电子发烧友网报道（文/李宁远）提及芯片制造技术，首先想到的自然是光刻机和光刻技术。众所周知在芯片行业，光刻是芯片制造过程中最重要、最繁琐、最具挑战也最昂贵的一项工艺步骤。在光刻机的支持下，摩尔定律
2023-07-16 01:50:15
3007 
光刻机经历了5代产品发展，每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次从接触接近式光刻机发展到浸没步进式投影光刻机和极紫外式光刻机。
2024-03-21 11:31:4135 
制造集成电路的大多数工艺区域要求100级（空气中每立方米内直径大于等于0.5μm的尘埃粒子总数不超过约3500）洁净室，在光刻区域，洁净室要求10级或更高。
2024-03-20 12:36:0054 
JW7109是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关，且支持较快的上升斜率，以满足快速时序的要求。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 每个
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可编程导通上升时间的低25毫欧电阻单通道负载开关。它包含n沟道MOSFET，可以提供6A的最大连续电流。JW7106可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 在
2024-03-18 14:30:27
CH32X035介绍：
CH32X035系列是基于青稞RISC-V内核的Type-C接口特色MCU，提供PDUSB接口，单芯片集成USB控制器与PD控制器，内置USB PHY和PD PHY，支持
2024-03-18 11:04:33
CH32X035介绍：
CH32X035系列是基于青稞RISC-V内核的Type-C接口特色MCU，提供PDUSB接口，单芯片集成USB控制器与PD控制器，内置USB PHY和PD PHY，支持
2024-03-18 11:00:45
沁恒CH32X035支持USB通讯+PD电源双功能，集成PIOC、I2C、多组运放/比较器/定时器等丰富片上资源，助您推开Type-C的大门，开启PDUSB特色应用创意之旅。
不知道他是否能支持RTT操作系统。
2024-03-18 10:59:20
如何区别普通电阻和保险电阻？如何检验保险电阻好坏？ 普通电阻和保险电阻是两种不同的电子元件，下面将详细介绍如何区分普通电阻和保险电阻，并说明如何检验保险电阻的好坏。 1. 普通电阻和保险电阻的定义
2024-03-05 15:48:06201 碳膜电阻器是将炭在真空高温条件下分解的结晶炭蒸镀沉积在陶瓷骨架上制成的,。这种电阻器的电压稳定性好，造价低，在普通电子产品中应用非常广泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌电阻和普通电阻的区别 抗浪涌电阻和普通电阻虽然都属于电阻器件，但在功能、结构和特性方面有很大的区别。本文将详尽、详实、细致地从多个方面对这两种电阻进行比较分析。 1. 功能区别: 抗浪涌电阻
2024-01-18 16:16:58559 本帖最后由 1653149838.791300 于 2024-1-13 23:58 编辑
前阵子得了一块CH32X035开发板，这款开发板是基于青稞 RISC-V 内核设计的工业级微控制器
2024-01-13 23:55:30
电阻是一种基本的电子元件，用于限制电流的流动。它的工艺和结构对于其性能和可靠性至关重要。本文将介绍电阻的工艺和结构。 一、电阻的工艺 电阻的工艺种类繁多，可以根据阻值是否可以变化，分成两大类：固定
2024-01-10 17:08:38182 
输入100-240vac，输出给700v/10000UF电解充电，充电时间1.5s，瞬间功率比较大，请问一下LT3751能否做到，或者有其他合适方案
2024-01-05 07:26:24
使用LTC4013充电，输入24V，5A充电，没有使用MPPT功能，输出接12V铅蓄电池。
目前现象是可以产生5A电流充电，但Vinfet比Vdcin小，导致MOS管没有进行低阻抗导通，比较热，请问有关INFET管脚正常工作的设置条件（电路按照应用电路设计）
2024-01-05 07:24:28
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 FIB失效分析缺陷观察ictest1 一、FAB工艺流程入门 •1. 这里的FAB指的是从事晶圆制造的工厂。半导体和泛半导体通常使用"FAB"这个词，它和其他电子制造的“工厂”同义。在平时沟通的语境
2023-12-26 17:49:56596 UMS的CHA3656-FAB是种两级自偏置电压宽带单片低噪声放大器。CHA3656-FAB专门用来毫米波通信，也是非常适合普遍使用，如C、x、Ku雷达探测、测试设备和高分辨率
2023-12-26 15:41:53
常州2023年12月21日 /美通社/ -- 12月11日，阿特斯、东方日升、TCL中环、天合光能、通威股份、正泰新能发布《关于推动700W+光伏组件标准设计和应用的联合倡议》，约定700
2023-12-22 05:56:29407 LED驱动芯片在照明领域发挥着越来越重要的作用，而针对户外LED照明应用的高可靠解决方案也备受关注。SM2255PHG作为一款700V高可靠LED驱动芯片，具有多项亮点，极大地满足了户外LED照明的需求。
2023-12-20 15:51:27300 
用万用表如何检测普通电阻器？ 万用表是一种多功能测量工具，用于测量电流、电压和电阻。它可以用于检测各种类型的电阻器，包括普通电阻器。在本文中，我们将介绍如何使用万用表来检测普通电阻器的详细步骤
2023-12-20 10:46:24669 光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0.25，k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
惠斯通电桥测电阻的基本原理和方法 惠斯通电桥是一种常用的电阻测量工具，广泛应用于实验室和工业控制领域。本文将详细介绍惠斯通电桥的基本原理和方法，并说明其测量电阻的优势和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392756 光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:241334 
11月23日，中国RISC-V软硬件生态领导者赛昉科技正式发布自主研发的片上一致性互联IP——昉·星链-700（StarLink-700），并推出基于StarLink-700和昉·天枢-90
2023-11-29 13:37:35
[半导体前端工艺：第三篇] 光刻——半导体电路的绘制
2023-11-29 11:25:52242 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
2023-11-23 18:13:02579 
模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成无源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工艺，进一步增强其在射频领域的广泛实力。
2023-11-21 17:03:00385 x-fab推出了最新版本的产品，扩大了spad产品的选择范围，提高了解决近红外线功能重要的新应用领域的能力。这些新应用包括飞行时间感知、车辆lidar影像、生物光学和flim研究工作以及医疗领域的各种相关活动。
2023-11-21 10:47:26543 。与2021年推出的上一代SPAD一样，这款近红外SPAD也基于X-FAB的180 nm XH018工艺。通过在制造工艺中增加额外的步骤显著增强了信号，同时仍然保持相同的低本底噪声，且不会对暗计数率、寄生脉冲
2023-11-20 09:11:53398 的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 X-FAB Silicon Foundries SE正在以进一步实质性的方式推进其电流隔离技术。X-FAB在2018年推出的突破性工艺的基础上，该工艺专为弹性分立电容或电感耦合器而设计，现在可用
2023-11-07 16:02:34305 PFC开关管来自纳微，型号NV6136C，这是一颗高集成的氮化镓功率芯片，内置驱动器以及高精度无损耗电流采样电路，消除取样电阻的损耗。NV6136C内置170mΩ导通电阻，耐压700V的氮化镓开关管，支持2MHz开关频率，采用6*8mm QFN封装，节省面积。
2023-10-31 16:01:39856 
精密电阻和普通电阻的区别 普通电阻能否代替精密电阻？ 电阻是电子工程中一个常见的元件，它被用来控制电流和电压。精密电阻和普通电阻是电阻中的两个主要类别，它们之间的区别在于精度和稳定性。本文将详细介绍
2023-10-29 11:21:55933 光刻是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的性能。光刻占芯片制造时间的40%-50%，占其总成本的30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。
2023-10-26 15:10:24359 
稳压，不是本帖的讨论范围，我要探究的，是普通电阻与非线性电阻 对运放状态的影响。
2023-10-10 23:32:52
光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工艺，将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2023-10-09 14:34:491671 
近日，天合光能至尊N型700W系列组件出货宁夏东能源化工基地梅花井矿区，这是继沙特45.5MW海水淡化电站项目、青海高海拔560MW兴海县大基地项目后，又一至尊N型700W系列组件的项目应用。早前
2023-10-07 17:16:29705 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
导通电阻测试就是用来检测导线或连线情况是否正常的一种方法，是指两个导体间在一定电压下通过的电流所引起的电压降之比，通俗的说就是导线通电后的电阻值。芯片引脚导通性测试是一个必要的步骤，用于验证和检测芯片引脚之间的连接是否正确，以确保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341152 
DMT15H035SCT 产品简介DIODES 的 DMT15H035SCT 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
2023-09-18 13:56:54
薄膜电阻和厚膜电阻的区别1.结构:-薄膜电阻:薄膜电阻是通过在绝缘基板上沉积金属或合金薄膜形成的。常用的薄膜材料有铂、镍铬合金等。薄膜通常具有光滑且均匀的厚度，形成电阻元件的形状和尺寸是通过光刻
2023-09-15 11:07:402114 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
一、关于CH32X035介绍CH32X035内置USB和PD PHY，20KB RAM，62KB FLASH，支持USB Host主机和USB Device设备功能、USB PD及Type-C快充
2023-09-11 16:20:44
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
文章来源：cnblogs
一、关于CH32X035介绍
CH32X035内置USB和PD PHY，20KB RAM，62KB FLASH，支持USB Host主机和USB Device设备功能
2023-09-02 14:45:14
射频电阻和普通电阻区别 随着科技的不断进步和应用范围的扩大，射频技术在越来越多领域被广泛使用。在射频电路中使用的电阻，被称为射频电阻，而普通电路中使用的电阻，被称为普通电阻。射频电阻和普通电阻之间
2023-09-02 10:25:431207 节点、网关和嵌入式应用程序构建安全的SoC。有关组件版本，请参阅ARM®Corstone™-700发行说明。
2023-08-30 07:37:11
近日，在至尊N型700W+组件量产暨2024年组件升级发布会上，天合光能宣布，至尊N型700W+组件提前实现量产，成为行业首个实现TOPCon组件量产功率突破700W+的组件制造商。这将进一步提高
2023-08-24 10:53:36599 半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531573 
CoreSight组件提供以下系统范围跟踪功能：
·整个系统的调试和跟踪可见性·SoC子系统之间的交叉触发支持·单一流中的多源跟踪·比以前的解决方案更高的数据压缩·标准工具的标准程序员模型支持·第三方核心的开放接口·低引脚数·低硅开销
2023-08-18 07:11:14
CHX2193 -FAB是一款 6.25-8.25GHz 倍频器，专为从军事到商业通信系统的广泛应用而设计。它采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。该电路采用 pHEMT 工艺
2023-08-10 11:16:26
CHT3091 -FAB是一款可变 DC-14GHz 衰减器，设计用于从军事到商业通信系统的广泛应用。它采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。该电路采用 MESFET 工艺
2023-08-10 09:34:11
CHA5266 -FAB是一款三级单片 GaAs 中等功率放大器，采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。它设计用于广泛的应用，从军事到商业通信系统。该电路采用 pHEMT
2023-08-09 17:52:51
CHA2069 -FAB是一款三级自偏置宽带单片低噪声放大器。该电路采用标准 pHEMT 工艺制造：0.25μm 栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻。它采用无引线表面贴装密封
2023-08-09 17:07:52
CHA3666 -FAB是一款两级自偏置宽带单片低噪声放大器。该电路采用标准 pHEMT 工艺制造：0.25μm 栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻。它采用无引线表面贴装密封
2023-08-09 16:56:23
CHA3656-FAB 是一款两级自偏置宽带单片低噪声放大器。它专用于空间通信，也非常适合广泛的应用，例如 C、X、Ku 雷达、测试仪器和高可靠性应用。该电路采用 pHEMT 工艺、0.25μm
2023-08-09 16:52:10
pHEMT 工艺、0.25μm 栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术制造。它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。 &nb
2023-08-09 16:47:59
CH32X035系列是基于青稞RISC-V4C内核设计的工业级Type-C接口特色微控制器，提供62K FLASH程序空间，支持48MHz系统主频，支持3.3V和5V供电，具有双路OPA或PGA运放
2023-08-09 11:19:00
和外围设备扩展的SoC需要超出最低子系统组件的额外内存和外围组件。例如，闪存没有SSE-700，但可以通过实现的接口添加。
传感器和执行器参考设计可以通过添加传感器或执行器逻辑来扩展，例如温度输入或电机控制
2023-08-02 07:46:43
、甚至断裂等现象，导致接地引下线与主接地网连接点电阻增大，从而不能满足电力规程的要求，使设备在运行中存在不安全隐患，严重时会造成设备失地运行。因此在《防止电力生产
2023-08-01 10:41:40
BCR8PM-14LE 数据表 (700V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:53:41
0 在之前的文章里，我们介绍了晶圆制造、氧化过程和集成电路的部分发展史。现在，让我们继续了解光刻工艺，通过该过程将电子电路图形转移到晶圆上。光刻过程与使用胶片相机拍照非常相似。但是具体是怎么实现的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
。CBG9092集成了一个关闭偏置功能，允许TDD应用程序的操作。该设备使用高性能E-pHEMT工艺进行内部匹配，只需要从单正电源接入的5个外部组件：外部射频扼流圈和阻塞/支路电容和偏置电阻。CBG9092
2023-06-25 11:11:44
供应pn6001线性ic内置700V智能MOS离线式无电感稳压器芯片，提供pn6001资料关键参数 ，广泛应用于小家电电源、仪表显示供电电源等领域，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-21 10:53:48
KP3667X 是集成 700V 高压 MOS 的 SSR 功率开关管系列产品，包含 KP36673、KP36674 和 KP36675。它内置 700V 高压启动 JFET，可以省去启动电阻，降低
2023-06-20 10:39:03457 
来源：X-FAB PhotonixFab将为光电子产品的创新及商业化打通路径，实现高产能制造 中国北京，2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:25453 
电子发烧友网站提供《使用现有组件实现任何电阻/电容.zip》资料免费下载
2023-06-16 15:46:360 供应700v超级结mos管SSF70R450S2，提供SSF70R450S2 mos管关键参数，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 13:54:181 光刻机可分为前道光刻机和后道光刻机。光刻机既可以用在前道工艺，也可以用在后道工艺，前道光刻机用于芯片的制造，曝光工艺极其复杂，后道光刻机主要用于封装测试，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。
2023-06-09 10:49:205857 
至于X-FAB，其计划扩大在美国德克萨斯州拉伯克市（Lubbock）的代工厂业务。报道称，该公司已在拉伯克运营20多年，将在未来5年内进行重大投资，其中第一阶段的投资额为2亿美元，以提高该厂区的碳化硅半导体产量。
2023-05-24 11:12:55554 列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
BCR8PM-14LE 数据表 (700V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:00:420 新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
，
逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑
输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可
用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作电压可达 700V。高速风筒专用电机驱动芯片采用
SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作
2023-05-10 10:05:20
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
光刻技术简单来讲，就是将掩膜版图形曝光至硅片的过程，是大规模集成电路的基础。目前市场上主流技术是193nm沉浸式光刻技术，CPU所谓30nm工艺或者22nm工艺指的就是采用该技术获得的电路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
硅二极管的死区电压和导通电压分别为多少？反向饱和电流为多少数量级？
2023-03-31 11:45:58
TRIAC 700V 8A TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:25
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 18:51:42
TRIAC 700V 40A TOP3
2023-03-29 18:51:34
TRIAC SENS GATE 700V 4A IPAK
2023-03-29 18:50:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 18:48:55
TRIAC SENS GATE 700V 4A DPAK
2023-03-29 18:46:13
TRIAC ALTERNISTOR 700V 4A DPAK
2023-03-29 18:46:13
TRIAC 700V 25A TOP3
2023-03-29 18:46:08
TRIAC 700V 8A TO220AB
2023-03-29 18:45:48
SCR 4A 700V TO-220AB
2023-03-29 18:40:11
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