芯片。技术开始变得民主化、大众化，世界从此变得不一样了。
半导体的第三个时代——代工
从本质上来看，第三个时代是第二个时代成熟的必然结果。集成电路设计和制造的所有步骤都开始变得相当具有挑战性。建立起
2024-03-13 16:52:37
近日，全球知名的半导体解决方案供应商意法半导体（STMicroelectronics）宣布推出两款全新的近距离无线点对点收发器芯片——ST60A3H0和ST60A3H1。这两款产品的推出，标志着电子
2024-03-12 11:00:10
215 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
描述Qorvo的TGA2595是一款平衡Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15 um GaN on SiC工艺制造。平衡配置支持低回波损耗，并提高了对非理想负载的鲁棒性。工作频率范围为27.5
2024-03-06 15:52:16
描述Qorvo的TGA2594是一款Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺制造。工作频率范围为27至31GHz，可实现5W饱和输出功率和28% PAE效率，以及
2024-03-06 15:49:24
描述Qorvo的TGA2565-SM是一款中等功率可变增益放大器，可用作线性Ka频段应用中的驱动放大器。TGA2565-SM的工作频率为11至17 GHz，采用Qorvo的pHEMT生产工艺
2024-03-06 15:40:34
描述Qorvo的TGA2535-SM是一款X波段封装功率放大器。TGA2535-SM的工作频率为10至12 GHz，采用Qorvo的power pHEMT生产工艺设计。TGA2535-SM通常在20
2024-03-06 15:38:23
—— 芯片百科 ——描述Qorvo的TGA2527-SM是一款Ku波段封装功率放大器。TGA2527-SM的工作频率为12.5至15.5 GHz，采用Qorvo的power pHEMT生产工艺
2024-03-06 15:35:13
，GaN-on-SiC具有更加优异的性能；砷化镓或硅基氮化镓；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。CMPA1D1E025 选用 10 导线；25 mm x 9.9 mm；金属/陶瓷
2024-02-27 14:09:50
芯片是指将集成电路（Integrated Circuit，简称IC）技术用于制作电子元器件的一种载体，它通常由一块或多块半导体薄片构成。芯片是现代电子技术的基础，被广泛应用于计算机、通信、家电、汽车
2024-01-30 09:54:21531 新声半导体是一家专业从事通信领域半导体滤波器芯片和射频模组产品研发生产制造的高科技公司，产品主要应用于无线通讯终端市场。
2024-01-23 13:58:01272 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
，改善光信号传输性能。 SOA的增益特性取决于其结构设计、工作模式和半导体材料等因素。根据工作波长、增益带宽和增益特性的不同，SOA可以分为多个增益波段。下面将详细介绍SOA的几个常见增益波段。 C波段增益波段：C波段覆盖了1530nm到1570nm的范围，适用于光通信中常用的C波段
2024-01-17 11:07:06232 今天，我们荣幸地为您推荐TriQuint的TGA2595平衡Ka波段功率放大器，一款专为苛刻应用而设计的杰出产品。TGA2595采用TriQuint的0.15 um GaN on SiC工艺制造
2024-01-14 22:09:23
TGA2622-SM：高性能X波段放大器，满足脉冲应用需求华沣恒霖电子，作为业界领先的芯片贸易商，深知在高端应用领域，对于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增长。今天，我们非常荣幸地为您
2024-01-14 21:40:44
TGA2622-SM：高性能X波段放大器，满足脉冲应用需求华沣恒霖电子，作为业界领先的芯片贸易商，深知在高端应用领域，对于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增长。今天，我们非常荣幸地为您
2024-01-14 16:39:06
)于1月9日宣布推出用于量产感知雷达的准量产芯片组。该芯片组由三个芯片组成:发射器、接收器和处理器,这标志着Arbe的首个高通道阵列“大规模MIMO”成像雷达芯片组解决方案诞生,将为汽车行业提供较高的性能,进一步助力道路安全。Arbe目前已经完成预认证测试,正在接受车规级AEC-Q100认证
2024-01-10 09:35:04183 RT-thread IDE是否支持HC32L072，也就是小华半导体的芯片？如果支持，哪位好心人发的芯片支持包
2024-01-04 15:21:25
后，这些芯片也将被同时加工出来。
材料介质层参见图3，芯片布图上的每一层图案用不同颜色标示。对应每一层的图案，制造过程会在硅晶圆上制做出一层由半导体材料或介质构成的图形。本文把这些图形层称之为材料介质
2024-01-02 17:08:51
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化镓半导体芯片和传统的硅半导体芯片的组成
2023-12-27 14:58:24424 芯片和半导体有什么区别 芯片和半导体是信息技术领域中两个重要的概念。在理解它们之前，我们需要首先了解什么是半导体。 半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料。在半导体中，电流的传导主要是由电子和空穴
2023-12-25 14:04:451456 FLK017XP型号简介Sumitomo的FLK017XP芯片是一种功率砷化镓场效应管，设计用于Ku频段的通用应用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
FSX027X型号简介Sumitomo的FSX027X是一种通用砷化镓场效应管，设计用于介质高达12GHz的电源应用。这些设备具有广泛的动态适用于中功率、宽带、线性驱动放大器或振荡器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
TGA4536-SM是一种带集成功率检测器的K波段功率放大器。TGA4536-SM的工作频率为24.2-26.5GHz，采用TriQuint的power pHEMT生产工艺
2023-11-10 09:53:01
TGA2237-SM是一款宽带分布式放大器，采用TriQuint公司的SiC工艺生产0.25um GaN。TGA2237-SM的工作频率为0.03–2.5GHz，提供大于10W的饱和
2023-11-10 09:50:21
TGA2595是一款基于TriQuint公司的0.15um GaN-on-SiC工艺制作的平衡Ka波段功率放大器。平衡配置支持低回波损耗，提高了对非理想负载的鲁棒性。工作在27.5～31ghz，达到
2023-11-10 09:48:06
氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
电子发烧友网站提供《Ka波段基片集成波导带通滤波器的设计.pdf》资料免费下载
2023-10-25 11:18:32
0 电子发烧友网站提供《一种横向Ka波段宽带波导-微带探针过渡的设计.pdf》资料免费下载
2023-10-23 14:11:432 本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
·技术论坛 — 超过30场分论坛，内容围绕电源与能源、电机控制和自动化应用·主题演讲 — 超过25场主题演讲，ST及合作伙伴的企业高管分享半导体前沿资讯及相关工业策略
▌三大行业应用·电源与电能：拥有广泛
2023-09-11 15:43:36
，在半导体芯片制造过程中，需要保证高质量和高效率，而真空环境的应用在半导体芯片制造中已然成为了必须进行的环节。 半导体芯片有两个主要的制造过程，一个是前期的光刻和沉积，另一个是晶圆清洗和烘干。在这两个制造过程中，真空
2023-09-07 16:04:271038 ASR6505是一种通用的LoRa无线通信芯片组，集成了LoRa无线电收发器、LoRa调制解调器和一个8位CISC MCUASR6505是基于STM 8位MCU与SX1262 的SiP芯片，相对于
2023-08-30 15:34:19
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
以玻璃封装材料和玻璃通孔技术为基础，提出一种新的Ka波段(33 GHz)滤波封装天线(FPA)，该天线具有宽频带和高滤波响应特点。
2023-07-06 11:00:26381 
镓器件大约在2015年推出市场，与具有相同导通电阻和额定电压的硅功率MOSFET相比，其价格更低 。从那时起，产量继续提升、氮化镓器件的价格持续下降、氮化镓技术不断改进和芯片进一步更小化。下图显示了
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
半导体芯片是如何封装的？这是一个很好的问题。半导体芯片通常需要被封装起来才能使用。封装工艺的目标是将裸露的芯片保护起来，同时连接它们到外部引脚，以便于在电路板等设备中使用。
2023-06-21 14:33:561349 采用GaNFast™功率半导体的高效有源箝位反激变换器的设计考虑
2023-06-21 06:24:22
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
芯和半导体于2023年6月13日在圣地亚哥开幕的IEEE MTT国际微波展上，正式发布其射频EDA解决方案2023版本及宣传片。通过差异化的芯片-封装-系统EDA工具和大规模量产验证的集成无源器件
2023-06-17 15:08:21701 通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
，是复旦大学微电子学院博士、复醒科技创始人&CEO、芯千同集成电路有限公司CEO、上海市新锐创业企业奖获者、上海市互联网+大赛铜奖获得者。他致力于打造半导体行业产学融合数字化平台，平台
2023-06-01 14:52:23
最近在研究一个无人机电池管理系统，RDDRONE-BMS772。文档中关于电池平衡的内容不清楚——芯片组是内置 FET 还是只是驱动器？
2023-06-01 07:23:40
ASR6505是基于STM 8位MCU的无线通信芯片组
ASR6505是一种通用的LoRa无线通信芯片组，集成了LoRa无线电收发器、LoRa调制解调器和一个8位CISC MCU
ASR6505
2023-05-31 10:04:08
GaAs的灵敏度比Si材料高1个数量级、温漂小1个数量级，是优异的线性磁传感霍尔材料。芯片特征：● 砷化镓+ Si混合可编程线性霍尔效应IC● 单电源：VDD 3
2023-05-31 10:02:47
、新能源汽车、智能电网、5G通信射频等市场的发展，具有较大的发展前景；从分立器件原材料看，随着氮化镓和碳化硅等第三代半导体材料的应用，半导体分立器件市场逐步向高端应用市场推进。随着我国分立器件企业产品
2023-05-26 14:24:29
标准化。半导体芯片PCT老化试验箱安全装置：1、锅内安全装置：锅门若未关紧则机器无法启动。2、安全阀：当锅内压力超过大工作值自动排气泄压。3、双重过热保护装置：当锅
2023-05-26 10:52:14
第95期什么是宽禁带半导体？半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
TGA2976-SM产品简介Qorvo 的 TGA2976-SM 是一款宽带共源共栅放大器，可提供出色的宽带性能并支持 40-50V 操作。TGA2976-SM 的工作频率范围为 0.1 - 3.0
2023-05-04 12:03:10
TGA2975-SM产品简介Qorvo 的 TGA2975-SM 是一款封装的 MMIC 功率放大器，工作频率范围为 2.7 至 3.5 GHz。TGA2975-SM 通常提供超过 41 dBm
2023-05-04 11:54:44
TGA2830-SM产品简介Qorvo 的 TGA2830-SM 是一款封装的 MMIC 功率放大器，工作频率范围为 2.7 至 3.5 GHz。TGA2830-SM 通常提供超过 42.5 dBm
2023-05-03 13:28:06
TGA2817-SM产品简介Qorvo 的 TGA2817-SM 是一款覆盖 2.9-3.5 GHz 的高功率 S 波段放大器，TGA2817-SM 提供 > 48 dBm 的饱和输出功率
2023-05-03 10:18:48
TGA2813-SM产品简介Qorvo 的 TGA2813-SM 是一款封装的高功率 S 波段放大器，工作频率范围为 3.1 至 3.6 GHz。TGA2813-SM 通常提供大于 100 W
2023-05-03 10:09:47
TGA2753-SM产品简介Qorvo 的 TGA2753-SM 是一款具有集成功率检测器的 C 波段功率放大器。TGA2753-SM 的工作频率为 5.9 - 7.1 GHz，采用 Qorvo
2023-05-02 19:45:45
TGA2583-SM产品简介Qorvo 的 TGA2583-SM 是一款封装的 MMIC 功率放大器，工作频率范围为 2.7 至 3.7 GHz。TGA2583-SM 采用 Qorvo 生产
2023-05-02 19:20:25
TGA2307-SM产品简介Qorvo 的 TGA2307-SM 是一款封装功率放大器，采用 Qorvo 生产的 0.25um GaN on SiC 工艺制造。TGA2307-SM 的工作频率为
2023-05-02 18:07:51
TGA2237-SM产品简介Qorvo 的 TGA2237-SM 是一种宽带分布式放大器，采用 Qorvo 生产的 0.25um GaN on SiC 工艺制造。TGA2237-SM 的工作频率范围
2023-05-02 17:09:22
TGA4533-SM产品简介Qorvo 的 TGA4533-SM 是一款 K 波段功率放大器。TGA4533-SM 的工作频率范围为 21.2 至 23.6 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-23 12:24:40
TGA4532-SM产品简介Qorvo 的 TGA4532-SM 是一款 K 波段功率放大器。TGA4532-SM 的工作频率范围为 17.7 至 19.7 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-23 12:18:42
)。TGA3042-SM 的工作频率为 7 – 10.5 GHz，通常提供 4.5 W 饱和输出功率，功率附加效率为 38.5%，大信号增益为 23.5 dB。这种宽带性能的组
2023-04-23 11:01:24
GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 生产工艺设计。TGA2760-SM 通常提供 42 dBm 的饱和输出功率和 33 dB 的小信号增益。TG2752-SM
2023-04-23 10:44:18
TGA2752-SM产品简介Qorvo 的 TGA2752-SM 是一款具有集成功率检测器的 C 波段功率放大器。TGA2752-SM 的工作频率为 7.1 – 8.5 GHz，采用 Qorvo
2023-04-23 10:37:42
TGA2704-SM产品简介Qorvo 的 TGA2704-SM 是一种高功率放大器封装，采用 Qorvo 的生产 0.25um pHEMT GaAs 工艺制造。TGA2704-SM 的工作频率为
2023-04-23 10:30:38
TGA2624-SM 产品简介Qorvo 的 TGA2624-SM 是一款封装的高功率 X 波段放大器，采用 Qorvo 生产的 0.25um GaN on SiC 工艺制造
2023-04-21 13:39:56
TGA2622-SM产品简介Qorvo 的 TGA2622-SM 是一款封装的高功率 X 波段放大器，采用 Qorvo 生产的 0.25um GaN on SiC 工艺制造。TGA2622-SM
2023-04-21 13:13:36
TGA2621-SM产品简介Qorvo 的 TGA2621-SM 是一款封装的 Ku 波段功率放大器，采用 Qorvo 的 TQPHT15 0.15 um GaAs pHEMT 工艺制造
2023-04-21 13:00:49
TGA2535-SM产品简介Qorvo 的 TGA2535-SM 是一款 X 波段封装功率放大器。TGA2535-SM 的工作频率范围为 10 至 12 GHz，采用 Qorvo 的功率 pHEMT
2023-04-21 12:19:57
TGA2533-SM产品简介Qorvo 的 TGA2533-SM 是一款 Ku 波段封装功率放大器。TGA2533-SM 的工作频率范围为 12.5 至 15.5 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-21 12:10:36
TGA2524-SM产品简介Qorvo 的 TGA2524-SM 是一款 Ku 波段功率放大器。TGA2524-SM 的工作频率范围为 12 至 16 GHz，采用 Qorvo 的功率 pHEMT
2023-04-21 11:53:27
各种毫米波应用，包括点对点数字无线电和其他 K 波段线性增益应用。TGA2521-SM 在 17 - 24 GHz 范围内以 1 dB 压缩提供 23.5 dBm
2023-04-21 11:44:11
TGA2218-SM产品简介Qorvo 的 TGA2218–SM 是一款封装的 Ku 波段、高功率 MMIC 放大器，采用 Qorvo 生产的 0.15um GaN on SiC 工艺制造
2023-04-20 12:20:06
SW-209-PIN砷化镓匹配 GaAs SPST 开关 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射频开关
2023-04-18 15:19:22
MASW2040砷化镓MACOM 的 MASW2040 是一款 GaAs MMIC DPDT 开关芯片。MASW2040 非常适用于需要低功耗的场合。典型应用包括无线电和蜂窝
2023-04-18 11:31:22
MASW6030G砷化镓MACOM 的 MASW6030G 是一款 GaAs MMIC DPDT 开关芯片。MASW6030G 非常适用于需要低功耗的场合。典型应用包括发送/接收切换、切换矩阵和切换
2023-04-17 17:06:13
TGA2731-SM产品简介Qorvo 的 TGA2731-SM 是一款适用于 S 波段应用的驱动放大器。TGA2731-SM 的工作频率范围为 2.7 至 4.0 GHz，提供 > 30.7
2023-04-16 14:00:12
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策，半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前，我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场，根据中国半导体行业协会
2023-04-14 13:46:39
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