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应用TSMC 0.35um CMOS 工艺模型，设计了可应用于无线通信系统的低噪声放大器(LNA)，电路采用单端共源共栅结构，用SmartSpice 对电路进行分析优化，仿真结果表明，噪声系数为1.65dB，增益高于20dB。
关键词：CMOS 集成电路低噪声放大器
随着通信技术的发展，空间电磁信号环境越来越复杂，为了避免不同信道信号间相互干扰，射频信号通常比较微弱，这对接收设备自身的噪声性能提出了更高的要求。对于多级级联系统，第一级的噪声性能对整个系统性能影响最大[1]，后续级的噪声系数对系统的影响可以通过提高前级增益而减小，所以，要得到良好的总体系统性能，关键在于设计性能优越的前端。通常在接收端的第一级要求有放大器，一方面要提供足够增益以满足后级电路要求，另一方面必须具有较低的噪声系数，同时还要求良好的输入输出阻抗匹配和线性性能以及低功耗、大动态范围等。
CMOS 工艺具有低成本、高集成度的特点，为通信系统单片集成提供了可能。近年来，CMOS 射频集成电路（RFIC）发展迅速，利用CMOS 工艺实现的GHz 频段高频模拟电路已得到广泛应用。本文采用TSMC 0.35um CMOS 工艺设计了工作于1.8GHz 的低噪声放大器，通过参数优化，得到了较好仿真效果，具有实用价值。
关键词：CMOS 集成电路低噪声放大器
随着通信技术的发展，空间电磁信号环境越来越复杂，为了避免不同信道信号间相互干扰，射频信号通常比较微弱，这对接收设备自身的噪声性能提出了更高的要求。对于多级级联系统，第一级的噪声性能对整个系统性能影响最大[1]，后续级的噪声系数对系统的影响可以通过提高前级增益而减小，所以，要得到良好的总体系统性能，关键在于设计性能优越的前端。通常在接收端的第一级要求有放大器，一方面要提供足够增益以满足后级电路要求，另一方面必须具有较低的噪声系数，同时还要求良好的输入输出阻抗匹配和线性性能以及低功耗、大动态范围等。
CMOS 工艺具有低成本、高集成度的特点，为通信系统单片集成提供了可能。近年来，CMOS 射频集成电路（RFIC）发展迅速，利用CMOS 工艺实现的GHz 频段高频模拟电路已得到广泛应用。本文采用TSMC 0.35um CMOS 工艺设计了工作于1.8GHz 的低噪声放大器，通过参数优化，得到了较好仿真效果，具有实用价值。
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