华为P10＂闪存门＂＂内存门＂风头盖过小米6，华为营销剑走偏锋？

 

华为P10深陷“闪存门”不久后爆出“内存门”风波，引起不少用户愤慨，华为官方公关发文后似乎也难以平息。米粉们都知道，主打“黑科技”，“性能小怪兽”的小米旗舰系列手机小米6马上于4月19日发布了。然而小米6的关注度完完全全、彻彻底底被华为P10吊打，不信看下图：

小米6发布会近在眼前，但是搜索量仅仅是华为P10的三分之一。恶意揣测下，“闪存门”和“内存门”是否是华为在营销上狙击小米6祭出的大杀器呢？细看之下，发现并不是啊。再看图：

华为P10闪存门曝光不过2天的时间，最早出现的新闻在4月16日，但是图中显示4月份华为P10的搜索量是小米6的四倍左右，尽管小米6的媒体指数领先于华为P10，这说明华为P10本身热度很高，不存在借“闪存门”营销的可能。不信再看下图：

华为P10在国内发布会当天搜索热度创手机发布会记录达700W+，去年的iphone7发布会才200W+而已。这说明华为作为国产手机品牌认可度深入人心，但此次的“闪存门”“内存门”就实在伤了人心，尤其令花粉们失望了。

 

爱搞事的小编不妨带大家来回顾下华为“闪存门”和“内存门”事件。

“闪存门”指的是同款华为P10手机闪存读写速度有较大差异，读写速度低的只有300MB/s不到，中等的在600MB/s左右，最高的在800MB/s左右。闪存读写速度对手机操作反应有一定的影响，读写速度快手机调用信息会更快，反之则会较慢。

业内人士据此认为，华为P10系列的闪存是将EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1进行了混用。EMMC和UFS是闪存的不同技术标准，区别在于读写速度不同。UFS2.1的读写速度相当于EMMC5.1的2倍。

4月18日，华为回应称，公司与多个供应商合作，向消费者提供优秀的产品体验和服务；并且还表示，一部手机的体验是否流畅，不是单纯由某个单一部件性能决定的，而是由软件系统和硬件系统综合设计和优化来决定。华为这一回应也证实了P10的闪存有多家供应商提供，闪存速度确实存在差异。

eMMC和UFS技术有哪些区别？

速度：eMMC 5.1理论带宽达到600MB/s，而UFS 2.0的理论带宽能够达到1400MB/s。数据上的比较可能还不够直观，第一款采用UFS闪存的手机是三星S6，其数据传输速度对比同期旗舰机有非常明显的提升，“手机中的SSD”的称号可以说是当之无愧。UFS支持全双工运行，可同时进行读写操作，eMMC采用的是半双工，读写必须分开进行。举个不太恰当的例子就是过独木桥，半双工就是你在过桥时，身后的人可以跟着你过，但是对面的人就只能乖乖等你们全过来了再走，而全双工的话则可以避免这种问题。

eMMC以往的版本并不支持指令序列，不过eMMC 5.1已经和UFS同样支持，这方面的劣势在一定程度上已经弥补了。PS：不支持指令序列的话，需要等上一条执行完成之后才能提交下一条命令。

成本：毫无疑问，性能更加优秀的UFS价格更贵。至于UFS 2.1则是UFS 2.0的进化，速度性能和成本也再次提升，而且今年以来闪存的价格还在不断飙升。

 

“闪存门”事件后不久爆出“内存门”事件，部分机子采用的是LDDR3而不是LDDR4，给大家做一个简单比较：LPDDR4可提供32Gbps的带宽，为DDR3 RAM的2倍。更快速的RAM意味着应用的启动速度更快，这对于在执行多任务时启动重量级应用至关重要。由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的两倍，新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。

 

与LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的运行电压降为1.1伏，堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的最低功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升，最大可节省40%的耗电量。同时，新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量，并使芯片能在低电压下进行高频率运转，实现了电源使用效率的最优化。

 

对此，华为采取的策略是在华为应用商店全面下架存储测试软件！！！！sigh~~厉害了我的华为。