干扰噪声的阻抗 - 干扰噪声系统基础知识

波形有助于确定实际产生干扰噪声的阻抗。例如，如果噪声波形是图5所示的简单阻尼正弦波，以下特性可帮助我们推断Z的性质：

　　● 恒定电阻R与线路串联。电压变化V1是R与电流阶跃I1的

　　乘积。

　　●振荡自然频率f1取决于串联的L和并入的C，f = 1/(2πLC)。

　　●阻尼时间常数T由L/R决定。

　　

 

　　图5. 欠阻尼R-L-C电路的波形。

　　容性耦合噪声

　　噪声源至另一电路的容性耦合也会产生噪声。此类噪声常见于具有快速升降时间或高频成分的信号靠近高阻抗电路的情况。杂散电容将信号快速沿耦合至相邻电路，如图6的电路模型所示。阻抗Z的性质决定响应波形。表1列出了典型电容。

　　

 

　　图6. 杂散电容将噪声耦合至高阻抗电路。

　　表1. 典型电容。

　　

 

　　容性拾取发生的方式、形状和大小有多种。下面是几个示例：

　　●TTL数字信号产生快速沿，典型上升时间为10纳秒，电压摆幅为5 V。如果Z是1兆欧电阻，即使0.1pF也会产生5 V尖峰和100纳秒的衰减时间常数。

　　●两根相邻导线间可能产生串扰。例如，如果两根导线是10英尺(3米)长度的电缆，电容为40 pF/英尺，则总电容为400 pF。如果在一个导体上施加1 kHz的10 V测试电压，当Z是10 k电阻时，1 kHz的250 mV电压将耦合至相邻导线。

　　●通过公共阻抗在交流电力线上产生的噪声将耦合至其他电路。常见情况是瞬变通过电源变压器的绕组间电容耦合。

　　令人惊奇的是，小小的电容竟能导致严重问题。例如，考虑高抗扰度CMOS逻辑用于工业电路中的情况，电路中存在2500 V、1.5 MHz噪声瞬变(IEEE标准472-1974)。假设CMOS输入与噪声源之间仅有0.1 pF的杂散电容，如图7所示。计算出的噪声电压为2.4 V，稳态下，50 V的初始瞬变将导致逻辑运算错误，甚至更坏的情况!

　　

 

　　图7. 高压瞬变从测试发生器耦合至逻辑。

　　磁耦合噪声

　　电缆载送电流、分配交流电源时，以及机器、电源变压器、风扇等附近均可发现强磁场。磁耦合电路与容性耦合电路间存在类似的关系，如图8和表2所示。

　　● 噪声为磁耦合时，电压噪声(Vn)表现为与接收机电路串联;而在容性情况下，接收机与地电压间产生的电压噪声是噪声电流in在Z中造成的电压。

　　●降低接收机阻抗Z可减少容性耦合噪声。磁耦合电路则不同;降低Z不会显著减少电压噪声。

　　

 

　　图8. 磁噪声耦合与容性噪声耦合的比较。

　　表2. 容性耦合与磁耦合的特性。

　　

 

　　此类比可帮助我们考量容性耦合噪声与磁耦合噪声间的差异。

　　磁场在闭合环路(单匝)内的感应电压Vn由下式给出：

　　Vn = 2πfBA cosθ×10-8 (1)

　　单位为伏特，其中f是正弦变化通量密度的频率，B是通量密度的均方根值(高斯)，A是闭合环路面积(cm2)，θ是B与面积A的角度。

　　例如，考虑图9所示电路。它显示的是两个一英尺导体的电压计算，导体相隔1英寸，置于10高斯60 Hz磁场内(对于风扇、电源布线、变压器很典型)导线内最大感应电压为3 mV。

 

　　上面公式说明，噪声电压可通过降低B、A或cosθ来减少。要降低B项，可增加与磁场源的距离，在磁场由流经导线对附近的电流引起的情况下，也可绞绕导线，通过交替方向将净磁场降至零。