PCB布线设计时寄生电容的计算方法
在PCB上布两条靠近的走线，很容易产生寄生电容。由于这种寄生电容的存在，
2009-09-30 15:13:33
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呢？因为，在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。（MOS管不能很快得进入开关状态）
2018-09-28 08:02:0019124 什么叫米勒电容？如何作用和影响于MOSFET？
2019-05-12 07:27:0022239 
实际系统的很多方面都会在PCB布局，IC或任何其他电气系统中产生意外的寄生现象。重要的是在尝试使用SPICE仿真提取寄生效应之前，请注意电路图中无法考虑的内容。
2020-12-31 12:01:418249 
我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容时，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915830 
作者：Stephen Woodward 虽然最初人们认为米勒效应只不过是会限制带宽和稳定性的不想要的寄生电容倍增器，但它现在已被有用的拓扑所采纳，如模拟示波器时基积分器。根据这样一个事实：如果放大器
2021-01-26 16:05:202750 
在说MOS管的米勒效应之前我们先看下示波器测量的这个波形。
2023-02-03 15:35:472321 
从多个维度分析了米勒效应，针对Cgd的影响也做了定量的推导，今天我们再和大家一起，结合米勒效应的仿真，探讨下如何减小米勒平台。
2023-02-14 09:25:467164 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
2023-04-26 09:20:532057 
本文探讨了如何使用 PSpice for TI 来仿真电机驱动设计中寄生效应的潜在原因，并提供设计技巧来减轻大功率电机驱动系统中常见的负面影响。 大功率系统设计中最令人沮丧的部分之一是寄生效应的结果
2023-05-03 18:15:002028 
本文主要介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通过了解MOS管的的开关过程，以及MOS米勒电容的影响，来改进MOS管设计。
2023-07-21 09:19:364571 
MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻
2023-08-26 08:12:55915 
米勒电容（Miller capacitance）通常用于运算放大器频率补偿的方法中。
2023-09-18 09:44:47982 
寄生电容有一个通用的定义：寄生电容是存在于由绝缘体隔开的两个导电结构之间的虚拟电容（通常不需要的），是PCB布局中的一种效应，其中传播的信号表现得好像就是电容，但其实并不是真正的电容。
2024-01-18 15:36:14868 
Latch-Up(锁定)是CMOS存在一种寄生电路的效应，它会导致VDD和VSS短路，使得晶片损毁，或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应是早期CMOS技术不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分
2018-08-23 06:06:17
低频下，所有三种电容器均未表现出寄生分量，因为阻抗明显只与电容相关。但是，铝电解电容器阻抗停止减小，并在相对低频时开始表现出电阻特性。这种电阻特性不断增加，直到达到某个相对高频为止（电容器出现电感）。铝聚合物电容器为与理想状况不符的另一种电容器。
2019-08-15 06:33:32
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生电容的影响是什么？焊接对无源器件性能的影响是什么？
2021-06-08 06:05:47
吗，这不是加大了米勒电容，会越发的更难以实现场效应管或者IGBT的导通过程。以上是我个人的理解，肯定有理解不到位或者错误的地方。
2024-01-11 16:47:48
反相放大电路中，输入输出之间的分布电容或者寄生电容由于放大器的方法作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+k倍，k是增益。那么米勒效应和上面说的IGBT的正方向电容怎么联系上？【2】位移电流是如何而来
2017-12-21 09:01:45
90kW变频器，当电流达到110A以上时，IGBT在关断的时候，出现这个波形，请问是怎么回事？在110A以下就不出现。这是IGBT Vce的电压波形，当关断的时候还要再开通一下，这样不就很容易上下桥直通了吗？这是怎么回事呢？是米勒效应导致的吗？如何解决呢？
2017-07-24 10:06:32
上一节讲到，米勒振荡是因为强的负反馈引起的开关振荡，导致二次导通，对于后级大功率半桥、全桥等H桥拓扑结构应用中，容易导致上下管子瞬间导通从而炸毁管子，这个是开关电源设计中最核心的一环，所以如何避免
2018-11-26 11:40:06
，不需要稳压二极管钳制。米勒振荡若只是引起GS绝缘层击穿，那么加稳压二极管很容易解决，问题的关键在于，米勒振荡往往引起二次开关，也就是说，导通了又关闭又导通，多次开关，多次开关带来的直接效应，就是开关损耗
2018-11-20 16:00:00
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2021-01-27 15:15:03
限度降低传导和开关损耗）、如何最大限度降低栅极损耗、如何降低系统寄生效应的影响、如何减小导通电阻等问题。首先，考虑到关断能量、导通能量、米勒效应等都会影响开关行为。通过降低栅极电阻（RG）或者在关闭
2019-07-09 04:20:19
寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑
2021-01-11 15:23:51
的过程），米勒平台大家首先想到的麻烦就是米勒振荡。（即，栅极先给Cgs充电，到达一定平台后再给Cgd充电）因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化，内部电容相应迅速充放电，这些电流脉冲会导致mos寄生电感
2019-07-26 07:00:00
学习进步。寄生效应所谓寄生效应就是那些溜进你的PCB并在电路中大施破坏、令人头痛、原因不明的小故障。它们就是渗入高速电路中隐藏的寄生电容和寄生电感。其中包括由封装引脚和印制线过长形成的寄生电感；焊盘到
2018-10-19 13:46:56
1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄生参数（电容）是限制其
2021-10-28 08:17:48
由米勒电容引起的寄生导通效应，常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应，在硬开关变流器的栅极驱动设计中，通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET
2023-02-27 13:53:56
我上murata官网看了半天电容的datasheet，他就说自己是低寄生电感，具体多低，也没说清楚。是我自己没找到还是datasheet里原本就没？如果没有的话，寄生电感的数值只能瞎猜吗？
2019-12-28 16:39:18
场效应管不导通，LED能亮吗？
2023-10-17 07:09:53
如何减小过孔的寄生效应带来的不利影响？混合信号PCB设计需要注意什么？
2021-04-21 06:21:44
极电压大于G极电压，MOS管寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS管完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS管的开通损耗。(MOS管不能很快得进入开关
2018-12-19 13:55:15
1所示，可以看到，其具有三个内在的寄生电容：G和S的电容CGS；G和D的电容：CGD，也称为反向传输电容、米勒电容，Crss；D和S的电容CDS。图1：沟槽型MOSFET寄生电容功率MOSFET
2016-12-23 14:34:52
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应？
2019-09-05 03:29:03
三极管会不会存在米勒效应
2019-09-10 04:37:38
请问各路大神，场效应管组成的放大电路，存在米勒效应，阶跃时间变得很长，是不是需要增大前级驱动电流，就能减小阶跃时间，或者还有其他方法吗，我看米勒效应都在开关状态下来讲解，但在放大状态依然有米勒平台，这是正常的吗？
2018-08-08 10:29:41
电容器的寄生作用与杂散电容.pdf
2006-04-04 23:33:03
0 利用PCB 线圈消除滤波电容器的寄生电感
摘要：电源系统中，EMI 滤波器是抑制电磁干扰的重要部件，但是其高频性能受限于元器件的寄生效应。本文针对差模
2009-11-16 11:38:3732 电源系统中，EMI 滤波器是抑制电磁干扰的重要部件，但是其高频性能受限于元器件的寄生效应。本文针对差模滤波电容，设计一种PCB 耦合线圈消除其寄生电感，以此改善电容器滤波
2010-02-18 13:08:0337 摘要: 讨论了目前存在的基于米勒电容的采样/保持电路，在此基础上设计了一种简化形式。该电路利用简单的CMOS反相器代替米勒反馈电路中的运算放大器，在保证采样速度和精度
2010-07-31 17:24:530 电容器的寄生作用与杂散电容
电容器的寄生作用问：我想知道如何为具体的应用选择合适的电容器，但我又不清楚许多不同种类 的电容器有哪些优点和缺点?
2009-11-26 10:44:192130 寄生电容,寄生电容是什么意思
寄生的含义 寄身的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线构之间总是有互容，互
2010-03-23 09:33:552558 电容器的寄生作用与杂散电容
电容器的寄生作用问：我想知道如何为具体的应用选择合适的电容器，但我又不清楚许多不同种类 的电容器有哪
2010-01-04 17:03:541297 
电容器的寄生作用与杂散电容，还不错哦
2016-06-15 15:53:576 电容器的寄生作用与杂散电容
2017-01-28 21:32:495 米勒效应解决
2017-06-09 09:56:4048 当频率很高时，电容不再被当做集总参数看待，寄生参数的影响不可忽略。寄生参数包括Rs，等效串联电阻（ESR）和
2017-11-17 15:10:3321230 电容的寄生电感和寄生电阻主要是指它的引线和极板形成的电感和电阻，尤其是容量较大的电容更为明显。如果你解剖过电容器，会看到它的极板是用长达1米的金属薄膜卷曲而成的，其层状就像一个几十、甚至上百圈的线圈
2018-01-31 13:44:5537300 
通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题，工程师需要依据实际情况进行比较和判断。
2018-05-22 09:19:499684 电源设计小贴士51:了解电容器的寄生效应
2018-08-15 01:13:0015028 除了前述有形的电感与电容外，在高频下，更是会出现无形的电感与电容，亦即所谓的寄生效应。接下来将探讨寄生效应之注意事项。前述可知，当两个金属很靠近时，便形成了电容。
2018-10-22 08:00:0020 米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平台（miller plateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
本文首先介绍了寄生电容的概念，其次介绍了寄生电容产生的原因，最后介绍了寄生电容产生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588 分布电容强调的是均匀性。寄生跟强调的是意外性，指不是专门设计成电容，却有着电容作用的效应，比如三极管极间电容。单点说，两条平行走线之间会产生分布电容，元器件间在高频下表现出来的容性叫寄生电容。
2019-04-30 15:56:3019502 
减小电感寄生电容的方法
如果磁芯是导体，首先：
用介电常数低的材料增加绕组导体与磁芯之间的距离
2019-07-18 08:00:001 寄生电感一半是在PCB过孔设计所要考虑的。在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。我们可以用下面的公式来简单地计算一个过孔近似的寄生电感。
2019-10-11 10:36:3319064 寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。
2020-09-17 11:56:1127673 您是否曾经想过为什么某些 PCBA 电容器看上去与电池非常相似？盖子和电池的功能是否类似？实际上，它们在许多情况下执行相同的基本功能。也就是说，它们既存储又释放能量。那么，电容器和电池有什么区别
2020-09-30 18:46:333755 使用IGBT时，面临的常见问题之一是由于米勒电容器而导致的寄生导通。在0至+15 V型栅极驱动器（单电源驱动器）中，这种影响是明显的。
2021-05-17 07:31:006521 
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险（如图1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
AN39-升压变压器设计中的寄生电容效应
2021-04-28 17:42:254 本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒电容器寄生导通效应的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容 寄生电容： 本质上还是电容，满足i=c*du/dt。 电容是用来衡量储存电荷能力的物理量。根据
2022-07-27 14:23:5515292 
米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。
2022-08-30 15:34:142286 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
2022-10-28 10:18:378282 MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
2022-10-31 02:03:321073 
EMI 的工程师指南第 3 部分 — 了解功率级寄生效应
2022-10-31 08:23:584 在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10 14:05:506736 
随着半导体工艺的发展，由导线引起的寄生效应产生的影响越来越大。三个寄生参数（电容、电阻和电感）对电路都有影响。
2023-02-13 10:38:023801 
在上一篇文章中详细描述了带阻性负载时米勒平台是怎样的，对各阶段做了定量分析，相信看过的同学应该会有所收获。今天我们来聊一聊带感性负载时米勒平台是怎样的。
2023-03-26 13:40:481712 在电路设计中每个器件都有其寄生参数。例如，一个电感中还存在容性和阻性分量，电容中还存在感性和阻性分量。
2023-04-08 11:43:27831 
关于MOS管的米勒效应，已经输出了8篇，今天这一篇是MOS管章节的最后一篇，下一篇就开始整理运放相关的内容。我个人认为今天聊的这个话题至关重要：抑制米勒效应和抑制EMI之间如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数
2023-05-15 16:11:324099 
之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台
2023-05-25 17:24:253999 
本文要点寄生电容的定义寄生电容影响电路机理消除寄生电容的方法当你想到寄生虫时，你可能会想到生物学上的定义——一种生活在宿主身上或在宿主体内的有机体，从宿主身上吸取食物。从这个意义上说，寄生虫可能是
2022-05-31 11:09:011733 
搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图
2023-03-03 16:04:061634 
寄生电容有一个通用的定义：寄生电容是存在于由绝缘体隔开的两个导电结构之间的虚拟电容（通常不需要的），是 PCB 布局中的一种效应，其中传播的信号表现得好像就是电容，但其实并不是真正的电容。
2023-07-24 16:01:365440 
电容可能会对电路的性能和稳定性产生影响。因此，在 PCB 布线设计中，充分了解寄生电容的产生原因和处理方法是非常必要的。 什么是 PCB 连线寄生电容 维基百科上对于 PCB 连线寄生电容的定义是“由于 PCB 上信号线之间的相互耦合而导致的电容效应”。
2023-08-27 16:19:441608 为什么说共源共栅结构会减小米勒电容效应呢？ 共源共栅结构是一种常见的放大器电路结构，在多种电路应用中都有广泛的应用。它由共源、共栅、共耦合电容和外部负载等元件组成。共源共栅结构由于具有许多优良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应？ 米勒电容是指由电路中存在的电感所形成的电容。它可以导致电路中的寄生导通效应，从而影响电路的性能。常见的一种解决方法是使用补偿电容，但这么做也会带来其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒电容对IGBT关断时间的影响 IGBT，即绝缘栅双极性晶体管，是一种高效、高稳定性的半导体器件。它是一种功率开关元件，能够控制大电流和高电压的开关。IGBT的关断时间是非常重要的一个参数
2023-09-05 17:29:421284 许多优点，但由于它们的关断速度受到所谓的寄生电容影响，使其对快速切换应用有限制。因此，理解寄生电容对MOS管快速关断的影响至关重要。在本文中，我们将探讨MOS管寄生电容的作用以及如何减轻其对快速关断的影响。 MOS管的寄生电容： 在MOS管中，寄生电容产生的原因是因为当
2023-09-17 10:46:581244 米勒电容效应怎么解决？ 米勒电容效应是指在一个带有放大器的电路中，负载电容会产生一种反馈效应，使得整个电路的增益降低或者不稳定。这种效应的产生会影响到很多电路的稳定性和性能，是电子设计中必须面对
2023-09-18 09:15:451230 电容器的寄生作用与杂散电容
2022-12-30 09:21:513 电容器的寄生作用与杂散电容
2023-03-01 15:37:551 MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半导体开关中使用共源共栅拓扑消除米勒效应
2023-12-07 11:36:43237 
寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。 它们通常是由于电路布局、线路长度、器件之间的物理距离等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246 
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