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电子发烧友网>模拟技术>优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

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2023-09-18 10:15:002101

超结理论应用:平面VDMOS结构与超结MOSFET技术介绍

功率器件要得到较高的击穿电压,就必须使用较厚的外延层漂移区与较低的掺杂浓度,常规VDMOS的特征导通电阻与击穿电压关系如下式所示。
2023-09-18 10:18:191416

平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择?

平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择? 平面型VDMOS和超结型VDMOS是常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)的不同设计类型。它们在结构上存在一些细微的差异
2023-11-24 14:15:43549

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