嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
如下图所示，GD32F4系列内部SRAM分为通用SRAM空间和TCMSRAM空间，其中通用SRAM为从0x20000000开始的空间，TCMSRAM为从0x10000000开始的64KB空间。大家
2024-02-24 09:43:16
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赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-02-19 10:52:40191 
我正在与 SafetPack 为 TC38x 调试的无损测试 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正确的 SRAM 初始化过程。
你能否给我一些关于上面提到的 RAMS 的初始化过程的提示。
2024-02-01 07:09:22
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-01-09 10:54:28171 
问一下大家.
如何放大10nV 直流信号. (内阻是60K) .用普通运放是放大不了的.太多噪声.
2024-01-02 06:36:47
RAM来维持它的运行和使用，只有在保存相关文件时才会转存到 microSD 卡。
正是这种搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的记忆，RAM 是掉电不保存，而 microSD 卡则是掉电保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
SRAM (Static Random Access Memory)是一种高速、随机访问的存储器，它以其快速的读写操作和不需要刷新的特点而受到广泛使用。本文将详细介绍SRAM的读写电路设计
2023-12-18 11:22:39496 的设计缩小更多尺寸。然而，当我们转向更小尺寸的节点时，保持这种区别变得越来越具有挑战性。现在，SRAM 正在遵循越来越多的逻辑设计规则，并且与基于逻辑晶体管的设计相比，进一步缩小存储器的优势并不明显。
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。
2023-12-06 11:15:31635 该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
SRAM 的数量是任何人工智能处理解决方案的关键要素，它的数量在很大程度上取决于您是在谈论数据中心还是设备，或者是训练还是推理。但我想不出有哪些应用程序在处理元件旁边没有至少大量的 SRAM，用于运行人工智能训练或推理。
2023-11-12 10:05:05452 nv32f100为什么能模拟usb通讯，比如hid键盘之类的，而其他单片机必须要有usb外设才能用
2023-11-03 08:21:47
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么实现一个非阻塞性的串口屏收发
2023-10-24 08:15:33
AT32 部分型号有零等待闪存和非零等待闪存，程序在零等待闪存执行速度比在非零等待闪存执行速度快，如果有函数对执行速度有要求，可以将该函数加载到零等待区执行。当零等待闪存使用完后，如果还有函数对执行速度有要求，可以将该函数加载到 SRAM 执行，前提是SRAM 还有足够的空间存放该函数代码。
2023-10-20 06:10:59
如何捕捉并重现稍纵即失的瞬时信号？
2023-10-18 06:26:54
ArkTS语言的虚拟机）实例，应用组件之间可以方便的共享对象和状态，同时减少复杂应用运行对内存的占用。
采用面向对象的开发方式，使得复杂应用代码可读性高、易维护性好、可扩展性强。
原生支持应用组件级的跨端
2023-09-26 16:48:41
使用MM32F3270 FSMC驱动SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
M0 core上运行。非易失性闪存允许进行场上堆栈升级。• 低功耗特性:• BlueNRG可以使应用程序满足适度紧密的峰值电流需求。在输出功率为1dBm时，最大峰值电流只有10mA。极低功率的休眠
2023-09-08 06:02:47
飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术，该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
让一颗SRAM型FPGA在太空长期稳定运行的难度，就类似练成独孤九剑的难度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA属于核心元器件，因此对SRAM型FPGA进行抗辐照加固设计非常必要。今天贫道主要给大家布道一下SRAM型FPGA在轨会遇到的问题及其影响。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA属于核心元器件，因此对SRAM型FPGA进行抗辐照加固设计非常必要。今天贫道主要给大家布道一下SRAM型FPGA在轨会遇到的问题及其影响。
2023-08-11 10:30:451264 
动态存储运行时数据在神经网络的推理过程中。
•AXI接口M1用于允许更低带宽和更高带宽的内存事务
延迟因此，AXI M1接口可以连接到较慢或较少突发的存储器例如闪存或DRAM。内存用于运行时的非易失性
2023-08-02 06:37:01
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
本次操作的SRAM的型号是IS62WV51216，是高速，8M位静态SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技术，按照512K个字（16）位进行组织存储单元。
2023-07-22 14:58:561092 
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:44:47
DS9034PC PowerCap是一款为非易失(NV) SRAM提供的锂电池电源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面贴装PowerCap模块封装。PowerCap模块焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护
2023-07-21 15:01:52
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
DeepCover®嵌入式安全方案采用多重先进的物理安全机制保护敏感数据，提供最高等级的密钥存储安全保护。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、实时
2023-07-14 15:15:30
NV021 Final 数据表
2023-07-10 21:00:31
0 IP_数据表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 NV4V31SF 数据表
2023-07-04 20:27:470 NV4V41SF 数据表
2023-07-04 20:27:360 NV4V31MF 数据表
2023-07-04 20:27:190 DS4510是CPU监控电路，具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的非易失性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口，使用 快速模式(400kbps)或
2023-07-04 16:58:41
DS4550是9位，非易失(NV) I/O扩展器，具有I²C兼容串行接口或IEEE® 1149.1 JTAG端口控制的64字节NV用户存储器。DS4550采用数字编程替代硬件跳线和机械开关，实现对数
2023-07-04 16:43:20
检测模式，可以根据不同的需求进行定制。
总之，分离式液位传感器是一种高精度、高可靠性、适用范围广、安装方便、可编程性强的液位检测设备。相比于传统的浮球传感器，它具有更多的优势，可以更好地满足不同行业的液位检测需求。
2023-06-20 14:02:25
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
NV170D-SOP8语音芯片有一组PWM输出口，可以直推0.5w喇叭，音质清晰，内置LVR复位，无需外加复位电路。
2023-05-22 14:33:55176 
一种便携式存储设备，当插入计算机时，被解析为内置硬盘设备。这也是一种非易失性闪存。与MMC和SD卡一样，USB闪存驱动器是一种更受欢迎的可移动存储形式。
5、RAM
RAM是一个易失性内存选项。一旦设备
2023-05-18 14:13:37
SRAM（Static RAM）不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据？其中的“刷新电路”什么意思？谢谢~
2023-05-10 14:56:06
targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用户指南中的说明使用 CAAM 可信纯密钥加密/解密非易失性存储上的数据，但 bsp 不包括使用 CAAM 标记密钥加密所需
2023-05-09 08:45:33
我们正在使用 iMXRT1176。我们的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我们在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它运行完美。
给出了两个 icf 文件：
1) 内存
2023-05-05 06:38:08
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用户手册
2023-04-27 20:25:406 我正在使用 S32k358 uC，我想禁用内存区域的数据缓存。在框图中，我看到树形 SRAM 块 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的数据缓存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的数据缓存？
2023-04-23 08:01:09
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
NV040C语音芯片，可部分替代MCU的功能，通过通讯口调用NV040C语音芯片集成的标准功能模块，实现更多的扩展功能应用，在MCU开发设计上可节省1元以上的成本，同时省去产品开发过程中各类需求功能代码的开发和调试时间。
2023-04-10 12:45:27273 我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
ELP-04NV
2023-04-06 23:35:38
SRAM可以分为低速、中速、高速。===========================================================16位宽的SRAM//16BITSRAM指针
2023-04-06 15:13:03554 
景和功能上都有所不同，语音时长也不同。 目前市面上需求量最多的是40秒和80秒的语音芯片，那么80秒的语音芯片有哪些呢？ 一、NV语音芯片系列：NV080C、NV080D、NVG080W、NV080B等； 九芯电子的语音芯片主要是品牌代表N+语音系列V+语音时长（如080）+芯片系
2023-03-30 14:47:16446 
今天就带你详细了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先说明一下RAM：RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。
2023-03-30 14:11:51587 
BOARD EVAL NV890101MWTX
2023-03-30 11:56:04
BOARD EVAL FOR NV890100
2023-03-30 11:54:40
BOARD EVAL NV890201MWTX
2023-03-30 11:54:30
BOARD EVAL FOR NV706271
2023-03-29 22:54:26
B02P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:59:06
B04P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:52:39
B03P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:50:16
ATTACHMNT NP3 PANEL CUTOUT NV3
2023-03-29 19:55:45
GASKET WATERPROOF FOR NV3Q 10/PK
2023-03-29 19:55:44
WATERPROOF PACKINGS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:44
Battery NV Series
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3Q
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:43
亲爱的社区，我有几个关于 SRAM ECC 的问题。1) SRAM 上的ECC 是否默认启用？哪些代码使 SRAM 上的 ECC 启用？2) 我试图从 M7 内核启动 A53 内核，所以我必须
2023-03-27 09:15:16
NV021 Final 数据表
2023-03-24 19:10:280 我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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