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电子发烧友网>新品快讯>IR推出坚固的新型平面MOSFET系列

IR推出坚固的新型平面MOSFET系列

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2023-05-29 10:35:11372

敏芯股份IR团队荣获投资者关系金奖• 杰出IR团队奖项

23日,由全景网主办、南开大学参与推出的“全景投资者关系金奖”2022年度全国性评选正式揭晓,敏芯股份IR团队凭借优异表现荣获投资者关系金奖• 杰出IR团队奖项。
2023-05-25 11:00:18476

SID-IR系列紧凑型红外皮秒光纤激光器

SID-IR系列紧凑型红外皮秒光纤激光器SID-IR系列紧凑型红外皮秒光纤激光器集成了创新的电子脉冲产生系统,可提供10皮秒脉冲。重复频率从单发到2 GHz连续可调,并且可选多种波长。SID系统完全
2023-05-24 09:28:59

资料下载 | 低导通电阻 Nch 功率MOSFET(铜夹片型)产品参考资料

近日罗姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET产品(40V/60V/80V/100V/150V),备受各个厂家的青睐。本文将为各位工程师呈现该系列
2023-05-17 13:35:02471

麦德美爱法推出新型耐用烧结技术

麦德美爱法是全球最大的电子线路、电子组装和半导体封装解决方案供应商之一,为电子制造商客户提供上述的解决方案。麦德美爱法推出两种新型耐用的烧结技术,进一步丰富了ALPHA®Argomax®系列。这些新技术帮助制造商开发出更小、更轻、更可靠的系统,增强竞争优势。
2023-05-15 17:18:24665

如何使用ESP-01驱动MOSFET

我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 - 代码:全选#include #define MOSFET 2 #define
2023-05-04 08:52:27

ISL8120IR 数据表

ISL8120IR 数据表
2023-04-27 19:45:100

SiC MOSFET:是平面栅还是沟槽栅?

沟槽栅结构是一种改进的技术,指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小,与平面栅相比,沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55:023035

MOSFET的动态性能相关参数

本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇,主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759

L-com诺通推出系列新型USB 3.0焊接型连接器和护套

现场维护USB线缆时,需要一些能够自定义安装的配件。为了进一步提升客户的使用体验,L-com诺通推出了一系列新型USB 3.0焊接型连接器和护套。
2023-04-23 12:27:29230

IR Drop与封装分析

大部分从事后端设计的同行应该没有接触过带封装的IR Drop分析(模块级别的IR分析不需要考虑封装),一般只有PA工程师、后端项目经理、封装同事等才会接触这一部分内容。
2023-04-21 09:31:091573

求分享MOSFET Spice模型资料

MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18

KUU推出SOT-723封装MOSFET

KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET,特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET,这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987

沟槽结构SiC MOSFET常见的类型

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329

ISL91110IR 数据表

ISL91110IR 数据表
2023-03-29 19:38:570

ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案

ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35930

L-com诺通推出新型USB 3.0直角型高柔拖链级线缆

紧凑空间中USB的连接,更需要线缆和接口具备特殊优势。为了进一步提升客户的USB连接体验,L-com诺通推出了一系列新型USB 3.0直角型高柔拖链级线缆。
2023-03-28 14:37:47297

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