。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
每个桥臂需要4个MOSFET以及各自的驱动,增加了系统复杂度,再比如每个桥臂需要各自的钳位二极管,增加了系统成本。 本文中,将介绍我们8KW LLC变换器的设计方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
通时由电容驱动的栅极 - 源极电压,其源于半桥配置中第二个碳化硅MOSFET的高dv/dt开关。 硅MOSFET设计中在此类问题一般可以通过栅极驱动器和硅MOSFET栅极之间插入一个高阻值电阻,或找到
2023-03-14 14:05:02
,因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。 (4)碳化硅器件可工作在高温,碳化硅器件已有工作在600oC的报道,而硅器件的最大工作温度仅为150oC. (5)碳化硅具有很高的抗辐照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
充电器、电机和太阳能逆变器,不仅可以从这些新器件中受益匪浅,不仅在效率上,而且在尺寸上,可实现高功率、高温操作。但是,不仅器件的特性让人对新设计充满好奇,也是意法半导体的战略。碳化硅(SiC)技术是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 编辑
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点,在电子器件领域有着
2022-02-17 14:36:16
领域的创新步伐不断加快,工程师们越来越多地在寻找新的解决方案,并对技术提出更多的要求,以满足消费者和行业的需求。碳化硅半导体是满足这些需求的优选答案,其本身也在不断改进,以期提供与旧技术相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
精细化,集成化方向发展。 在新技术驱动下,汽车电子行业迎来新一轮技术革命,行业整体升级。在汽车大量电子化的带动之下,车用电路板也会向上成长。车用电路板稳定订单和高毛利率的特点吸引诸多碳化硅基板从业者
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
明显优势,可以用来做成高耐压的肖特基二极管,目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。 03 碳化硅肖特基二极管结构简析 肖特基二极管:以金属为阳极,以N
2023-02-28 16:55:45
,能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点,应用开关频率可达到1MHz,在高频应用中优势明显,其中碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
已经成为全球最大的半导体消费国,半导体消费量占全球消费量的比重超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。降低器件损耗,提升系统 EMI 表现。在新能源汽车电机控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC ) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
栅极电压,在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间,也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
,利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件,可以降低驱动器损耗,提高开关频率,降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET,验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度,更好的温度特性使得系统损耗大幅降低,效率提升,体积减小,从而实现变换器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
系统能做得越小巧,则电动车的电池续航力越高。这是电动车厂商之所以对碳化硅解决方案趋之若鹜的主要原因。相较于碳化硅在大功率电力电子设备上攻城略地,氮化镓组件则是在小型化电源应用产品领域逐渐扩散,与碳化硅
2021-09-23 15:02:11
,在这些环境中,传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能,包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天,SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来,预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
,获得华大半导体有限公司投资,创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块,并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中,可实现相比硅元器件更高的工作温度,实现双倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合,可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管,也是一个不错的选择,与纯硅解决方案相比,可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
和高性能的碳化硅 MOSFET之间,在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET,可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡,具有重要的应用价值,特别适用于对功率密度提升有需求,同时更强
2023-02-28 16:48:24
本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器,如图所示。由于碳化硅的高阻断电压, 快速开关及低损耗等
2016-08-05 14:32:43
不同的2A通道控制。它经过精心设计和优化,可驱动外部电源开关器件,可以是碳化硅(SiC)MOSFET或常开JFET器件(用户可在板级选择配置)。可以使用其他功率开关器件,例如常关JFET,以及IGBT甚至
2019-05-13 09:37:52
在开启时提供此功能。实验验证表明,在高负载范围和低开关速度(《5V/ns)下,SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比,导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中,dv/dt 通常限制为 5V/ns,电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47
,能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流,并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器,可轻松用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
功率半导体技术的不断改进使功率转换器更加高效和紧凑。碳化硅 CoolSiC™ MOSFET因其卓越的效率,尤其是在部分负载下而被视为电驱动应用的新趋势。甚至可以实现无风扇设计,从而实现集成度更高
2023-02-22 16:42:00
安森美半导体已成为主要汽车半导体技术的一个全球领袖。 安森美半导体是自动驾驶系统的图像传感器、电源管理和互通互联领域的一个公认的佼佼者。此外,公司的广泛电源方案组合,包括模块和碳化硅(SiC)/氮化镓
2018-10-11 14:33:43
安森美半导体电源方案部(PSG)加速了扩展分立器件、集成电路(IC)、模块和驱动器产品阵容,针对汽车应用中的高电源能效方案。公司电源方案部的汽车认证的器件数现已超过4,000,是该行业中最大的供应商
2018-10-25 08:53:48
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装,采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
,导通电阻更低;碳化硅具有高电子饱和速度的特性,使器件可工作在更高的开关频率;同时,碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性,使电力
2023-02-22 16:06:08
位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚,为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在
2018-08-06 14:37:25
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
的门槛变得越来越低,价格也在逐步下降,应用领域也在慢慢扭转被海外品牌一统天下的局面。据统计,目前国内多家龙头企业已开始尝试与内资品牌合作。而SiC-MOSFET, 当前国内品牌尚不具备竞争优势。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
)和1200V 碳化硅隔离全桥DC/DC方案(下图)因此碳化硅MOSFET在软开关桥式高输入电压隔离DC/DC电路中优势明显,简化拓扑,实现高效和高功率密度。特别是它的超快体二极管特性使无论谐振LLC
2016-08-25 14:39:53
小于5ns; · 选用低传输延时,上升下降时间短的推挽芯片。 总之,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时,对于驱动器也提出了更高要求,为了让碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等为代表。四、碳化硅半导体应用碳化硅半导体器件,其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。原作者:大年君爱好电子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩(电动汽车充电站)应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够监控和保护各种故障情况。图1:电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET,栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法_钟志远
2017-01-04 16:32:5017 近年来,以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管,以其宽带隙,高电场强度,良好散热特性,以及高可靠性等特点,为客户
2018-09-24 09:13:007217 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块
2019-05-16 09:10:563764 硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面
2019-12-09 13:58:0223531 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加,以满足更低的碳排放目标,基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合
2021-10-09 16:17:461644 电动出行和可再生能源系统需要能够提高性能效率和加快开发时间的电源管理解决方案。为满足这些要求,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布与Mersen合作推出150千伏安(kVA)三相碳化硅电源协议栈参考设计。
2021-12-14 09:44:591588 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161072 亿美元的新工厂。随着新能源汽车的加速渗透,碳化硅技术的重要性愈发凸显。安森美、Wolfspeed、意法半导体等碳化硅领域主导企业,均发表了对行业发展的积极展望,并计划投资扩大产能。碳化硅大厂间的新一轮卡位之战正在展开。 激进的扩产步伐 作为碳化
2022-10-08 17:02:25872 基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三合一电驱动总成的冷却系统设计方案。为了进一步
2022-12-21 14:02:33836 摘 要 基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三合一电驱动总成的冷却系统设计方案
2022-12-21 14:05:031414 碳化硅具备耐高温、耐高压、高频率、高效率等特性,发展势头迅猛。基于碳化硅特性,碳化硅驱动器相较于硅器件驱动器有其特殊要求,面临不同的设计挑战。青铜剑技术针对碳化硅的应用特点,推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驱动器,可满足多样化需求。
2022-12-29 11:34:26964 硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰**几个方面。
2023-02-03 14:54:471076 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此,碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:151182 随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入,国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升,研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49855 环球晶董事长徐秀兰10月26日表示,她2年前错估了客户对8英寸碳化硅(SiC)需求,现在情况超出预期,她强调环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设,预估明年将送样给需要8英寸基板的客户进行认证,并于2025年量产。
2023-10-27 15:07:43394 点击蓝字 关注我们 安森美(onsemi) 中国区汽车市场技术应用负责人、碳化硅首席专家吴桐博士 近日就碳化硅产业链迭代趋势以及完善产业链背后 安森美的公司业绩、 运营模式、市场前景与产业合作等内容
2023-11-01 19:15:02394 碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 ,从而具有较高的导电能力和热导率。相比传统的硅MOSFET,在高温环境下,碳化硅MOSFET表现更加出色。这意味着碳化硅MOSFET能够在高温条件下提供更高的功率密度和更高的效率。高温特性使得碳化硅MOSFET成为高频开关电路的理想选择。 2. 快速开关速度: 碳化硅MOSFET具有极
2023-12-21 10:51:03357 ,高耐压,高可靠性。可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管。它的工
2024-02-21 18:24:15412
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