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闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
Firmware A区用来固定执行应用程序，当引导程序（BootLoader）将接收到的新固件存入到Firmware B区，并校验成功后，Firmwar...
一、W25N01G的常规描述W25N01GV有65536个page(页)，每页有2048个字节(2KB)可以按照64页(64页为1个block)进行擦除...
DRAM是最常用的存储器之一，速度非常快，但具有易失性特性，当电源关闭时，数据会消失。NAND闪存是一种存储设备，读/写速度相对较慢，但它具有非易失性特...
非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NA...
与NAND Flash相比，NOR Flash具有较低的存储密度和较高的成本，但具有较快的读取速度、较低的读取延迟和较好的随机访问性能。
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是指带电可擦可编程只读存储器。它是...
在近两年里，凭借先进的闪存，长江存储打造了数款非常成功的固态硬盘产品，包括致态TiPlus5000、致态TiPlus7100、致态Ti600等针对DIY...
随着NAND闪存的降价，现在除了PC台式机与笔记本电脑广泛使用内置SSD外，用户的移动存储设备也普遍从移动机械硬盘升级为了移动固态硬盘。而为了带给用户更...
EEPROM适合的应用众多，但对于汽车、医疗或航天系统等可靠性要求较高的应用，开发人员则希望使用FRAM等更可靠的存储器解决方案。
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
具有双/四SPI和QPI的串行闪存W25Q128FV数据手册立即下载
类别：IC datasheet pdf 2024-04-25 标签：闪存QPI
类别：电子资料 2023-09-25 标签：闪存编程PIC24FJ256
近日，全球著名技术分析机构DCI（Data Center Intelligence Group）发布报告《DCIG 2024-25高端全闪存存储安全TO...
IBM近日正式推出了IBM Storage Assurance，这是一项创新的IT生命周期管理方案。其设计初衷在于为客户提供数据中心管理的灵活性与控制权...
SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0
今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Z...
SK 海力士正在与东京电子（TEL）展开紧密合作，通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前，增加...
Pure Storage批量供应75TB SSD，并测试150TB SSD
该公司负责大规模解决方案的Bill Cerreta对此表示：“我们在2017年4月推出首款直接闪存模块（DFM）后，经过七年的不懈努力，如今已取得长足进步。”
AYANEO 5月18日发布AG01及多款Remake概念新品
通过此次公布的预告图仅能窥见新品的一部分设计。整机以棱角分明的线条展现出刚毅之美，同时还配备了一圈灯带。产品表面刻有“AYANEO GRAPHIC（图形...
铠侠发布全新UFS 4.0闪存芯片，提供256GB至1TB多种容量选择
据了解，日本存储巨头铠侠于近日宣布推出全新第四代UFS 4.0闪存颗粒。该系列闪存包含256GB、512GB及1TB三种容量版本，主要面向高端智能手机等...
三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别，并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。
西部数据表示，市场对闪存和硬盘产品的需求超出预期，这导致供应紧张，电子产业所面临的供应链问题也加剧了供应紧缺，本季度还将继续对闪存和硬盘产品进行价格调整...
5G、人工智能、物联网、云计算技术快速升级，存储容量和性能需求也快速增长，全球数据量也进而呈现出爆炸式提升的状态。在海量应用场景下依靠单一的存储方式已经...
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