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电子发烧友网>模拟技术>TriQuint推出新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器

TriQuint推出新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器

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氮化mos管驱动芯片有哪些

氮化GaN)MOS(金属氧化物半导体)管驱动芯片是一种新型的电子器件,它采用氮化材料作为通道和底层衬底,具有能够承受高功率、高频率和高温度的特性。GaN MOS管驱动芯片广泛应用于功率电子
2023-12-27 14:43:233430

氮化功率器件结构和原理

氮化功率器件是一种新型的高频高功率微波器件,具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化功率器件的结构和原理。 一、氮化功率器件结构 氮化功率器件的主要结构是GaN HEMT(氮化高电子迁移率
2024-01-09 18:06:416137

Transphorm与伟诠电子合作推出新集成型SiP氮化器件

全球领先的氮化GaN功率半导体供应商Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)与适配器USB PD控制集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.
2024-04-25 10:46:561248

Transphorm携手伟诠电子推出两款新型系统级封装氮化器件

全球氮化功率半导体行业的领军者Transphorm, Inc.和USB PD控制集成电路的佼佼者伟诠电子联合宣布,双方已成功推出两款新型系统级封装氮化器件(SiP)。这两款新品与去年伟诠电子
2024-05-23 11:20:001098

氮化GaN)的最新技术进展

本文要点氮化是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。氮化器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:181988

氮化GaN)充电头安规问题及解决方案

什么是氮化GaN)充电头?氮化充电头是一种采用氮化(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534

1218 MHz CATV MMIC 功率倍增器 skyworksinc

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2025-08-29 18:31:54

750/870/1000 MHz CATV 功率倍增器线路放大器 MMIC skyworksinc

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2025-08-29 18:32:17

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2025-08-29 18:32:46

1 GHz、28 dB 增益 CATV 功率倍增器 Amp扩音 skyworksinc

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2025-08-29 18:35:03

870 MHz、25 dB 增益 CATV 功率倍增器 Amp扩音 skyworksinc

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2025-09-01 18:30:00

1218 MHz 高输出 GaN CATV 功率倍增器 Amp扩音 skyworksinc

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2025-09-01 18:30:38

1 GHz 功率倍增器混合放大器 skyworksinc

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2025-09-12 18:31:06

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