROM可以使用紫外线将原来写入的内容擦除,重新烧写,目前大量采用EEPROM,是可以电擦写的存储器。单片机启动时会直接运行这些芯片中的程序,完成既定的功能。
2012-09-21 21:36:20
有外部存储器flash和eeprom分别挂在tms320c6727b的EMIF和I2C接口上,想要从flash或eeprom加载程序。如何将程序下载到flash或eeprom中?通过XDS560仿真器可以下载程序到flash和eeprom中吗?还是要自己用烧写器烧写程序?
2020-07-30 06:23:47
怎样去设计DSP自动引导装载系统的硬件?对FLASH存储器进行烧写有哪些步骤?怎样使用FLASH存储器去设计引导装载系统?
2021-04-27 07:13:39
XC2S200型FPGA器件实现。采用Spansion公司的NOR Flash存储器来存放配置文件,其型号为S29GL512N,容量为512 Mb。系统总体框图如图3所示。上位机软件包括Flash烧写
2019-05-30 05:00:05
闪速存储器AT29C040与单片机的接口设计应用
2009-10-10 11:28:00
的单元都是并联的。NOR闪速存储器以读取速度 100ns的高速在随机存取中受到人们的青睐。但由于其单元尺寸大于NAND闪速存储器,存在着难以进行高度集成的问题。写人时采用CHE(Channel
2018-04-09 09:29:07
飞思卡尔S12X存储器分页机制分析 学习bootloader的童鞋可以看看
2013-10-18 10:01:40
概述TMS320VC5402 DSP 芯片的几种自举引导方法,深入分析、研究最常用的基于闪烁存储器的并行自举引导方式;按照自举表的格式在Flash 中存储程序代码,由DSP Bootloader 程序实现Flash的1
2009-04-15 11:56:2640 以基于TMS320C32 DSP 开发的故障录波装置为模型,介绍AMD公司的Flash 存储器Am29F040的原理和应用;利用它的操作过程实现断电后仍然可以将子程序保存在Flash存储器内的特性, 结合TMS320C
2009-04-16 09:52:5111 AM30LV0064D 是AMD 公司生产的一种新型超与非(UltraNAND)结构的闪速存储器(Flash)。本文介绍它的工作原理,以及它与AT89LS8252 单片机的硬件接口电路和PLD 内部逻辑控制设计的代码,
2009-04-16 10:48:229 AM30LV0064D 是AMD 公司生产的一种新型超与非(UltraNAND)结构的闪速存储器(Flash)。本文介绍它的工作原理,以及它与AT89LS8252 单片机的硬件接口电路和PLD 内部逻辑控制设计的代码,
2009-05-14 16:28:5111 以基于TMS320C32 DSP 开发的故障录波装置为模型,介绍AMD公司的Flash 存储器Am29F040的原理和应用;利用它的操作过程实现断电后仍然可以将子程序保存在Flash存储器内的特性, 结合TMS320C
2009-05-15 14:20:5321 M29F102B 和M29F105B闪速存储器相关技术信息和软件源代码.pdf
2009-05-19 16:22:1918 This application note provides library source code in C for theM29F200 Flash memory. There are two
2009-05-19 16:23:1813 海尔29T9B-P存储器数据
2009-06-01 08:59:0910 海尔29F1A-P永新管存储器数据
2009-06-02 09:52:0524 海尔29F3A-P (24C16)存储器数据
2009-06-02 09:52:4517 海尔29F3A-P(24C16)存储器数据
2009-06-02 09:53:2714 海尔29F3A-PY.24C08彩虹管存储器数据
2009-06-02 09:54:2414 海尔29F3A-P(9373V2.0)存储器数据
2009-06-02 09:59:2020 海尔29F3D-P(2000C)存储器数据
2009-06-02 10:00:2419 海尔29F5D-TA(LA76930)存储器数据
2009-06-02 10:01:0022 海尔29F5D-TA(LA76930)存储器数据(1)
2009-06-02 10:01:5725 海尔29F7A-T存储器数据
2009-06-02 10:31:5548 海尔29f8d-t(TDA9373.24c08)存储器数据
2009-06-02 10:39:29147 海尔29F98(WH2000C)存储器数据
2009-06-02 10:40:2929 海尔29F9K-P(35H 8829A)存储器数据
2009-06-03 13:04:3510 海尔29F9K-P(9373)067遥控器存储器数据
2009-06-03 13:05:2134 海尔29F9K-P(9373)存储器数据
2009-06-03 13:06:13140 海尔29FV6H-B存储器数据
2009-06-03 13:08:0526 海尔29T1A-S存储器数据
2009-06-03 13:08:5546 海尔29T2A-P(8843)存储器数据
2009-06-03 13:09:4232 海尔29T8D-T(33E)存储器数据
2009-06-03 13:10:4118 海尔HDTV-29FD存储器数据
2009-06-03 13:23:5212 海尔HDTV-29FE存储器数据
2009-06-03 13:24:3817 海尔RGBTV-29FA存储器数据
2009-06-03 13:50:3941 文中简要介绍了AM29F016D 闪速存储器的结构特点、使用方法,并以LED 大屏幕显示控制系统为例,说明AM29F016D 与单片机的接口及使用方法,并给出实用的硬件接口电路。AM29F016D 在该
2009-08-15 08:55:4823 论述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微处理器MCF5249 的Flash 存储器扩展技术,以MCF5249对MX29LV160BT Flash 存储器的扩展为例,介绍了扩展的原理,MCF5249 与MX29LV160BT 的硬件接口设计,Flash
2009-08-29 10:27:5835 The AM26LV31C and AM26LV31I are BiCMOS quadruple differential line drivers with 3-state outputs.
2010-08-28 22:14:4718 基于DSP的系统设计中,由于部分DSP内部无非易失性存储器,为了保证该系统设计掉电时程序不丢失,因此必须外部扩展ROM或Flash用于存储数据。以TMS320C6713型浮点DSP和AM29LV800B型Flash存
2010-12-23 16:40:3331 介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B Flash存储器进行程序烧写,并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导。
关键词 Am29LV200B Flash DSP 并行自举引导 自举表
Flash是
2009-06-16 07:57:591193 闪烁存储器Am29LV400B 的主要特点及编程方法;通过把FLASH 的前32K 映射到 DSP TMS320VC5409 的数据空间,按照自举表(Boottable)的格式在FLASH 中存储程序代码,由DSP 引导装载(Bootloader)程序
2011-06-03 17:00:4141 AM29LV128MH数据手册下来看看。
2016-12-16 22:45:0412 AM29LV400C系列芯片资料(英文版)
2017-01-04 11:47:520 AM29LV800B
2017-03-04 17:48:290 飞思卡尔S12X存储器分页机制分析_李翠霞
2017-03-19 11:29:007 自举程序存储在 STM32 器件的内部自举 ROM 存储器(系统存储器)中。在生产期间由 ST 编程。其主要任务是通过一种可用的串行外设(USART、CAN、USB、I2C 等)将应用程序下 载到内部 Flash 中。每种串行接口都定义了相应的通信协议,其中包含兼容的命令集和序列。
2019-11-15 17:35:0415 较复杂;并行产品具有存储量大,速度快,使用方便等特点。ATMEL公司生产的29系列存储器是一种并行、高性能、大容量闪速存储器。
2021-03-20 11:04:485649 S7-200 PLC的存储器空间大致分为三个空间,即程序空间、数据空间和参数空间。
2023-01-04 10:27:092637
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