隔离式栅极驱动器提供电平转换、隔离和栅极驱动强度，以便操作功率器件。这些栅极驱动器的隔离特性允许高侧和低侧器件驱动，并且能够在使用合适的器件时提供安全栅。示例应用程序如图 1 所示。VDD1
2022-12-19 11:46:18
1809 
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 对 MOSFET 的栅极进行充电和放电需要同样的能量， 无论充放电过程快或慢 (栅极电压的上升和下降)。因 此，MOSFET 驱动器的电流驱动能力并不影响由 MOS- FET 栅极的容性负载产生的驱动器功耗。
2018-04-28 09:11:0612542 
英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案，用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器，从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:52:08748 
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET栅极驱动器LTC44411资料下载内容包括：LTC4441-1功能和特点LTC4441-1引脚功能LTC4441-1内部方框图LTC4441-1典型应用电路LTC4441-1电气参数
2021-03-24 07:13:00
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在寻找这两个MOSFET的驱动器IC，FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的逻辑由CPLD产生，为3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。这些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
ID-VGS的温度特性一致。另外，VGS(th)可用于推算Tj。VGS(th)的温度特性中有直线性，因此可除以系数，根据VGS(th)的变化量计算温度上升。关键要点:・使MOSFET导通的电压称为“栅极阈值
2019-05-02 09:41:04
NCP51530AMNTWG
2023-03-28 13:11:17
NCP51530BMNTWG
2023-03-29 21:53:48
描述：NCP302045MNTWG在一个封装中集成了 MOSFET 驱动器、高压侧 MOSFET 和低压侧 MOSFET。该驱动器和 MOSFET 适用于高电流 DC−DC 降压功率转换器
2022-02-10 13:07:46
描述：NCP302155MNTWG是一款集成了MOSFET驱动器，高−侧面MOSFET而且很低−将侧边MOSFET封装成单个封装。驱动器和MOSFET已经过优化，以实现高性能−现在的直流−直流降压
2021-07-14 19:55:16
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W镇流器评估板。 NCP5106是一款高压栅极驱动器IC，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自举技术，以确保正确驱动高端电源开关。该驱动程序使用2个独立输入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-11-23 14:05 编辑
NCP5106是一款高压栅极驱动IC，提供两个输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，使用自举技术
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W镇流器评估板。 NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET，这些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
同时施加一个信号，则两个通道输出的时间延迟是延迟匹配数值。延迟匹配数值越小，栅极驱动器可以实现的性能越好。延迟匹配有两个主要好处：· 确保同时驱动的并联MOSFET具有最小的导通延迟差。· 简化了栅极
2019-04-15 06:20:07
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
LED驱动器NCP5602资料下载内容主要介绍了：NCP5602功能和特性NCP5602引脚功能NCP5602内部方框图NCP5602典型应用电路
2021-03-31 07:42:20
安装，灵活性和成本效益使Si8751成为各种隔离MOSFET栅极驱动应用的理想选择。 Si8751评估板允许设计人员评估Si8751系列MOSFET驱动器
2020-06-08 12:07:42
变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着
2021-01-22 06:45:02
，使用双极结型晶体管(BJT)图腾柱驱动低侧配置中的电源开关。但是，由于栅极驱动器IC的诸多优势及其附加特性，它日益取代了这些分立式解决方案。图2显示了典型BJT图腾柱配置与典型栅极驱动器IC。 图 2
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14:07
简介NCP4305是NCP4303/4的升级版，支持高达1 MHz的工作频率，提供大电流门驱动器及高速逻辑电路，用于为同步整流MOSFET提供时序恰当的驱动信号。由于其新颖的架构，能在任何工作模式下使
2019-06-17 05:00:09
显示了IGBT的理想导通特性以及针对不同类型驱动器的相应栅极电流。在整篇文章中，仅考虑开启特性。 （A） 图片由Bodo的电力系统公司提供 （B） 图片由Bodo的电力系统提供 （C
2023-02-21 16:36:47
碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要能够提供负电压的特殊栅极驱动器碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要特殊的栅极驱动器
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
、时序特性更精确，与光耦合器相比，具有速度优势。在图3中，采用的是一个脉冲变压器，其工作速度可以达到半桥栅极驱动器应用通常所需的水平(最高1 MHz)。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电
2018-10-23 11:49:22
驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔离式半桥驱动器的功能是驱动上桥臂和下桥臂N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极，通过低输出阻抗降低导通损耗，同时通过快速开关时间降低开关损耗。上桥臂
2018-10-16 16:00:23
展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制
2018-09-26 09:57:10
求助，使用ncp1652做的驱动器，不知道用什么仿真
2013-05-14 21:50:20
NCP4303B采用无铅8引脚SOIC封装,门驱动钳位电压为6V，门驱动钳位电压为6 V。为全功能同步整流控制器及驱动器集成电路。用于为同步整流MOSFET提供时序恰当的驱动信号。典型值40 ns
2021-04-19 07:11:34
如果一个特殊的功率器件需要正负栅极驱动，电路设计人员无需特别寻找可进行双极性操作的特殊栅极驱动器。使用一个简单的技巧，就可以使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2019-08-06 06:08:24
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
安森美半导体的NCP51530是700 V高低边驱动器，用于AC-DC电源和逆变器，提供高频工作下同类最佳的传播延迟、低静态电流和开关电流。NCP51530具有行业最低的电平漂移损耗，使电源能在高频
2020-10-28 09:07:43
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器？考虑一个具有微控制器的数字逻辑系统，其I/O引脚之一上可以输出一个0 V至5 V的PWM信号。这种PWM将不足以使电源系统中使用的功率器件完全导通，因为其过驱电压一般超过标准CMOS/TTL逻辑电压。如此，请大神分析下面两种方式：
2018-08-29 15:33:40
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
新年伊始，设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我讨论了高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管
2019-03-08 06:45:10
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计本应用笔记将详细讨论与MOSFET 栅极电荷和工作频率相关的MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据MOSFET 所需的导通和截止时间将MOSFET 驱动器的
2010-06-11 15:23:20
212 单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
当今多种模式风头技术和鬼片支撑并存，而且技术进步越来越快，要根据MOSFET的电压/电流或管芯吃困，对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进行了一般说明。 本笔记详细讨论与MOSFET栅
2011-03-31 16:29:21142 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 
10 月 1 日 – 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:271040 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉！该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍
2017-04-26 15:18:383420 
的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723 TI公司的DRV8305-Q1是三相马达驱动用的栅极驱动器,提供三个半桥驱动器,每个能驱动高边和低边N沟MOSFET;电荷泵驱动器支持100%占空比.器件满足AEC-Q100标准,4.4-V
2018-04-27 06:17:008876 
ADP3110A是一个单相12V MOSFET栅极驱动器，它被优化成在同步降压转换器中同时驱动高_侧和低_侧功率MOSFET的栅极。高_侧和低_侧驱动器能够以25ns的传播延迟和30ns的过渡时间驱动3000pF负载。
2018-08-27 10:44:0078 视频简介：在本视频中，您将了解NCP1568的主要优势，并观看演示，使用相应的高速半桥驱动器NCP51530和次级端同步整流器NCP4305。
2019-03-14 06:02:005807 
通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
安森美半导体的NCP51530是700 V高低边驱动器，用于AC-DC电源和逆变器，提供高频工作下同类最佳的传播延迟、低静态电流和开关电流。NCP51530具有行业最低的电平漂移损耗，使电源能在高频
2019-06-02 09:28:084137 电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)NCP51530相关产品参数、数据手册，更有NCP51530的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，NCP51530真值表，NCP51530管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-07-31 01:02:17
Important Characteristics of Insulated Gate Drivers隔离式栅极驱动器的重要特性Thomas
2019-09-29 13:47:303445 
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。
2020-01-29 14:18:0019390 
来源：罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等，因为MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器在 -55°C 至 125°C 的节温范围内工作
2021-03-19 01:44:181 LTC4441：N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手册概述了 ACPL-P349/W349 评估板的特性以及评估隔离式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以确保收到的评估板处于良好状态。
2021-06-23 10:45:213357 
隔离式栅极驱动器的特性及应用综述
2021-06-25 10:17:3021 ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 NCP302155AMNTWG 栅极驱动器（31-PQFN）
2022-05-14 14:19:45726 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装，可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
并联MOSFET可实现高功率设计（如交错式升压转换器），并且可以在多个级别完成。在为并联MOSFET实现驱动器时，其栅极不应直接连接在一起，而应将栅极电阻分别施加到每个栅极。
2022-10-19 10:03:241017 高压栅极驱动器的功耗和散热考虑分析
2022-11-15 20:16:281 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:121151 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 高侧非隔离栅极驱动 1.适用于P沟道的高侧驱动器2.适用于N沟道的高侧直接驱动器 1.适用于P沟道的高侧驱动器 高侧非隔离栅极驱动可按照所驱动的器件类型或涉及的驱动电路类型来分类。相应地，无论是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45515 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391004 
栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电栅极驱动器的原理及应用分析用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-05-17 10:14:526261 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391475 常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:54:02518 
宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南 。本文为
2023-06-25 14:35:02378 
介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
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