Ÿ●空调压缩机、工业电机驱动 Ÿ●高效高密度工业、通信、服务器电源 Ÿ●半桥、全桥、LLC电源拓扑 如下图NSD1624功能框图所示,纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中,使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压,同时SW pin可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适
2022-06-27 09:57:072093 稳压器调整端增加简单电路控制输出电压的 dV/dt ,限制启动电流 ,有时,设计约束突出地暴露了平凡器件和电路的不利方面
2011-04-12 19:30:243169 传感器时要面临一些挑战,这些挑战与绝缘的严格要求以及与 10 kV SiC MOSFET 相关的更高 dv/dt (50-100 V/ns) 相关。有不同的方法可以测量中压电源的电压,其中一些是霍尔效应传感器、电容分压器、电阻分压器和电阻-电容梯。在理想条件下,我们可以在电阻分压器中找到无限带宽。
2022-07-26 08:03:01741 `采用AOZ1051PI作 DC-DC buck电路时大电流突变时,输入、输出电压极其不稳。怎么解决?片外补偿R C对调节输出电压有什么作用?高手指点!`
2014-07-09 17:15:26
电容两端的电压不能突变 (当电容足够大时,可认为其电压不变);电感中的电流不能突变 (当电感足够大时,可认为其电流恒定不变);流经电容的电流平均值在一个开关周期内为零;电感两端的伏秒积在一个开关周期内必须平衡。...
2021-10-29 06:31:02
1传导电磁干扰简介在开关电源中,开关管周期性的通断会产生周期性的电流突变(di/dt)和电压突变(dv/dt),周期性的电流变化和电压变化则会导致电磁干扰的产生。图1所示为Buck电路的电流变化,在
2021-11-12 07:04:56
在开关电源中,电压和电流的突变,即高dv/dt和di/dt,是其EMI产生的主要原因。实现开关电源的EMC设计技术措施主要基于以下两点: (1)尽量减小电源本身所产生的干扰源,利用抑制干扰的方法或
2013-02-28 19:49:18
开关电源EMI抑制的9大措施在开关电源中,电压和电流的突变,即高dv/dt和di/dt,是其EMI产生的主要原因。实现开关电源的EMC设计技术措施主要基于以下两点:(1)尽量减小电源本身所产生的干扰
2011-07-11 11:39:36
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 13:37 编辑
输入端接传感器后电压值突变为负一点几伏
2012-03-10 14:00:06
问下大家,一般开关的开关速度(dv/dt),与电磁干扰(EMI)有没有计算关系?还是说一般取经验值,为什么一般上升速度会做的下降速度慢?
2018-12-17 11:29:58
关于限制稳压器启动时dV/dt和电容的电路的详细介绍
2021-04-12 06:21:56
电压突变的影响 dV/dT
2008-08-03 10:49:40
本文分析了小波变化检测突变信号的原理,利用小波变换模的极大值和信号突变点的关系,结合Haar 函数和dbN 函数,在MATLAB 平台上进行仿真测试,给出实例分析。结果表明,小波
2009-09-16 11:28:5914 Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:3210 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:对高频的DC-DC转换器,功率MOSFET是一个关键的器件.快速的开关可以降低开关LOSS, 但是在MOS漏级上dv/dt也变得越来越高.然而,高的dv/dt可能导致在
2009-11-28 11:26:1543 摘要:分析电路中电容电压和电感电流发生突变的条件以及决定突变程度的因素,并举例加以说明,关键词:电容 电感 突变 冲激电压 冲激电流
2010-05-12 08:58:2335
DT810型直流电压测量电路图
2009-07-18 16:42:08646
DT830A,CM3900,DT840型交流电压测量电路图
2009-07-18 16:45:54564
DT830A,CM3900,DT840型小数点及低电压指示符驱动电路图
2009-07-18 16:46:29468
DT830A,CM3900,DT840型直流电压测量电路图
2009-07-18 16:47:17441
DT830B、CM2300型直流电压测量电路图
2009-07-18 16:50:191064
DT830B、CM2300型交流电压测量电路图
2009-07-18 16:50:56703
DT830C、CM2400型交流电压测量电路图
2009-07-18 16:54:49448
DT830C、CM2400型直流电压测量电路图
2009-07-18 16:55:38474
DT830型交流电压测量电路图
2009-07-18 16:58:162257
DT830型小数点驱动及低电压指示电路图
2009-07-18 16:59:231009
DT830型直流电压测量电路图
2009-07-18 17:02:22687
DT840D、CM3900A型AD转换及低电压指示电路图
2009-07-18 17:04:12543
DT840D、CM3900A型交流电压测量电路图
2009-07-18 17:06:41499
DT840D、CM3900A型直流电压测量电路图
2009-07-18 17:07:59395
DT890、DT890A型AD转换电路图
2009-07-18 17:09:24768
DT890、DT890A型直流电压测量电路图
2009-07-18 17:13:031000
DT890B型交流电压测量电路图
2009-07-18 17:27:39804
DT890B型小数点及低电压指示符驱动电路图
2009-07-18 17:28:58702
DT890B型直流电压测量电路图
2009-07-18 17:29:581226
DT-1型交流电压测量电路图
2009-07-18 17:32:58517
DT-1型直流电压测量电路图
2009-07-18 17:34:43456
DT809C+、CM3920型交流电压测量电路图
2009-07-20 17:24:35794
DT809C+、CM3920型直流电压测量电路图
2009-07-20 17:26:23539
DT809C型交流电压测量电路图
2009-07-20 17:28:07567
DT809C型小数点与低电压指示符的驱动电路图
2009-07-20 17:28:33462
DT809C型直流电压测量电路图
2009-07-20 17:29:22457
DT940C型小数点及低电压指示电路图
2009-07-20 17:35:23636
DT940C型直流电压测量电路图
2009-07-20 17:36:38662
DT940C型交流电压测量电路图
2009-07-20 17:39:08684
DT860型基准电压发生电路图
2009-07-21 17:38:22740
DT930F型交流电压测量电路图
2009-07-22 17:17:361007
DT930F型直流电压测量电路图
2009-07-22 17:19:31932
DT940改进型直流电压挡的简化电路图
2009-07-22 17:21:29559
DT1000、CM4200型交流电压测量电路图
2009-07-22 17:29:49818
DT1000、CM4200型直流电压测量电路图
2009-07-22 17:30:47712 什么是Mini DV磁带
以Mini DV为纪录介质的数码想像机在数码摄像机市场上占有主要
2009-12-21 11:14:05735 电流的突然变化可能影响附近其他电路上的信号。这一串扰通过互感机制而产生。两个邻近放置的电路元件总是会相互感应。为了计算电感耦合的大小,首先必须估
2010-06-01 18:15:222562 經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平
2013-01-10 15:30:1246 2016年10月31日,ZLG致远电子正式发布DT800无线电压监测仪。DT800采用高精度采样芯片,多级运算技术,不仅运算能力凸显,测量精度达到0.2%,高于我国《电压监测仪使用技术条件(DL/T500-2009)》中电压监测仪产品的测量精度0.5%的标准。
2016-10-31 10:55:551262 Si827x数据表:具有高瞬态(dV-dt)抗扰度的4种放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 基于突变理论的风电场静态电压稳定分析方法_葛江北
2017-01-05 15:33:030 发生区内外故障时,两端保护装置检测的电压和电流突变量的极性差异,提出基于Hilbert-Huang变换的突变量方向纵联保护方法。在分析不同故障时电压和电流突变量相位差别的基础上,采用Hilbert-Huang变换求取突变量相位差,识别两者的极性差
2018-03-16 10:43:580 器件均采用紧凑型DIP-6和SMD-6封装,进一步扩展光电产品组合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A断态电压高达800 V,静态dV/dt为1000
2019-01-16 18:18:01442 和VOT8123A断态电压高达800V,静态dV/dt为1000V/μs,具有高稳定性和噪声隔离能力,适用于家用电器和工业设备。 日前发布的光耦隔离120 VAC、240 VAC和380 VAC线路低电压逻辑,控制电
2019-03-12 22:30:01322 dV/dT滤波器在远离电机300米处仍然能保证满足电机的最大峰值电压规格(母线电压的150%)。它的额定值为最大达每毫秒200V的dV/dT值。但在一些特别的应用中,电缆长度达到900米时,这种
2019-05-13 16:12:106045 dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力,越大越好。对系统来说,过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰,较差的EMI特性,不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。
2020-06-05 09:18:4717626 英飞凌电流源型驱动芯片,一种非常适合电机驱动方案的产品,将同时实现高效率和低EMI成为可能。它是基于英飞凌无核变压器技术平台的隔离式驱动芯片,能精准地实时控制开通时的dv/dt。下面我们来仔细看看它到底有什么与众不同之处。
2020-07-07 17:20:072945 电感电流为什么不能突变呢?来看这个公式,U等于负的L乘以di比dt。Di比dt是指电流的变化率,电流突变,意味着di比dt无限大,会导致产生无限大的电压。
2020-10-02 17:26:0032790 高共模噪声是汽车系统设计人员在设计实用而可靠的动力总成驱动系统时必须克服的一个重大问题。当高压逆变电源和其他电源进行高频切换时,共模噪声(又称 dV/dt 噪声)便在系统内自然生成。本文将讨论混合动力系统驱动器内各种 dV/dt 噪声的来源,并提出一些方法来尽量减少噪声对驱动电子设备的影响。
2021-03-15 15:16:273189 电子发烧友网为你提供为什么不同输入电压,功率MOSFET关断dV/dT也会不同呢?资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-20 08:46:2512 Hi3520DV400 SVB电压和寄存器对应关系说明。
2021-05-21 11:17:030 1传导电磁干扰简介在开关电源中,开关管周期性的通断会产生周期性的电流突变(di/dt)和电压突变(dv/dt),周期性的电流变化和电压变化则会导致电磁干扰的产生。图1所示为Buck电路的电流
2021-11-07 12:51:009 Du/Dt滤波器又名“Du/Dt滤波器”、“Dv/Dt滤波器”、“Dv/Dt电抗器”等,一般是安装在变频器的逆变侧,用来抑制变频器逆变侧的Du/Dt,保护电动机,同时,还能够延长变频器的有效传输距离至≤500米,但其无法改变变频器逆变侧的电压波形。
2021-12-20 10:19:545283 dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2022-03-29 17:53:223889 我们都知道功率半导体器件属于电力电子开关,开关速度非常快,1秒可以开关上千次(kHz),高速功率器件可达到几十kHz,甚至上百kHz。开关速度越快意味着器件的电压变化率dv/dt和电流变化率di
2022-04-22 11:29:482477 首先,让我们先来看一下SiC MOSFET开关暂态的几个关键参数,图片来源于Cree官网SiC MOS功率模块的datasheet。开通暂态的几个关键参数包括:开通时间ton、开通延迟时间td(on)、开通电流上升率di/dton、开通电压下降率dv/dton,电流上升时间tr
2022-04-27 15:10:216744 假设电感的电流能突变,即需要无穷大的电压,在实际中也是不存在的,即电感电流不能突变。
2022-08-12 18:00:5212774 在电动机控制等部分应用中,放缓开关期间的dV/dt非常重要。速度过快会导致电动机上出现电压峰值,从而损坏绕组绝缘层,进而缩短电动机寿命。
2022-12-19 09:38:491180 电源上的高 dV/dt 上升时间会导致下游组件出现问题。在具有大电流输出驱动器的24V供电工业和汽车系统中尤其如此。该设计思想描述了如何控制上升时间,同时限制通过控制FET的功率损耗。
2023-01-16 11:23:371078 IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。
2023-02-07 16:17:44703 MOSFET的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2023-02-13 09:30:08829 电源上的高 dV/dt 上升时间会导致下游组件出现问题。在具有大电流输出驱动器的24V供电工业和汽车系统中尤其如此。该设计思想描述了如何控制上升时间,同时限制通过控制FET的功率损耗。
2023-02-13 10:49:01556 di/dt水平过高是晶闸管故障的主要原因之一。发生这种情况时,施加到半导体器件上的应力会大大超过额定值并损坏功率元件。在这篇新的博客文章中,我们将解释dv/dt和di/dt值的重要性,以及为什么在为您的应用选择固态继电器之前需要考虑它们。
2023-02-20 17:06:572528 在计算DC-DC所需电感之前,首先介绍一个电感相关的公式。毫不夸张地讲,这是电感最最重要的公式,没有之一。
V=L*dV/dt
这个公式之所以重要,因为它体现了电感的诸多特性,比如
2023-03-07 10:28:356 的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG
2022-05-19 16:36:44913 9.3.4dv/dt触发9.3晶闸管第9章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产
2022-03-29 10:35:54214 该产品主要具有正向阻断电压高、高温漏电流小、饱和压降低、开通门限电压高、阳极脉冲峰值电流大、断态阳极电压上升率(dv/dt)高、开通阳极电流上升率(di/dt)高、抗辐射能力强等特点。
2023-07-05 10:43:30192 该产品主要具有正向阻断电压高、高温漏电流小、饱和压降低、开通门限电压高、阳极脉冲峰值电流大、断态阳极电压上升率(dv/dt)高、开通阳极电流上升率(di/dt)高、抗辐射能力强等特点。
2023-07-05 10:45:53198 该产品主要具有正向阻断电压高、高温漏电流小、饱和压降低、开通门限电压高、阳极脉冲峰值电流大、断态阳极电压上升率(dv/dt)高、开通阳极电流上升率(di/dt)高、抗辐射能力强等特点。
2023-07-05 15:13:22219 高压双向可控硅(SCR)具有阻断电压高、高温漏电流小、饱和压降低、开通门限电压高、阳极脉冲峰值电流大、断态阳极电压上升率(dv/dt)高、开通阳极电流上升率(di/dt)高、抗辐射能力强等特点。
2023-07-12 10:40:00519 ①静态dV/dt:会引起MOSFET栅极电压变化,导致错误开通。在栅源间并联电阻,可防止误开通。
2023-07-14 14:39:26702 电子发烧友网站提供《电感量突变的原因.docx》资料免费下载
2023-09-25 11:48:584 引言:在开关电源中,开关管周期性的通断会产生周期性的电流突变(di/dt)和电压突变(dv/dt),周期性的电流变化和电压变化则会导致电磁干扰的产生。
2023-10-18 16:24:173890 电容电压、电感电流为什么不能突变呢? 电容电压和电感电流是电路中常见的两个物理量,它们都有一个共同的特点,即它们在电路中不能瞬间发生变化。所谓“不能突变”,指的是在电路中电容电压和电感电流的变化都是
2023-10-23 10:19:202878 泰艺电压控制石英振荡器DT-515150.8x50.8mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:050 泰艺电压控制石英振荡器DT-656565x65mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:050 当电晶体开关时电压和电流出现重叠时,就会出现硬切换。这种重叠会造成能量损失,可透过提高di/dt和dv/dt将能量损失降至最低。然而,快速变化的di/dt或dv/dt会产生EMI。因此,应最佳化di
2023-11-18 08:26:58140 电力电容器在电网运行中起到了重要的作用,它能够帮助调整电压以保障电网的稳定性和安全性。然而,电压突变是一个常见但又困扰着电力系统的问题,如何应对电压突变成为了一个迫切需要解决的问题。
2023-11-22 14:36:43534 电容电压、电感电流为什么不能突变? 电容电压与电感电流的突变问题,主要涉及到电路中的能量转换和能量守恒原理。电容电压和电感电流是电路中储存和释放能量的两种方式,它们不能突变的原因可以从以下几个方面
2024-02-19 15:10:30341 选择合适的隔离电压,有效防止电流、电压突变对其他电路的影响 BOSHIDA 源模块隔离电压指的是电源模块的输入和输出之间的电压隔离。在电源模块中,输入端和输出端是通过隔离元件,如变压器或光耦等,实现
2024-03-07 09:08:09122 IP DV的主要工作是根据IP的spec,提取testplan,搭建验证环境,收敛覆盖率。但是上述的过程多见于新的IP,对于已经成熟的IP,IP DV的主要工作是针对 改动的feature 提取testplan,增加验证用例。
2024-03-21 10:02:5188
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