近日，华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管系列产品，并实现量产。其碳化硅二极管将主打充电桩、太阳能、UPS、通信和服务器电源等应用。该产品的多项关键参数均可与国
2020-07-21 11:16:20
12912 极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC（碳化硅）？何谓碳化硅SiC功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD－特征以及与Si
2018-11-27 16:40:24
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推动在包括车载
2018-12-04 10:09:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
常适合功率元器件的半导体材料，具有优异的特性。作为肖特基势垒二极管时，具有卓越的高速性能，可实现Si-SBD无法匹敌的高耐压元器件。从耐压的角度可与Si-FRD一争高下，但其恢复性能更具优势。高速恢复
2018-12-03 15:12:02
STMicroelectronics的快速碳化硅结构肖特基二极管 STMicroelectronics碳化硅结构肖特基二极管的开关使设计人员可以达到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
肖特基二极管、稳压二极管、瞬态二极管之间的区别和理解1、肖特基二极管肖特基二极管是以贵金属为正极，N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性制成的金属-半导体器件。肖特基整流管的结构
2021-11-15 06:47:36
肖特基二极管SCHOTTKY 100V 1A POWERDI123 常州鼎先电子有限公司***邢思前专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array`
2020-11-02 10:14:46
` 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V
2019-01-08 13:56:57
肖特基二极管分贴片和插件这两种类别，一种是常见三个脚的肖特基二极管，印字是“例：MBR20100FCT”，符号是 “ ”；第二种是贴片肖特基二极管，贴片肖特基二极管的印字多数是用型号来做印字
2021-07-09 11:45:01
。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10ns数量级；适用于低电压（小于50V）的功率电子电路中（当电路电压高于100V以上时，则要选用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
` 在电子产品生产中，都会用到一种材料，它也因此被誉为电子行业的“生命之源”这种材料就是肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复
2019-02-20 12:01:29
（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了
2015-11-27 18:02:58
肖特基二极管和普通稳压二极管有什么区别
2020-04-13 17:11:31
直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。肖特基二极管规格书下载：
2022-01-24 11:27:53
，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。三、额定电流IF：指肖特基二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。肖特基二极管规格书下载：
2022-05-31 17:17:19
肖特基二极管一种应用电路，这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管
2021-06-30 16:48:53
半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。[编辑本段
2017-10-19 11:33:48
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件
2020-11-26 17:31:19
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件
2021-11-16 17:02:37
肖特基二极管优点：肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
一、对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。二、应用电路的峰值工作电压应小于MDD肖特基二极管的最高反向击穿电压Vrrm。三、应用电路内的MDD肖特基二极管的实际工作温升应小于
2021-06-15 15:33:58
、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。1） 整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。2
2016-03-22 14:55:18
是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样
2021-04-17 14:10:23
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管
2021-06-30 17:04:44
较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、打电流整流（或续流）电路的效率。肖特基二极管的作用：肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管
2020-10-27 06:31:18
在不同的电路部分。这是一个追求性能和用户体验，对成本不敏感的行业，是肖特基二极管(同时也是sic功率器件)的第1个民用下游领域，曾经在早期为siC功率器件厂家提供了最初的现金流。由于我国缺乏高端音响制造业
2018-11-14 14:54:30
集成电路Al内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
` 虽然肖特基二极管是一个简单器件，但它却有许多值得考虑的特性。这些特性通常取决于应用，其中一些应用包括：整流器、信号线或、晶体管关闭、续流（电感器和电机）等，当然还有专用功能如LED和基准电压
2019-02-21 13:39:32
除了型号，外形上一般没什么区别，但可以测量正向压降进行区别，直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V
2019-06-12 04:20:33
肖特基二极管的额定电流是什么呢？额定电流是肖特基二极管的主要标称值，比如10A /100V的肖特基二极管，10A就是该肖特基二极管的额定电流。通常额定电流的定义是该肖特基二极管所能通过的额定平均电流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二极管的额定电流是什么呢？额定电流是肖特基二极管的主要标称值，比如10A /100V的肖特基二极管，10A就是该肖特基二极管的额定电流。通常额定电流的定义是该肖特基二极管所能通过的额定平均电流
2021-07-21 15:26:58
物理学家Walter Schottky开发了金属-半导体接触的模型。与半导体-半导体接触相反，肖特基二极管由于材料组成的选择方式在半导体的界面上形成了一个耗尽区而因此具有势垒。这防止了低于特定功率阈值
2017-04-19 16:33:24
(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流
2018-10-25 14:48:50
`编辑ZASEMI肖特基二极管MBR60200PT是肖特基二极管中非常常见的型号，TO-247封装，正向整流60A，反向耐压200V，正向压降0.87V，正向峰值浪涌电流500A，反向漏电流为
2021-04-29 16:26:23
和小信号检测二极管。 肖特基二极管是功率整流应用的最佳半导体器件，因为这些器件具有高电流密度和低正向压降，这与普通的PN结器件不同。这些优势有助于降低热量水平，减少设计中包含的散热器数量，并提高电子
2021-10-18 16:45:00
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，极低反向电流 ，无反向恢复电流 ，低电容电荷， 提高效率，降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
没有开关损耗⚫ 硅二极管系统效率的提高⚫ 功率密度增加⚫ 实现更高的开关频率⚫ 减少对散热器的需求⚫ 由于更小的磁性，系统成本节约⚫ 减少电磁干扰广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业
2021-11-06 09:26:20
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基势垒的高度低于PN结势垒，肖特基二极管的正向传导阈值电压和正向压降均低于PN结势垒，约低0.2V。(2)由于肖特基二极管是一种大多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管规格书下载：
2022-01-18 10:35:14
恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能
2019-03-11 11:24:39
mV 时，电流就开始成指数增长。需要注意的是，肖特基二极管是单极性器件，而 PN 结二极管是双极性器件。通过肖特基二极管的电流只是由于电子。而在 PN 结二极管中，流过二极管的电流是由电子和空穴
2022-03-19 22:39:23
什么是肖特基二极管？
2014-03-05 09:25:07
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
0.61V，这样就大大的提升了工作效率，所以低压降肖特基二极管能广泛的应用于有六级能效要求的方案中。另外，低压降肖特基二极管的反向恢复时间可以小到几纳秒，而且它的整流电流可以达到几千安，适用于低电压、大电流的条件下工作。低压降肖特基二极管规格书下载：
2022-01-24 15:00:32
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率肖特基二极管来说它不仅影响效率也影响肖特基二极管的温升，所以在价格条件
2018-10-18 18:19:30
`肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护
2018-12-10 15:19:35
性能良好。通常高压大功率肖特基二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。 一、肖特基二极管的选择
2018-10-30 15:59:52
` 低压降肖特基二极管是正向压降比普通肖特基二极管还要低的一种半导体器件，可以理解成升级版性能更优，压降更低，效率更高的肖特基二极管。 肖特基二极管SBT20V100也称为金属半导体结二极管
2018-10-17 15:20:19
SiC-SBD的特征，下面将介绍一些其典型应用。主要是在电源系统应用中，将成为代替以往的Si二极管，解决当今的重要课题——系统效率提高与小型化的关键元器件之一。＜应用例＞PFC（功率因数改善）电路电机驱动器电路
2018-12-04 10:26:52
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
转换器，以及作为续流二极管和极性保护二极管使用。国内大小电流肖特基二极管的主要作用是整流、检波、续流、保护等。赛特微电子所生产研发的小电流肖特基二极管大部分属于贴片系列，体积小、效率高、低损耗、脚位平直
2020-08-28 17:12:29
,小电流的电子产品；10A或以上的肖特基二极管常用于较复杂的电路中，对电流要求比较高。如:PC 电源,适配器等。 因此，10A是一个较为敏感的界限，10A以上一般称之为大电流肖特基二极管。肖特基二极管规格书下载：
2022-03-31 16:56:22
电场而具有高击穿电压。例如，商用硅肖特基二极管的电压小于300V，而第一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3）碳化硅具有较高的导热性。4）SiC器件可以在更高的温度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
仅约为100V，以致于限制了肖特基二极管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二极管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV之间的高速
2018-10-19 11:44:47
恢复二极管的反向击穿电压高，一般都高于200V，甚至几千伏，而肖特基二极管的反向击穿电压很低，普遍在100以下，有些会高一点；3、快恢复二极管的功耗较大，而肖特基二极管反向恢复时间短、损耗小、噪声低。原作者：大年君爱好电子
2023-02-16 14:56:38
客户简单讲解一下。肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流
2015-10-19 11:26:11
机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅
2022-03-31 10:04:12
结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下
2020-12-15 15:45:54
的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。公司基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管(肖特基势垒二极管):它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件，其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒)。正向导通压降仅0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为
2019-06-12 02:34:10
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
` 肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
器件比较理想的材料，2000年5月4日，美国CREE公司和日本关西电力公司联合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二极管，其正向压降VF在100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。转自：《电力电子网》
2016-11-14 20:01:52
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必须首先解决一个问题：SiC MOSFET反向操作期间，体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒二极管嵌入MOSFET，使体二极管失活的器件结构，但发现用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。 肖特基势垒二极管（SBD）作为一种单极性器件，在导通过程中没有额外载流子注入和储存，因而基本没有
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管主要技术参数如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二极管电流范围从2-40A，封装涵盖TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封装，产品列表见下：原作者：基本半导体
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率，性能优越达到国际先进水平，可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4v，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7v，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2021-11-12 06:28:29
我现在有一个48V的直流接触器，为了保护电路中元器件，要在其线圈两端反接一个二极管，这个二极管应该用什么型号的二极管，开关二极管好还是肖特基二极管好？有什么区别？
2017-02-03 16:04:22
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
2019-09-30 09:12:59
采芯网转载：大功率肖特基二极管（SBD）是贵金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件。大功率肖特基二极管的结构和特点使其适合于在低压、大电流
2016-12-06 18:25:12
的安全裕量。 图1 CoolMOS高压功率MOSFET及其内部体二极管的横截面示意图2. 反向恢复行为新一代CoolMOS™ 650V CFD的反向恢复特性如图2所示。与标准器件相比，新一代
2018-12-03 13:43:55
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件。
2021-11-05 16:18:34678 
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