碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管(SiC Diode)、碳化硅晶体管(SiC Transistor)等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性,可以在更高的温度和电压下工作,实现更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125 随着全球能源危机和环境问题的日益突出,高效、环保、节能的电力电子技术成为了当今研究的热点。在这一领域,碳化硅(SiC)功率器件凭借其出色的物理性能和电学特性,正在逐步取代传统的硅基功率器件,引领着电力电子技术的发展方向。本文将详细介绍碳化硅功率器件的特点、优势、应用以及面临的挑战和未来的发展趋势。
2024-02-22 09:19:21170 ,高耐压,高可靠性。可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管。它的工
2024-02-21 18:24:15408 平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31336 随着能源危机和环境污染日益加剧,电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体材料的代表,具有高温、高速、高效、高可靠性等优点,被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域以及未来发展趋势。
2024-02-21 09:27:13209 Qorvo最近发布了一款新的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品,这款产品专为电动汽车(EV)而设计,符合车规标准。
2024-02-01 10:22:29163 碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件因其宽禁带、耐高压、高温、低导通电阻和快速开关等优点备受瞩目。然而,如何充分发挥碳化硅器件的性能却给封装技术带来了新的挑战。传统封装技术在应对
2024-01-26 16:21:39218 晶片切割是半导体器件制造的关键步骤,切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本,同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料,在电子领域中具有重要地位。高质量碳化硅晶体
2024-01-23 09:42:20693 %。 成本占比较高的原因,主要是碳化硅单晶材料的制备难度较大。硅由于存在液体形态,所以可以通过垂直拉伸来形成晶棒,但碳化硅本身属于化合物,无法直接熔融结晶成为晶体。换个说法就是碳化硅在常压下没有液体形态,只有气态和固态,达到
2024-01-21 07:48:001670 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能,使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。本文将对碳化硅功率器件的技术、应用和市场前景进行深入探讨。
2024-01-17 09:44:56159 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14291 碳化硅逆变器是一种基于碳化硅(SiC)半导体材料的功率电子设备,主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比,碳化硅逆变器具有许多优越性能,如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度
2024-01-10 13:55:54272 SiC是碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称,是一种用途广泛的材料。
2024-01-09 09:41:31195 碳化硅二极管和碳化硅晶体管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。
2024-01-09 09:26:49379 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 传统的硅基功率器件在应对这一挑战时,其性能已经接近极限。碳化硅(SiC)功率器件的出现,为电力电子行业带来了革新性的改变,成为了解决这一问题的关键所在。
2024-01-06 11:06:57130 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖特基二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极性晶体管)等,主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56305 碳化硅三极管的阻值测试方法 碳化硅是一种新型的半导体材料,具有优异的热稳定性、高电场饱和漂移速度和较小的漏电流等特点,在高功率和高温应用中具有广泛的应用前景。碳化硅三极管是基于碳化硅材料制造的一种
2023-12-21 11:27:20318 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势,主要体现在以下几个方面:材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09285 碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性: 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03356 随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高导热率和高电子饱和迁移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点。本文将介绍碳化硅功率器件的基本原理、应用领域以及发展前景。
2023-12-21 09:43:38353 碳化硅在温度传感器中的应用 碳化硅 (SiC) 是一种广泛应用于温度传感器中的材料。由于其出色的耐高温和抗腐蚀能力,碳化硅成为了各种工业和高温环境下的温度测量领域中的首选材料。在本文中,我们将讨论
2023-12-19 11:48:30206 碳化硅(SiC)是一种具有优异物理特性的半导体材料,其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。
2023-12-19 09:27:19300 随着科技的快速发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20358 碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工,需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆,这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现,高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础,外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53605 随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46240 CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比,CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33455 第三代半导体碳化硅材料生产及研究开发企业作为中国电科集团的“12大创新平台之一,山西烁科晶体有限公司聚焦碳化硅单晶衬底领域,已成为国内实现碳化硅衬底材料供应链自主创新的供应商之一。
2023-12-11 10:46:37463 碳化硅和igbt的区别 碳化硅(SiC)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用,但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅
2023-12-08 11:35:531782 碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种常见的宽禁带半导体材料,在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料,但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51739 碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23437 目前,全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测,未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计,2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元,该数据包括多家上市公司,如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:37603 单晶生长,以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体;2)衬底环节,碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片,也即半导体衬底材料;
2023-12-05 15:26:53555 碳化硅器件在UPS中的应用研究
2023-11-29 16:39:00239 碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26321 本推文主要介碳化硅器件,想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:06641 前段时间,奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron(,最近,奥迪又有1款碳化硅车型公布,同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423 目前汽车业仍结构性缺芯,比如,电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月,去年有许多碳化硅项目的投资,要2025年才会释放产能,预计2025年碳化硅功率半导体的紧缺状况才会得到缓解。
2023-11-17 17:12:18664 碳化硅(SiC)技术比传统硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他技术更具优势,包括更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量以及更低的损耗,从而提高功率密度、可靠性和效率。本文将介绍碳化硅的发展趋势及其在储能系统(ESS)中的应用,以及Wolfspeed推出的碳化硅电源解决方案。
2023-11-17 10:10:29389 硅是半导体的传统材料,但其近亲碳化硅(SiC)最近已成为激烈的竞争对手。碳化硅的特性特别适合高温、高压应用。它提供了更高的效率,并扩展了功率密度和工作温度等领域的功能。
2023-11-10 09:36:59481 中游器件制造环节,不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发,以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。
2023-10-27 12:45:361170 在碳化硅产业链中,碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节,是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:57927 SiC 技术的先驱引领系统效率,高度关注可靠性和耐用性。近 20 年来, GeneSiC 开创了高性能, 坚固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽车、工业和国防应用的功率器件.作为首批碳化硅器件
2023-10-25 16:32:01603 业内人士预测,今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面,碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展,多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21965 MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02268 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半导体,用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 碳化硅材料的半导体,虽然随着技术的发展,目前碳化硅的成本已经下降了不少,但按市场性价比来看,同类型的硅材料与碳化硅半导体器件的价格相差十倍以上。碳化硅单晶可用于制造晶体管(二极管和晶体管)。由于
2023-10-09 17:00:45275 碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件,具有高温、高频、高效等优点,被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571219 碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管,与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。
2023-09-27 14:49:05812 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。
2023-09-27 10:08:55300 碳化硅(SiC)MOS管作为一种新型功率器件,与传统的硅基功率器件相比,在某些特定条件下具有独特的优势,但也存在一定的不足。KeepTops告诉你碳化硅MOS管的优点和缺点。
2023-09-26 16:59:07474 SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 功率器件的功能是对电能进行处理、转换和控制。硅基功率器件相比,采用碳化硅衬底制作的功率器件具有耐高压、耐高温、能量损耗小、功率密度高等优点,可实现功率模块的小型化和轻量化。与相同规格
2023-09-25 17:31:33233 碳化硅晶圆是晶体通过切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此,生产碳化硅晶圆的成本是同等级硅晶圆成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43162 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一,其能使系统效率更高,质量更轻,结构更紧凑。如今,碳化硅技术已经进入以空调为代表的家电应用场景来助力产品升级。那么,碳化硅是如何成就家电产品的?其应用于家电行业的前景如何呢?
2023-09-18 10:20:12270 与传统的硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他技术相比,碳化硅(SiC)技术具有更多优势
2023-09-12 09:45:57259 随着新能源汽车市场的爆发,电动汽车已经成为碳化硅最大的下游应用市场,行业普遍预估,2027年车用碳化硅功率器件市场规模能达到60亿美元。
2023-09-11 11:52:50186 碳化硅(SiC),通常被称为金刚砂,是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在,但其出现相对罕见。然而,自从1893年以来,粉状碳化硅就已大规模生产,用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史,主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02879 本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。
2023-09-08 11:30:451805 随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多,常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件,单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22285 栅双极晶体管)和碳化硅器件所使用的半导体材料不同。IGBT主要使用的是硅材料,而碳化硅使用的则是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半导体材料,具有一定的电性能和可靠性,但是它的热稳定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的热稳定性非常好,具有更高的耐温性能,能够承受更高的工作温度和电压。
2023-08-25 14:50:049027 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221041 当前,全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势,碳化硅材料七成以上来自美国公司,欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链,日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
2023-08-15 10:07:41260 碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料,已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力,封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。
2023-08-03 14:34:59347 碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用主要有以下几个方面
2023-07-30 15:50:14969 碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展,一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求,
2023-07-10 10:49:09712 长达 10 年的供应协议要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞萨电子供应规模化生产的 150mm 碳化硅裸晶圆和外延片,这将强化公司致力于从硅向碳化硅半导体功率器件产业转型的愿景。
2023-07-06 10:36:37276 碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092317 三安光电近日宣布,将与国际功率半导体巨头意法半导体合资一家8英寸碳化硅器件工厂。
2023-06-11 14:31:0385 碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一种非金属陶瓷材料,具有高温、耐腐蚀、抗氧化、热稳定性好等优良性能。它由碳素和硅素两种元素组成,碳化硅由结构单元SiC构成,每个SiC结构单元都由一个硅原子
2023-06-05 12:48:351971 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性,因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域,如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 关注,随着市场对电动汽车长续航、高压电气架构、快充等需求,碳化硅正在电动汽车上加速普及。 近几年可以看到国内多家厂商,包括整车厂、功率器件厂商等都在陆续推出车规级碳化硅功率模块产品,同时也有国内厂商推出车
2023-05-29 18:09:521941 SiC,也称为碳化硅,是硅和碳化物在晶体结构中的组合,大约有250种不同的晶体形式可以找到SiC。碳化硅可以采取许多不同的形式:单个SiC晶粒可以烧结在一起形成坚固的陶瓷;SiC纤维可以添加到聚合物
2023-05-24 11:20:481543 碳化硅 (SiC) 是一种成熟的器件技术,在 900 V 至 1,200 V 以上的高压、高开关频率应用中,与硅 (Si) 技术(包括硅超结 (SJ) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) )相比具有
2023-05-24 09:27:40610 首先,让我们简要介绍一下碳化硅到底是什么,以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物质。事实上,碳化物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途,以至于今天,我们合成了用于碳化硅功率产品的硬质合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽
2023-05-10 09:43:241338 碳化硅衬底 产业链核心材料,制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:483426 碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用主要有以下几个方面。
2023-04-27 14:05:52635 按照电学性能的不同,碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件,两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372436 3.14亿美元,2019—2025年复合增长率为17%。同时,光伏组件功率密度的持续提升,也对碳化硅器件性能提出了更高的要求。 要抓住光伏带来的市场机遇,碳化硅厂商还需要在产品综合性能、制备良率、供应链协作等多个维度发力。 碳化硅高度契合光
2023-04-20 07:15:07582 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq:DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 社会的重要元器件。碳化硅被广泛视为下一代功率器件的材料,因为碳化硅相较于硅材料可进一步提高电压并降低损耗。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器,但其具有极为广泛的应用前景,包括车辆电气化和工业设备
2023-04-11 15:29:18
来源:碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201219 在半导体材料领域,碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中,碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性,其耐高频耐高温的性能,是同等硅器件耐压的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 介绍了SIC碳化硅材料的特性,包括材料结构,晶体制备,晶体生长,器件制造工艺细节等等。。。欢迎大家一起学习
2023-03-31 15:01:4817 全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节,已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:041284
评论
查看更多