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电子发烧友网>模拟技术>部分耗尽SOI器件新体接触技术可有效克服MOSFET中的浮体效应

部分耗尽SOI器件新体接触技术可有效克服MOSFET中的浮体效应

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功率MOSFET心得

功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应
2023-02-15 15:47:36426

耗尽模式和增强模式MOS管是什么?有什么区别?

耗尽MOSFET 类似于开路开关。在此模式下,施加栅极到源极电压 (VGS) 以关闭器件。当栅极电压为负时,正电荷会在通道中累积。这会导致沟道中的耗尽区并阻止电流流动。因此,由于电流的流动受耗尽区形成的影响,所以称为耗尽MOSFET
2023-02-19 17:44:015801

ASCP200 63D电气防火限流式保护器可有效克服传统断路器

ASCP200 63D电气防火限流式保护器可有效克服传统断路器
2023-05-04 11:09:23641

基于部分耗尽SOI CMOS技术的单片集成微悬臂梁生物传感器

)下的应用。 据麦姆斯咨询报道,近日,北京大学于晓梅教授课题组开发了一种基于部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)CMOS技术的单片集成微悬臂梁传感器,其中压阻式微悬臂梁阵列及其片上信号处理电路都制作在SOI晶圆的器件层上。与体硅CMOS电路相比,这种单片集成工艺利用了高应变灵敏度因数的硅基微悬臂梁和低寄生电容、
2023-05-28 12:18:37520

8.1.5 增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.5增强型和耗尽型工作模式8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.1.4比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长
2022-02-20 14:15:56384

增强型和耗尽MOSFET之间的区别是什么?

MOSFET可进一步分为耗尽型和增强型。这两种类型都定义了MOSFET的基本工作模式,而术语MOSFET本身是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。
2023-06-28 18:17:137755

MOSFET与BJT之间有何不同?MOSFET和BJT之间哪个更好?

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管(FET),由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在MOSFET中,漏极由栅极端的电压控制,因此MOSFET是一种电压控制器件。施加在栅极
2023-07-07 10:13:352977

效应MOSFET是mos管吗?场效应管mos管的区别?

效应MOSFET是mos管吗?场效应管mos管的区别?场效应管和mos管有什么不一样的地方?  MOSFET和场效应管(FET)都属于半导体器件中的一种,类似晶体管。MOSFET是MOS(金属
2023-09-02 11:31:152546

效应管(MOSFET)如何选型呢?

效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件
2023-10-08 17:23:34562

Littelfuse推出800V N沟道耗尽MOSFET CPC3981Z

Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽MOSFET
2023-10-18 09:13:28502

四种类型的MOSFET的主要区别

型晶体管,它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同,可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15644

耗尽MOSFET在非隔离式电源电路中的应用

  在上述电路中,无需使用其它DC-DC元件,仅使用一颗耗尽MOSFET,即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足:Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。
2023-11-08 11:28:26283

如何对耗尽型pHEMT射频放大器进行有效偏置?

烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压,并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪
2023-11-20 19:05:01359

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