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作为全球知名的公司,三星电子在2005 年宣布了“三星五大经营原则”,展现了其对企业社会责任的承诺。这些原则也是三星电子遵守法律与道德准则、履行企业社会责任和全球行为准则的基础。
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三星AI推理芯片Mach-1下半年量产,4nm工艺服务器级算力加持
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在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?
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然而,高端产品贡献了绝大部分销售额。其中,在三星Galaxy S24与OnePlus 12系列手机的带动下,高端价位段(
据行业内部可靠消息,三星已成功完成了其先进的3nm移动应用处理器(AP)的设计,并通过自家代工部门实现了这一重要产品的首
三星贴片电容,也被称为表面安装技术(SMT)电容器,是现代电子设备中广泛使用的组件。这些电容器具有多种尺寸和容量范围,以
三星致力于遵守当地的法律与法规,并且严格要求员工遵守全球行为准则。三星认为,道德经营不仅是应对全球商业环境快速变化的经营之道,也是与客户、股东、员工、商业伙伴和当地社区等各利益相关方建立信任的方式之一。三星以成为全球道德模范企业为目标,在实行公平、透明企业管理规范的同时,不断对员工进行培训,并实施监督制度。
三星的使命和方法
三星遵循一个简单的经营理念:将优秀人才和技术投入到创造优质的产品和服务中,为建设更美好的社会做出贡献。为了实现这一目标,三星高度重视人才和技术。
三星精神中体现的价值观
三星相信,遵循核心价值观是开展良好业务的关键。因此,这些核心价值观与严格的行为准则一起,形成三星公司每项决策的核心。
三星五大经营原则
作为全球知名的公司,三星电子在2005 年宣布了“三星五大经营原则”,展现了其对企业社会责任的承诺。这些原则也是三星电子遵守法律与道德准则、履行企业社会责任和全球行为准则的基础。
三星/SK海力士DRAM大幅扩产,恢复至削减前水平,存储新周期开启
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆...
在技术层面,第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术,在原有的旗舰V8闪存236层的基础上,再次实现了技术上的重大突破,堆...
2023年全球电视市场遭遇下行压力,Mini LED技术崛起引领新格局
与电视整机市场紧密相连的上游面板产业也呈现出了相应的变化趋势。2023年,全球液晶电视面板出货总量同比下降了10.6%。
AI浪潮中数据中心建设如火如荼,相关存储设备需求急速增长——近半个多月以来,基于NAND闪存的企业级固态硬盘(SSD)产品开始供不应求。
尽管目前尚不清楚这些额外投资将具体用于哪些领域,但无疑将进一步推动三星在美国的业务发展,并有望为当地经济带来更加积极的影响。
今日看点丨18.98 万元起:比亚迪海狮 07 EV 上市;传三星停止自动驾驶研究转到机器人领域
1. 传三星停止自动驾驶研究 人员转到机器人领域 继苹果后,三星电子也停止了自动驾驶汽车研究,为“自动驾驶时代”踩下了刹车。报道引述业内人士消息,负...
据了解,三星先进技术研究院已将自动驾驶技术排除出研究项目,将研发资源转向机器人领域,这一转变旨在适应三星的长远发展战略。尽管三星去年成功进行了长达200...
据报道,三星Galaxy S24 Ultra已现身市场,其存储版本分别有256GB、512GB及1TB三款,但内存皆为12GB。然而,最新传闻称三星将于...
三星AI推理芯片Mach-1下半年量产,4nm工艺服务器级算力加持
三星已制定了Mach-1的生产计划:预计今年下半年实现量产,年底完成芯片交付,明年第一季度推出基于此芯片的推理服务器。此外,三星已获得Naver高达1万...
近日,科技巨头三星在美国商标和专利局(USPTO)成功获得了一项关于其Galaxy Watch系列的创新专利。该专利涉及利用先进的生成式AI技术来监测心...
2024年第一季度,印度智能手机出货量增长8%,高端市场表现强劲
然而,高端产品贡献了绝大部分销售额。其中,在三星Galaxy S24与OnePlus 12系列手机的带动下,高端价位段(3万印度卢比以上)的出货量占比高...
据行业内部可靠消息,三星已成功完成了其先进的3nm移动应用处理器(AP)的设计,并通过自家代工部门实现了这一重要产品的首次流片。这一里程碑式的进展不仅标...
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
---|---|---|---|
CL31A106KQCLNNC | 10 µF ±10% 6.3V 陶瓷电容器 X5R 1206(3216 公制) |
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CL21C8R2CBANNNC | 8.2 pF ±0.25pF 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制) |
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CL21B473KBCNFNC | 0.047 µF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制) |
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CL21B103KB6SFNC | 10000 pF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制) |
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CL21A225KQFNNNE | 2.2 µF ±10% 6.3V 陶瓷电容器 X5R 0805(2012 公制) |
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