电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 格式：二进制补码3.3 V或5 V CMOS兼容输出电平AD6640ASTZ 更多细节show more Icon利用ADI公司突破性的数字无线电接收机设
2024-02-28 19:16:42
Autotalks 作为V2X通信解决方案的全球领导者，依托罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）的专业测试技术和设备，验证了其第三代V2X 芯片组的性能。
2024-02-28 18:27:20938 2月26日，紫光展锐携手通则康威，共同推出了两大搭载紫光展锐V620芯片平台的新品：5G CPE ZTL S200和5G工业网关ZLT IR40M。
2024-02-27 10:14:43322 在本指南中，您将学习如何设置 Arduino IR发射器电路。它使您可以控制IR（红外线）LED，并从Arduino发送任何远程控制代码。这意味着你可以用它来控制你的电视或其他任何你喜欢的东西！
2024-02-11 09:44:00235 
英飞凌科技股份公司近日发布了新一代的次级侧受控ZVS反激式转换器芯片组EZ-PD™ PAG2，以满足市场对高效能USB-C PD适配器和充电器的需求。该芯片组由EZ-PD PAG2P和EZ-PD
2024-01-25 16:11:38218 光伏IR相机是一种特殊的光电设备，它使用红外线（IR）技术来检测和捕捉光伏电池板上的热图像。这种相机的主要功能是检测光伏电池板上的热分布和异常，帮助工程师和科学家更好地了解光伏电池板的性能和存在的问题。
2024-01-23 11:36:23235 
6 芯片组。OpenWrt One/AP-24.XY 板的初步规格包括双核 Cortex-A53 处理器、1GB DDR4 内存、128 MB SPI NAND 闪存、4 MB SPI NOR 闪存
2024-01-13 09:56:19
)于1月9日宣布推出用于量产感知雷达的准量产芯片组。该芯片组由三个芯片组成:发射器、接收器和处理器,这标志着Arbe的首个高通道阵列“大规模MIMO”成像雷达芯片组解决方案诞生,将为汽车行业提供较高的性能,进一步助力道路安全。Arbe目前已经完成预认证测试,正在接受车规级AEC-Q100认证
2024-01-10 09:35:04183 2104全桥驱动电路原理 IR2104是一种高速、低成本的高和低电平电荷泵驱动器。它可通过逻辑输入信号控制两个N沟MOSFET或IGBT的驱动信号，实现全桥输出。IR2104内部集成了一个高压引发电荷泵、逻辑电平和电流检测电路。其主要包括低侧和高侧驱动器。 低侧驱动器：
2024-01-05 16:11:041106 目前在使用上发现三例功率MOSFET（SIR442DP） Q5损坏且芯片EXTVCC管脚与GND短路
损坏后的MOSFET呈以下特性
：1、用万用表二极管档测量：VDD-S 为无穷大，VDS-D
2024-01-05 07:30:21
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路耐受时间（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us内。
2023-12-13 11:40:56890 
随着芯片复杂度的增高和摩尔定律的放缓，半导体行业正在迅速向先进封装中的异质芯片组装转型。这种转变实现了通过组件的拆分与新的架构配置下的重新集成来持续缩小线距和创新。然而也带来了显著的设计、验证、制造和供应链等方面的挑战。本文探讨了实现异质芯片组装主流化所涉及的驱动因素、方法、权衡取舍和未解决问题。
2023-12-08 15:52:07374 
IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。
2023-12-06 14:33:07452 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 PKD01是一款很好用的峰值保持电路，因停产很难买到货，请问用哪款芯片能替代它？
2023-11-24 08:27:04
电子发烧友网站提供《英特尔® 3010 芯片组特点介绍.pdf》资料免费下载
2023-11-14 14:42:36
0 聚元微近期推出了专利的调光芯片PL378X+宽温应用的无线控制SoC PL51WT020+非隔离供电芯片PL338X的全套芯片组合，为业界带来可满足各类无极调光调色应用的可低至1‰深度的极致体验。
2023-11-07 09:53:15327 
电子发烧友网站提供《IR2110芯片在光伏逆变电路中的设计应用.pdf》资料免费下载
2023-11-06 10:04:290 国产新风尚！WAYON维安针对PC及PC电源推出MOSFET细分产品
2023-11-01 15:10:01231 
*附件：和芯润德 USB3.0HUB 设计资料.rar
推荐一款国产 USB3.0 HUB芯片，型号SL6340
推荐一款国产3.0HUB，型号SL6340，是一款由和芯润德科技自主研发的国产
2023-10-20 18:20:58
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)MAX25405: IR Gesture Sensor with Lens for Automotive Applications Data Sheet相关产品
2023-10-17 18:44:54
三星电子将在 Galaxy S24 系列中重新推出 Exynos 芯片组——Exynos 2400。例如，据爆料者 Ice Universe 称，欧洲 Galaxy S24 将“100%”由 Exynos 2400 芯片组供电。
2023-10-12 15:57:4598 DC即Direct Current，直流电，电流方向不随时间发生改变；IR Drop中的I指电流，R指电阻，I与R相乘即为电压，IR Drop就是电压降；
2023-09-28 11:34:263177 
发光器件的投影技术是一种创新的固体-制作状态光源以取代投影中的弧光灯系统。通过独特使用光子晶格技术-Gy，平光M芯片组是在提供固态光的所有好处的亮度。
2023-09-22 16:39:450 北桥芯片（North Bridge）和南桥芯片（South Bridge）合称就是主板的芯片组，是支撑整个主板运行的关键，早在586时期的电脑主板就已经采用了这种架构。
2023-09-20 11:37:52620 
高通公司表示，该协议强化了其在5G技术和产品领域持续的领导力。5G公众号（ID：angmobile）了解到高通补充说，其长期财务规划假设“为2026年推出的20%的智能手机提供的芯片组（即届时高通所供应芯片的份额）”。
2023-09-12 16:58:58616 
IR2110使用手册
2023-09-12 09:20:129 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32731 
稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
应用程序: 使用计时器 2 抓取功能获取 IR 数据
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-09-01 07:19:08
ASR6505是一种通用的LoRa无线通信芯片组，集成了LoRa无线电收发器、LoRa调制解调器和一个8位CISC MCUASR6505是基于STM 8位MCU与SX1262 的SiP芯片，相对于
2023-08-30 15:34:19
随着半导体技术的不断发展，电子设备对集成度、性能和功耗的要求越来越高。为了满足这些要求，产业界不断地探索新的封装技术。单芯片封装(SCP)和多芯片组件(MCM)是其中两种最受欢迎的封装解决方案。本文将深入探讨这两种封装技术的特点和应用。
2023-08-24 09:59:04876 
应用程序: 使用计时器 2 抓取功能获取 IR 数据
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-08-23 07:16:43
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49853 
SystemReady IR是一个基于一组硬件和固件的合规性认证计划实现与通用现成操作系统和管理程序的互操作性的标准。
这些标准包括基本系统体系结构（BSA）和基本引导要求（BBR）规格和市场特定
2023-08-02 07:45:46
电子发烧友网站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 16:11:121 供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
”CPU“ 和“芯片组”分立模式，系统瓶颈在两者之间的主板总线， SOC变片外为片内、解决了这- -瓶颈;
2023-07-15 15:23:39536 
ISL91110IR 数据表
2023-07-12 19:46:020 在这里，将展示如何制作基于Arduino的IR接收器，以解码来自TV/DVD遥控器的IR信号。根据与遥控器上特定按钮对应的解码值，我们将对Arduino进行编程以控制多个继电器开关。
2023-07-10 14:20:43715 
ISLA214IR72EV1Z 原理图s and Layers
2023-07-06 20:52:300 ISLA224IR72EV1Z 原理图和层
2023-07-06 20:51:300 ISL91127IR 数据表
2023-06-30 19:40:440 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
基于软件的解决方案，助力尖端蜂窝车联网芯片组自动完成复杂的校准和验证测试 为汽车网络接入设备模块制造商和远程信息处理控制单元制造商提供现成、省时的解决方案 2023年6月19
2023-06-19 15:32:47389 大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-06-16 10:05:18674 
之前做过一个项目，有个模块例化了10次，流片回来测试，有9个正常工作，另外一个工作不起来。这时这个模块的负责人就来找我，问到：IR仿真时这10个模块结果是怎样的？
2023-06-16 10:00:241247 
电子发烧友网站提供《Matrix IR非接触式温度计开源设计.zip》资料免费下载
2023-06-16 09:36:380 什么是IR-drop？其实，IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。
2023-06-16 09:26:262660 
芯片就是集成电路，采用先进技术将大量的晶体管等电路中的元器件集成堆叠在一块很小的半导体晶圆上，从而缩减体积，并且能够完成大量计算，由此可见，芯片的技术决定了电子产品的性能。以前的电子产品内部存在着
2023-06-08 15:59:062311 当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
MOSFET的种类有哪些 1. Enhancement MOSFET（增强型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗尽型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 最近在研究一个无人机电池管理系统，RDDRONE-BMS772。文档中关于电池平衡的内容不清楚——芯片组是内置 FET 还是只是驱动器？
2023-06-01 07:23:40
ASR6505是基于STM 8位MCU的无线通信芯片组
ASR6505是一种通用的LoRa无线通信芯片组，集成了LoRa无线电收发器、LoRa调制解调器和一个8位CISC MCU
ASR6505
2023-05-31 10:04:08
我正在寻找帮助设置第二个 spi 闪存芯片的链接。
这第二个芯片将在其他 spi 端口之一上。
第二个芯片不会与引导存储器芯片并联。
2023-05-30 07:50:13
Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Marki Microwave 的 IR-0255 是一款射频混频器，射频频率为 2 至 5.5 GHz，本振频率为 2 至 5.5 GHz，中频
2023-05-26 16:01:29
23日，由全景网主办、南开大学参与推出的“全景投资者关系金奖”2022年度全国性评选正式揭晓，敏芯股份IR团队凭借优异表现荣获投资者关系金奖• 杰出IR团队奖项。
2023-05-25 11:00:18476 Marki Microwave 的 IR-0618 是一款射频混频器，射频频率为 6 至 18 GHz，本振频率为 6 至 18 GHz，中频频率为
2023-05-24 16:48:07
Marki Microwave 的 IR-1545 是一款射频混频器，射频频率为 1.5 至 4.5 GHz，本振频率为 1.5 至 4.5 GHz
2023-05-24 16:38:14
Marki Microwave 的 IR-4509 是一款射频混频器，射频频率为 4.5 至 9 GHz，本振频率为 4.5 至 9 GHz，中频频率为 70
2023-05-24 15:38:34
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
Semtech针对5G移动设备开发的PerSe Connect SX9376芯片组，极大地改善了个人连接设备的5G连接性能，并维持其合规性
2023-05-15 17:49:351083 大家好，我正在做一个基于物联网的项目，想使用 ESP8266。我希望在没有 devkit 的情况下单独使用芯片组，并且想知道是否有任何资源或任何关于如何设置它的信息。具体来说，我想知道独立运行
2023-05-15 08:38:27
如果我们使用 Yocto Linux 发行版，i.MX28 (MCIMX287CVM4C) 芯片组是否有足够的空间来支持 OTA 内核升级？
2023-05-09 06:50:41
推荐一款双功率桥电机驱动芯片，带有精确的电流监控，电流控制和电流限制彻底解决传统功率桥芯片电流控制复杂的问题。提高控制感性线圈负载的电流精度。内置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码：全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
ISL8120IR 数据表
2023-04-27 19:45:100 沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55:023035 
大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析（模块级别的IR分析不需要考虑封装），一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-04-21 09:31:091573 MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
是否是公版设计，就看你对芯片组的掌握程度了。 (二) 布局要点2 工控机主板上接口元件的位置一般是固定的，不能随意改动。与PICMG等扩展槽和键盘、鼠标、USB等接口类似，它们必须与机箱上的孔配合才能保持
2023-04-06 14:18:23
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987 
之前做过一个项目，有个模块例化了10次，流片回来测试，有9个正常工作，另外一个工作不起来。这时这个模块的负责人就来找我，问到：IR仿真时这10个模块结果是怎样的？测试有问题那个是IR最差的那个
2023-04-03 09:56:581795 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片内部使用的 MOSFET 的 IV 特性，该 MOSFET 开关用于数据输出链中的反向散射。有人可以提供这些数据吗？非常感谢~
2023-03-31 07:53:20
ISL91110IR 数据表
2023-03-29 19:38:570 LTC4292芯片组是一款 4 端口供电设备 (PSE) 控制器，适合在符合 IEEE 802.3bt 3 类和 4 类标准的以太网供电 (PoE) 系统中使用。LTC4292/LTC4291 适合
2023-03-29 15:18:01
LTC9101-2 芯片组是一款 12/24 端口电源设备 (PSE) 控制器，适合在符合 IEEE 802.3bt 3 类和 4 类标准的以太网供电 (PoE) 系统中使用。LTC9101-2
2023-03-29 14:59:30
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35930 
IR21814类似的驱动芯片直接驱动MOS管，该电路具有驱动简单，成本低，PCB占用面积小等优点，在我司产品中得到广泛的应用。但是，所采用的LLC谐振拓扑来说，驱动频率在195K~360K之间变化
2023-03-28 11:42:481746 
我想为 i.MX8M SoC 上的 IW416 芯片组制作蓝牙驱动程序。 我阅读了 NXP 文档（11.1 蓝牙无线技术和 Wi-Fi 的连接）和知识库， 然后 我现在可以使用蓝牙功能了。但是，我
2023-03-28 07:02:35
电路板的设计，学习arduino的简单编程； 03. 学习软硬件编程的技术，实现上位机软件与硬件数据交互； 二。 芯片IR2104原理 三。 模拟信号仿真（Multisim） 01.本设计关键点在
2023-03-27 14:57:37
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