包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型

 

　　1. 引言

　　散热器在计算时会出现误差，一般说来主要原因是很难精确地预先知道功率损耗，每只器件的参数参差不齐，并不是一样的，而且在芯片上各处的温度也是不同的。结果是，安全的裕度可能离开最优值很远。现在出现了很多功能很强的模拟仿真工具，因此有可能在预测功率损耗和热设计的校核方面做一些改

　　2. 热阻

　　发散出去的功率Pd 决定於导热性能，热量流动的面积以及温度梯度，如下式所示：

　　Pd=K*An•dT/dx (2.1)

　　式中 An 是垂直於热量流动方向的面积，K 是热导，而T是温度。可是这个公式并没有甚麽用处，因为面积An 的数值我们并不知道。对於一只半导体器件，散发出去的功率可以用下式表示：

　　Pd=?T/Rth (2.2)

　　以及 　　Rth = ?T/ Pd (2.3)

　　其中?T 是从半导体结至外壳的温度增量，Pd 是功率损耗，而Rth 是稳态热阻。芯片温度的升高可以用式(2.2) 所示的散热特性来确定。考虑到热阻与时间两者之间的关系，我们可以得到下面的公式：

　　Zth(t)= Rth•[1-exp(-t/t )] (2.4)

　　其中(是所讨论器件的半导体结至外壳之间的散热时间常数，我们也认为 "Pd" 是在脉冲出现期间的散发出去的功率。那麽，我们可以得到：

　　?T(t)=Pd• Zth(t) (2.5)

　　如果 Pd 不是常数，那麽温度的瞬态平均值可以近似地用下式表示：

　　?T(t)=Pavg(t) •Zth(t) (2.6)

　　其中Pavg(t) 是散发出去的平均功率。作这个假定是合情合理的，因为瞬态过程的延续时间比散热时间常数短。由於一只MOSFET的散热时间常数为100ms的数量级，所以一般这并不成其为问题。热阻可以由产品使用说明书上得到，它一般是用“单脉冲作用下的有效瞬态过程的热阻曲线”来表示。

　　

 

　　

 

　　图 1 Zth(t)　瞬态热阻