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半浮栅晶体管

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　　半浮栅晶体管（SFGT）［1］是介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的晶体管。

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我国集成电路获重大突破半浮栅晶体管横空出世

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　　作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管（SFGT）可应用于不同的集成电路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即静态随机存储器。SRAM是一种具有高速静态存取功能的存储器，多应用于中央处理器（CPU）内的高速缓存，对处理器性能起到决定性的作用。传统SRAM需用6个MOSFET晶体管才能构成一个存储单元，集成度较低，占用面积大。半浮栅晶体管则可以单个晶体管构成一个存储单元，存储速度接近由6个晶体管构成的SRAM存储单元。

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