存储器国产化为何选3D NAND作为突破口？

　　在上海一场以“匠心独运，卓越创芯”为主题的IC技术峰会上，长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中，他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题，作了深刻的分析。

　　

　　为什么中国要发展存储产业

　　在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前，杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法，在全球的半导体存储产品中，NAND 和 DRAM的产值占全球存储总额的95%。

　　

　　而随着云计算、大数据、物联网等应用的发展，未来NAND的需求会持续增加，这就意味在可见的未来里，存储产品的需求量的大增，会带来庞大的市场价值。

　　

　　中国作为全球的制造基地，在存储方面的消耗量是惊人的。根据数据统计，中国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上，但是当中能由国产厂商供应的存储产品则是屈指可数。杨士宁表示，目前全球的存储产品（包括DRAM和Flash）都是由几家厂商承包，这个对于发展自主可控的中国信息技术产业是一个很大的挑战。因此发展国产的存储产业就被提上给了日程。

　　从另一方面看，存储产业供应的高度集中，缺少强力的竞争对手，尤其是三星电子在DRAM和NAND上面的全球垄断，让很多终端厂商有了顾虑，不少的同行竞争者也是有了其他想法，这就促使具有庞大存储消耗量的中国去发展存储产业。

　　

　　再加上国家推行集成电路发展纲领，成立国家大基金支持集成电路产业的发展。于是存储就成为了发展的重点。

　　就这样，以发展国产存储为目的的长江存储顺势成立。

　　为什么以3D NAND作为突破口

　　在选定而来聚焦存储方向以后，接下来就要选择合适的产品方向，寻求更好的突破。

　　杨士宁指出，选择3D NAND作为突破口，是企业需求、外部机遇和市场动力的吻合。这是个技术的问题，更是个经济的问题。

　　他在演讲中表示，NAND和DRAM都是需要的存储产品，但是考虑到DRAM有两个增加难度：1.竞争对手有大量折旧完的产能，这样的问题也发展在2D NAND上；需求增长相对缓慢，因此长江存储就选择了增量巨大，且全球的厂商正在追逐的3D NAND产品作为突破口。

　　

　　再加上看一下全球竞争对手的布局，与2D NAND和DRAM不一样，前者是一个高度成熟的市场，且在那个维度没有什么突破，竞争对手的深厚布局，让长江存储没有更多的机会。而3D NAND 相对来说，则是一个很好的机遇。

　　

　　会面临什么样的挑战？

　　杨士宁指出，我们要明确一点，由于对高学历人才和高端设备的需求，IC制造是一个耗资巨大的产业，这是需要面临的第一个挑战。

　　

　　其次，从存储产品的的发展来看，在未来的发展也要面临多方面的挑战。

　　

　　其中包括了制程，cell架构，集成度、可靠性、阵列架构和芯片设计等多方面的挑战，尤其是对于基础懦弱的中国来说，挑战更是巨大。

　　

　　怎样才能成功

　　在找准了方向，认识到了和国外竞争对手的差距，知道了技术的挑战所在之后，长江存储的下一步就是如何发挥自己的优势，取长补短，收获成功了。

　　杨士宁指出，要成功必须要做到这三点，那就是找对人，砸对钱，做对事，这是长江存储坚持的做事准则。

　　

　　从现状看来，长江存储已经取得了不错的成果。

　　“长江存储的32层 3D NAND产品目前进展顺利，生产的产品指标都非常良好，并将会在2019年实现满载产能，这对于长江存储是一个巨大的挑战。”杨士宁说。

　　对于未来的发展方向，杨士宁指出，未来3D NAND带来的挑战还是巨大的，但是长江存储不会简单跟随业界的步伐发展，而是选择通过跳跃式的发展，展望到2019年实现与世界前沿的半代技术差距，2020追上世界领先技术。