CAT34TS02 温度 传感器 mikroBUS™ Click™ 平台评估扩展板
2024-03-14 22:03:14
电子发烧友网站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L内存电源解决方案同步降压控制器TPS51216数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:58:12
0 电子发烧友网站提供《适用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF缓冲基准的TPS51206 2A峰值灌电流/拉电流DDR终端稳压器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:53:030 电子发烧友网站提供《具有同步降压控制器、2A LDO和缓冲基准的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存储器电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:24:340 电子发烧友网站提供《具有同步降压控制器、2A LDO和缓冲基准的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4内存电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:13:440 电子发烧友网站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3内存电源解决方案同步降压控制器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 10:16:450 使用SC584外扩DDR3，no_boot启动模式，开发环境CCES-2.2.0版本，在线调试过程，程序可正常下载，但是在A5预加载过程中会出现SYS_FAULT拉高现象，经实际汇编单步调试发现
2024-01-12 08:11:46
DDR5已经开始商用，但是有的产品还才开始使用DDR4。本文分享一些DDR4的测试内容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以达到 3200Mb/s,这样高速的信号，对信号完整性的要求就更加严格，JESD79‐4 规范也对 DDR4 信号的测量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24
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时钟频率：可通过倍频技术升级的核心频率。时钟频率可以理解为IO Buffer的实际工作频率，DDR2中时钟频率为核心频率的2倍，DDR3 DDR4中时钟频率为核心频率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
法人方面解释说：“标准型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨国企业主导，因此，中台湾企业在半导体制造方面无法与之抗衡。”在ddr3 ddr3的情况下，台湾制造企业表现出强势。ddr3的价格也随之上涨，给台湾半导体企业带来了很大的帮助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3内存都有哪些区别？ 随着计算机的日益发展，内存也越来越重要。DDR3和DDR4是两种用于计算机内存的标准。随着DDR4内存的逐渐普及，更多的人开始对两者有了更多的关注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 本文是IIC总线的实际应用，将带领读者一步一步阅读AT24C02数据手册，看时序图了解如何使用IIC接口EEPROM存储模块AT24C02，并编写代码使用STM32驱动这个模块。
2023-10-26 14:25:26747 
DDR3是2007年推出的，预计2022年DDR3的市场份额将降至8%或以下。但原理都是一样的，DDR3的读写分离作为DDR最基本也是最常用的部分，本文主要阐述DDR3读写分离的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
DDR存储器发展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低电压，更密的存储密度，从而实现更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文将对DDR3和DDR4两种内存技术进行详细的比较，分析它们的技术特性、性能差异以及适用场景。通过对比这两种内存技术，为读者在购买和使用内存产品时提供参考依据。
2023-09-27 17:42:101088 我们在买DDR内存条的时候，经常会看到这样的标签DDR3-1066、DDR3-2400等，这些名称都有什么含义吗？请看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
时，就需要外扩DDR SRAM二级存储来满足需求。
本期的主角盘古PGL50H FPGA就贴心的在核心板上，为我们配备了两片DDR3的芯片，来完成二级存储的需求。
两片DDR3组成32bit的总线数据
2023-09-21 23:37:30
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面
2023-09-19 14:49:441478 
以MT41J128M型号为举例：128Mbit=16Mbit*8banks 该DDR是个8bit的DDR3，每个bank的大小为16Mbit，一共有8个bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3带宽计算之前，先弄清楚以下内存指标。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,联想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比较茫然。高速板主要考虑两个问题点,当然其它3W，2H是基本点。
2023-09-15 11:42:37757 
内置校准: DDR3和DDR4控制器通常具有内置的校准机制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校准和DLL (Delay Locked Loop)。这些机制可以自动调整驱动和接收电路的特性，以优化信号完整性和时序。
2023-09-11 09:14:34420 ；
支持千兆以太网接口、2个CAN接口、2个USB2.0接口、6个UART功能接口；
内置128MB DDR3，支持256MB Nand Flash和4G eMMC存储；
核心板采用邮票孔方式连接，尺寸
2023-09-09 18:07:13
本文介绍一个FPGA开源项目：DDR3读写。该工程基于MIG控制器IP核对FPGA DDR3实现读写操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文开源一个FPGA项目：基于AXI总线的DDR3读写。之前的一篇文章介绍了DDR3简单用户接口的读写方式：《DDR3读写测试》，如果在某些项目中，我们需要把DDR挂载到AXI总线上，那就要通过MIG IP核提供的AXI接口来读写DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
MCU200T的DDR3在官方给的如下图两份文件中都没有详细的介绍。
在introduction文件中只有简略的如下图的一句话的介绍
在schematic文件中也没有明确表明每个接口的具体信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3时，一些关键参数的选择在手册中并没有给出，以及.ucf引脚约束文件也没有提供，请问这些信息应该从哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
复制Vivado工程路径vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夹。粘贴到仿真路径testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夹）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
xilinx平台DDR3设计教程之设计篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
电子发烧友网站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的缩写，即“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。
2023-07-16 15:27:103362 
EEPROM 仿真库类型 T02（微型），欧洲版本 Rev.1.10
2023-07-05 20:05:100 DDR3的速度较高，如果控制芯片封装较大，则不同pin脚对应的时延差异较大，必须进行pin delay时序补偿。
2023-07-04 09:25:38312 
Labview T通过CH341如何读写 CAT24C32 这个EEPROM.
2023-06-27 15:31:13
1.DDR3 IP简单读写测试实验例程
1.1** 实验目的**
MES22GP 开发板上有一片 Micron 的 DDR3（MT41K256M16 TW107：P）内存组件，拥有 16bit 位宽
2023-06-25 17:10:00
视频图形显示系统理想的架构选择。视频处理和图形生成需要存储海量数据，FPGA内部的存储资源无法满足存储需求，因此需要配置外部存储器。 与DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM带宽更好高、传输速率更快且更省电，能够满足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 一、实验要求
生成 DDR3 IP 官方例程，实现 DDR3 的读写控制，了解其工作原理和用户接口。
二、DDR3 控制器简介
PGL50H 为用户提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我正在使用带有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 连接到 T1040 处理器 DDR 控制器。
我尝试了这个序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校验错误：
步骤1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
TSYS02P温度传感器是16位分辨率数字式，可测量其环境温度并将输入数据转换为电子数据以记录、监控或发出温度变化信号。
2023-05-22 09:20:19413 
MES50HP 开发板简介
MES50HP 开发板集成两颗 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型号为 MT41K256M16。DDR3 的总线宽度共为 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
TS118-3红外温度传感器应用于医疗和工业市场的温度测量。 这些数据对于从患者生命体征监测到关键工业机械状况监测的应用至关重要。TS118-3传感器从距物体零点几英寸到几英尺之外检测物体发射的红外
2023-05-19 10:47:50462 
基于51单片机的iic--24c02EEPROM读写例程源代码
2023-05-18 09:55:513 你好 ：
专家，我们想使用S32R45和DDR3，你能帮我在哪里找到示例项目或用例吗？
2023-05-17 08:13:46
基于51单片机的iic--24c02EEPROM读写例程源代码
2023-05-12 16:44:090 在 i.MX6 SOLO 中有没有办法读取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
IC MUX/DEMUX DDR3 1:2 42WQFN
2023-04-06 11:36:35
DDR内存1代已经淡出市场，直接学习DDR3 SDRAM感觉有点跳跃；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之间的对比。
2023-04-04 17:08:472867 
TS-KG02NT产品名称：6*6方头支架操作方式：侧按温度范围：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包装方式：散装最小包装：1000/PCS
2023-04-04 16:57:090 TS-KG02ST产品名称：6*6方头贴片操作方式：正按温度范围：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包装方式：散装最小包装：1000/PCS
2023-04-04 16:55:480 TS-KG02VA产品名称：6*6边三脚操作方式：侧按温度范围：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包装方式：散装最小包装：1000/PCS
2023-04-04 16:54:390 TS-KG02N产品名称：6*6支架操作方式：侧按温度范围：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包装方式：散装最小包装：1000/PCS
2023-04-04 11:13:290 TS-KG02产品名称：6*6插件操作方式：正按温度范围：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包装方式：散装最小包装：1000/PCS
2023-04-04 11:09:280 SITE LICENSE IP CORE DDR3 ECP3
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR3 PHY ECP3 USER CONF
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
DPU02是一个高度集成的USB转UART的桥接控制器，该产品提供了一个简单的解决方案，可将RS-232设计更新为USB设计，并简化PCB组件空间。该DPU02包括了一个USB 2.0全速功能控制器
2023-03-30 10:49:17389 
TS3DDR4000 - Interface, 2:1 Multiplexer Evaluation Board
2023-03-29 22:56:49
TS02NT
2023-03-29 18:01:58
AT34C02 - EEPROM, 256X8, SERIAL
2023-03-27 13:23:46
电子发烧友App
工商网监
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