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正如我们在最初涉足Celestial的产品战略时所讨论的那样,该公司的零件分为三大类:小芯片、中介层和英特尔EMIB或台积电CoWoS的光学旋转,称为OMIB。
什么是HBM3E内存?Rambus HBM3E/3内存控制器内核
Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化,以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基...
该报告显示,2023 年 HBM 在市场中的占比仅为 2%,但预计今年将增至 5%,明年则有望突破 10%;而在市场份额上,从去年的 8%上升至今年的 ...
台积电表示A16工艺不需NAEU,新一代CoWoS封装获重大突破
在封装技术的研发道路上,台积电从未停止过前进的脚步。而除了CoWoS封装技术的巨大进展,该公司还首次对外公布了其A16制程工艺。
HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
SK海力士与台积电达成研发合作,推动HBM4和下一代封装技术发展
据协议内容,双方首先致力于提升 HBM 封装中的基础裸片(Base Die)性能。HBM 由多个 DRAM 裸片(Core Die)堆叠在基础裸片之上,...
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