三菱电机上市漏极效率达70%的MOSFET新品RD01MUS2B

　　三菱电机将上市输出功率为1W的7.2V MOSFET新产品“RD01MUS2B”，适用于商用无线传呼机及特定小功率无线传呼机用功率放大器。新产品将于2011年12月1日开始样品供货。样品价格为60日元。量产规模预定为20万个/月。

        输出功率(标准)由原产品的1.4W(520MHz工作时)提高到了1.6W(527MHz工作时)。由此，输出功率与此前产品相比有了较大保证，据称因而能够设计有裕度的无线设备。

　　以电池驱动的无线设备，较为重视长期使用性，因此希望功率放大器MOSFET能提高工作效率、降低耗电量。新产品的漏极效率为70%，待机电流为40mA。与该公司的原产品“RD01MUS2”相比，漏极效率能提高5个百分点，待机电流能削减60%。

　　另外，通过改变内部构造，将漏极-源极间的浪涌耐量提高到了原产品的2倍。另外，在栅极-源极间还内置有浪涌保护二极管等，强化了浪涌防护措施。