TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)和Richardson RFPD今天宣布,Richardson RFPD新建立的氮化镓技术中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint业内领先的广泛氮化镓 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和
2012-10-23 16:48:57
1341 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:26
1621 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同
2012-12-19 10:19:09
1538 氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中,GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动了它在多样化应用中的电源转换使用,例如
2024-04-22 13:51:13
3603 
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例:高密度手机充电器•应用实例:高性能电机驱动器•应用示例;高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅,有效降低内部变压器等原件体积,同时优秀
2025-01-15 16:41:14
满足军方对小型高功率射频器件的需求,WBST 计划在一定程度上依托早期氮化镓在蓝光 LED 照明应用中的成功经验。为了快速跟踪氮化镓在军事系统中的应用,WBST 计划特准计划参与方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
。在此基础上,增加单管激光器的发光区宽度和长度,单管激光器的光功率可以进一步提升,并结合正在发展的GaN激光器的光束整形和合束技术,将实现更高功率的激光器模组。氮化镓激光器的应用也将更加广泛。 垂直腔GaN
2020-11-27 16:32:53
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
。
与硅芯片相比:
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而,虽然 GaN 似乎是一个更好的选择,但它
2023-08-21 17:06:18
的转换器。在氮化镓(GaN)功率FET的早期阶段,故障很常见。更严格的栅极环路设计要求,更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一个600V GaN功率级样品时,我惊叹于该
2019-07-29 04:45:12
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CHA8107-QCB两级氮化镓(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款两级氮化镓(GaN)高功率
2025-12-12 09:40:25
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告,并提出了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路,该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
2018-11-05 09:51:35
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端,由于对高功率的需求,氮化镓(GaN)因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模块。QPA3333选用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片,频率范围为 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在开发中。微控制器和数字信号处理器(DSP),也可以用来实现目前软开关电路拓扑结构,而目前广泛采用的、为1-2 MHz范围优化的磁性材料,已经可被使用了。
氮化镓功率芯片
2023-06-15 15:53:16
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
流,但随着5G的到来,砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
(GaN)原厂来说尤为常见,其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题,下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户,用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源,因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因,GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去,PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13:22
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年,第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
,是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
倍增器作为最早成功应用于加速器的RF脉冲压缩器,是各种RF脉冲压缩技术的基础,使用能量倍增器作为初级波源的功率放大器,对于获得更高功率的微波脉冲也是一种很好的方法。能量倍增器自问世以来,即受到了广泛
2010-04-22 11:48:46
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
集成功率放大电路实验
一、实验目的 1.掌握测量集成功率放大电路主要电路指标的方法 2.理解功率放大电路的工作原
2008-12-05 16:50:34
9293 
电容倍增器电路图
2009-04-03 08:38:14
6277 
电容倍增器
电容倍增器
2009-09-17 17:08:44
2538 
大功率集成功率放大器
大功率集成功率放大器是一种新型的音响功放集成模块,它和一般的集成功率放大器相比,具有增益高、失真小、频率响应宽、功耗小、输出功
2009-09-19 16:05:10
2204 电容倍增器
2009-09-25 14:30:28
1216 
首批商用氮化镓集成功率级器件
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:01
1094 
IR推出首批商用氮化镓集成功率级器件iP2010和iP2011
国际整流器公司(IR)推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的i
2010-03-09 10:24:50
1243 
Vishay发布新款集成功率光敏
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新的集成功率光敏,分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A,扩
2010-03-26 11:38:56
973 新型射频前端解决方案(TriQuint)
TriQuint推出新型射频前端解决方案,支持高通(Qualcomm)*最新发布的3G芯片组。TriQuint此次推出的解决
2010-04-29 11:35:38
1131 RFMD 推出新型 RF3826 宽频功率放大器,专为连续波和脉冲应用而设计,如无线基础设施、雷达、双向无线电以及通用放大。这种高性能的放大器采用了先进的高功率密度氮化镓 (GaN) 半导体
2011-10-27 09:17:56
2227 RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增模块。RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化镓功率倍增模块。该器件同时采用了氮化镓 HEMT 和砷化镓 pHEMT 技术,可在
2011-11-16 10:06:46
1607 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体(纳斯达克代码:TQNT),今天发布了15款新型氮化镓( GaN )放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓工艺。这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸
2013-07-01 11:20:20
1408 中国上海,2016年4月19日,2016 ——领先的高性能射频、微波、毫米波及光子半导体供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)今天推出了全新的基于砷化镓衬底pHEMT工艺制作的三级单片集成功率放大器MAAP-011199。
2016-04-19 13:35:41
2022 业内领先的广泛氮化镓 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和开关。TriQuint GaN解决方案可提高射频效率、降低总成本和增强系统坚固性。
2019-03-20 10:56:09
849 去年3月,努比亚发布了旗下首款氮化镓充电器,功率达65W三口(2C1A),此后又推出了120W三口(2C1A)氮化镓充电器、45W双口(1A1C)氮化镓充电器、65W单口氮化镓充电器、Candy多彩
2021-02-19 16:59:27
5049 电容倍增器详细资料
2021-11-15 16:08:57
9 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体,也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外,氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键,该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:18
10907 
氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度,更高的热导率和更低的导通电
阻,氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:06
0 。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。 GaN,中文名:氮化镓,常温常压下是纤锌矿结构。
2023-02-17 14:18:24
12177 领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯达克股票代码:NVTS)宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路,
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了
2023-02-22 13:48:05
3 数据,“读”懂消费需求和偏好,精准匹配供需,推出新型氮化镓智能插座,接受个性化定制色彩。 产品特色:时尚品质、快充供电、四大保护、新一代GaN(氮化镓) 时尚品质:UE智能插座用简约彰显品质 与体型巨大的传统国标五孔排插外形不同, U
2023-03-08 17:24:46
1015 氮化镓(GaN)是一种具有宽带隙的半导体,其开关速度比硅元件快20倍,并且可以处理高达三倍的功率密度。如果在电机驱动器的PFC和转换器级中使用GaN开关,则可以显著降低功率损耗和系统尺寸 - 最终,转换器甚至可以集成到电机中。
2023-04-04 10:19:15
2784 
,“读”懂消费需求和偏好,精准匹配供需,推出新型氮化镓智能插座,接受个性化定制色彩。产品特色:时尚品质、快充供电、四大保护、新一代GaN(氮化镓)时尚品质:UE智
2023-03-09 10:12:50
1646 
电动汽车驱动电机控制器基本结构可分为:壳体、高低压连接器、电子控制元件、电气控制元件、电气功率元件。 电气功率元件主要为IGBT集成功率模块,是电气控制器关键零部件。 通过电子控制元件与电气控制
2023-07-28 11:03:45
3706 
作为氮化镓快充控制器国产化的先行者,KeepTops率先实现了氮化镓控制芯片的自主可控性,并成功量产集成GaN直驱的控制器。得到了业界的广泛认可,现已推出。
KeepTops继推出氮化镓控制器后
2023-10-11 15:33:30
1155 
不,氮化镓功率器(GaN Power Device)与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件,它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:44
2506 论文研究氮化镓GaN功率集成技术
2023-01-13 09:07:47
3 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次带大家了解了它的基础特性:氮化镓(GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学
2023-11-09 11:43:53
2424 ,氮化镓芯片具有许多优点和优势,同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓芯片的定义、优缺点,以及与硅芯片的区别。 一、氮化镓芯片的定义 氮化镓芯片是一种使用氮化镓材料制造的集成电路芯片。氮化镓(GaN)是一种半导体
2023-11-21 16:15:30
11008 在最近的IEDM大会上,英特尔表示,已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成,用于高度集成的48V设备。
2023-12-14 09:23:06
2122 
2023年12月15日,中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。
2023-12-15 16:44:11
1621 氮化镓(GaN)MOS(金属氧化物半导体)管驱动芯片是一种新型的电子器件,它采用氮化镓材料作为通道和底层衬底,具有能够承受高功率、高频率和高温度的特性。GaN MOS管驱动芯片广泛应用于功率电子
2023-12-27 14:43:23
3430 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件,具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41
6137 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.
2024-04-25 10:46:56
1248 全球氮化镓功率半导体行业的领军者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成电路的佼佼者伟诠电子联合宣布,双方已成功推出两款新型系统级封装氮化镓器件(SiP)。这两款新品与去年伟诠电子
2024-05-23 11:20:00
1098 本文要点氮化镓是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:18
1988 
什么是氮化镓(GaN)充电头?氮化镓充电头是一种采用氮化镓(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:33
4534 
电子发烧友网为你提供()1218 MHz CATV MMIC 功率倍增器相关产品参数、数据手册,更有1218 MHz CATV MMIC 功率倍增器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-08-29 18:31:54

电子发烧友网为你提供()750/870/1000 MHz CATV 功率倍增器线路放大器 MMIC相关产品参数、数据手册,更有750/870/1000 MHz CATV 功率倍增器线路放大器
2025-08-29 18:32:17

电子发烧友网为你提供()750/870 MHz CATV 功率倍增器线路放大器 MMIC相关产品参数、数据手册,更有750/870 MHz CATV 功率倍增器线路放大器 MMIC的引脚图、接线图
2025-08-29 18:32:46

电子发烧友网为你提供()1 GHz、28 dB 增益 CATV 功率倍增器 Amp扩音器相关产品参数、数据手册,更有1 GHz、28 dB 增益 CATV 功率倍增器 Amp扩音器的引脚图、接线图
2025-08-29 18:35:03

电子发烧友网为你提供()870 MHz、25 dB 增益 CATV 功率倍增器 Amp扩音器相关产品参数、数据手册,更有870 MHz、25 dB 增益 CATV 功率倍增器 Amp扩音器的引脚图
2025-09-01 18:30:00

电子发烧友网为你提供()1218 MHz 高输出 GaN CATV 功率倍增器 Amp扩音器相关产品参数、数据手册,更有1218 MHz 高输出 GaN CATV 功率倍增器 Amp扩音器的引脚图
2025-09-01 18:30:38

电子发烧友网为你提供()1 GHz 功率倍增器混合放大器相关产品参数、数据手册,更有1 GHz 功率倍增器混合放大器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,1 GHz 功率倍增器混合放大器真值表,1 GHz 功率倍增器混合放大器管脚等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-09-12 18:31:06

评论