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罗姆半导体将推出SCH2090ke型漏源极电压可达1200V的MOSFET
- MOSFET(209657)
- SCH2090ke(5816)
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2023-06-09 09:11:16
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281
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Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372
3722023年中国半导体分立器件销售将达到4,428亿元?
场效应管是由多数载流子参与导电的半导体器件，也称为单极型晶体管。它是一种电压控制型半导体器件，具有噪声小、功耗低、开关速度快、不存在二次击穿问题，主要具有信号放大、电子开关、功率控制等功能，广泛应用
2023-05-26 14:24:29
英飞凌推1200V SOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列
EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。
2023-05-18 16:18:24315
315赛米控丹佛斯推出配备罗姆1200V IGBT的功率模块
合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938
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请问N沟道、耗尽型的场效应管的三个管脚怎么接？
1.是N沟道，耗尽型的场效应管，是耗尽型。像图上这样的话，带？的那端应该是什么极？是源极还是漏极？
2.电路不接管子之前电流还可以，接上场效应管，上电就短路，焊下来后测量栅极和源极之间不导通，源漏
2023-05-16 14:24:38
赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块
赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市） 在开发SiC（碳化硅） 功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块
2023-04-26 15:27:11517
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配备罗姆 1200V IGBT的功率模块
。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-04-26 09:17:51606
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MOSFET的结构和阈值电压
首先我们先了解什么是MOSFET?全称是金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)这是MOSFET的简易符号
2023-04-25 14:20:393011
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里阳半导体P6KE系列TVS二极管对I/O接口的应用
里阳半导体TVS二极管P6KE系列是专为保护敏感的电子设备免受瞬态电压事引起的电压瞬变，它拥有比普通二极管更大PN结面积和更大的通流能力，当电路承受一个高能量的瞬时过压脉冲时。
2023-04-20 11:21:59203
203国内功率半导体需求将持续快速增长，欢迎广大客户通过华秋商城购买晶导微系列产品
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 16:00:28
国内功率半导体需求将持续快速增长
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39
碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
为何N沟道增强型MOS管的漏源电压增大到一定反型层会消失呢？
对于N沟道增强型MOS管而言，为何漏源电压增大到一定反型层会消失？此时栅极和衬底间不是仍然有一个正压吗
2023-03-31 15:31:55
内置 60V/5A MOS 宽输入电压降压型 DC-DC
概述OC5802L 是一款支持宽电压输入的开关降压型 DC-DC，芯片内置 60V/5A 功率 MOS，支持最高输入电压 55V。OC5802L 具有低待机功耗、高效率、低纹波、优异的母线电压调整率
2023-03-24 11:35:11
工商网监
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