电子发烧友网报道（文/程文智）这几年GaN和SiC等第三代半导体器件的商用化进展还不错，GaN器件在快充上开始大规模应用，SiC器件也在汽车上崭露头角。现在大家对第三代半导体器件的前景非常看好，很多
2021-12-27 09:01:00
4168 宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。
2016-12-05 09:18:344405 
，也点燃半导体业新战火。 第三代半导体主要和氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）两种材料有关，不少大厂都已先期投资数十年，近年随着苹果、小米及现代汽车等大厂陆续宣布产品采用新材料的计划，让第三代半导体成为各界焦点。 目前各大厂都运用不同
2021-05-10 16:00:572569 。本届展会顺应产业发展趋势，服务于十几个新兴行业应用。展出面积5.5万平方米，将汇聚800多家展商集中展示集成电路、电子元器件、第三代半导体及产业链材料和设备为一体的半导体产业链。同期举办多场高峰论坛
2021-12-07 11:04:24
GaN具有体积小功率大的特性，是目前最适合5G时代的PA材料。SiC和GaN等第三代半导体将更能适应未来的应用需求。模拟IC关注电压电流控制、失真率、功耗、可靠性和稳定性，设计者需要考虑各种元器件对模拟
2019-05-06 10:04:10
5G最通俗易懂的解释，缩略语中英文全称3GPP3rd Generation Partnership Project第三代合作伙伴计划5GC5G Core Network5G核心网AAUActive Anten...
2021-07-27 07:09:03
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
天线：MassiveMIMO和新材料将应用5G封测：各大封测厂积极备战5G芯片化合物半导体迎来新机遇电磁屏蔽、导热材料获得新市场空间
2020-12-30 06:01:41
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上个世纪六七十年代，III-V族半导体的发展开辟了光电和微波应用，与第一代半导体一起，将人类推进了信息时代。八十年代开始，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体材料的出现，开辟了人类
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
IMT-2000的优势主要在于能够使用宽带服务，大大改进目前在GSM和TDMA/136上提供的标准化服务。第三代移动通信系统将提供 384kbps的广域数据通信服务和大约2Mbps的局域数据通信服务。新的用于
2009-11-13 21:32:08
）第三代红外摄像机技术散热性能好、发光点大、亮度高等特点大大提高了红外灯的使用效率，并且采用独特的COB封装技术能有效地将红外灯5年内的光衰减控制在10%以内，比阵列式的使用寿命延长5年。在使用寿命上
2011-02-19 09:35:33
是激光红外与传统红外的4-5倍，散热性能良好，质量等级高，将广泛应用安放民用市场与工程项目市场。IR-III与激光红外差别距离：帕特罗（PATRO）第三代红外摄像机产品照射距离30～100米，适合中短
2011-02-19 09:38:46
LED:节能环保的第三代照明技术1、半导体照明 LED：变革照明的第三代革命1.1LED 代替白炽灯—任重而道远自 20 世纪 60 年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
2013-08-10 15:35:19
近日，华硕正式发布EeePCShell贝壳机，标志上网本市场正式进入第三代。华硕EeePC全球产品经理吴南磬表示，今后的每款EeePC在设计之初都将预留3G模块的位置，并透露EeePC与传统笔记本将
2009-07-01 22:40:05
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起，UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命，这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖，引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术，根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术，属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
已经将产业未来聚焦到了第三代化合物半导体身上。可以说第三代半导体就是未来功率器件的发展方向。全国两会近日刚落下帷幕，第三代半导体（GaN和SiC）再度成为两会的关键词之一。伴随着第三代半导体行业的触角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展，给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据，以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太阳能的心得。
最近看了很多资料对第三代太阳能的介绍，诸多的评论都说到他的优势，小弟于是购买了这种叫第三代的太阳能－砷化镓太阳能模块。想说，现在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
如何看待高通刚刚发布的5nm第三代5G基带芯片？华为巴龙5000距离x60的差距有多大？
2021-06-18 07:02:55
Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 第三代半导体材料主要包括氮化镓（Gallium Nitride，GaN）、碳化硅（Silicon Carbide， SiC）、氧化锌（Zinc Oxide， ZnO）、氮化铝（Aluminum
2017-11-10 11:35:571 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:52:507478 
本文首先介绍了第三代半导体的材料特性，其次介绍了第三代半导体材料性能应用及优势，最后分析了了我国第三代半导体材料发展面临着的机遇挑战。
2018-05-30 12:37:3334365 
本文首先分别对第一代半导体材料、第二代半导体材料和第三代半导体材料进行了概述，其次介绍了第三代半导体材料应用领域及我国第三代半导体材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17143245 继5G、新基建后，第三代半导体概念近日在市场上的热度高居不下。除了与5G密切相关外，更重要是有证券研报指出，第三代半导体有望纳入重要规划，消息传出后多只概念股受到炒作。证券业人士提醒，有个人投资者
2020-09-21 11:57:553812 耐威科技发力第三代半导体材料，其氮化镓材料项目宣布签约青岛。
2018-07-10 11:13:4611881 日前，在纪念集成电路发明60周年学术会议上，中科院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、西安电子科技大学教授郝跃院士做了题为《宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展》的报告。郝跃院士详细讲解了第三代半导体材料的优势。
2018-10-23 14:36:1313190 第三代半导体，又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的半导体材料，具备高压、高温、高频大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 下，技术也在更新换代。随着Si和化合物半导体材料GaAs在器件性能的提升到了瓶颈，不足以全面支撑下一代信息技术的可持续发展时，寻找新一代半导体材料成为了发展的重要方向。至此，第三代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）闯入了人们的视线！
2019-08-02 14:02:1110111 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值
2020-03-15 09:56:574129 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半导体的产业园。
第二代材料是砷化镓（GaAs），为4G时代而生，目前的大部分通信设备的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带的半导体材料，是未来5G时代的标配
2020-09-04 19:07:147242 
解密第三代半导体材料：华为小米紧追，突破欧美锁喉的新武器 传感器技术 A股半导体材料板块彻底爆了，这还是在前夜美股出现午夜惊魂大跌一场之后！ 探究A股半导体概念股硬气扛住外盘影响的原因，是前一晚一则
2020-09-10 11:26:202443 7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。 当前，第三代半导体材料及器件已成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体成熟商用材料，在新能源汽车
2020-09-12 09:28:092819 周二盘中，第三代半导体板块冲高，截至发稿，聚灿光电拉升封板，派瑞股份大涨近15%，乾照光电、易事特、台基股份等个股纷纷走高。 粤开证券研报指出，第三代半导体是十四五重要发展方向，据国家新材料产业发展
2020-11-03 15:58:30743 9月4日，第二届第三代半导体材料及装备发展研讨会在北京召开，作为第三代半导体产业技术创新战略联盟会员单位，湖南天玥科技有限公司（长沙新一代半导体研究院）参加会议。 公司副总裁袁坚出席会议。 本次会议
2020-09-26 10:55:022340 、基金，但多数人连半导体是什么都没搞清楚，而第三代半导体又是何方神圣？ 在我国发力新基建的背景下，第三代半导体材料成了非常重要的技术支撑。今年4月，国家发改委首次官宣新基建的范围，正式定调了5G基建、人工智能、工
2020-09-26 11:04:023798 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体
2020-09-28 09:52:203299 
、新能源汽车、5G应用等第三代半导体关键市场的增速位居全球前列，为第三代半导体带来巨大的发展空间和良好的市场前景，将催生上万亿元潜在市场。 第三代半导体为何如此被看好，有哪些重点应用方向？我国第三代半导体企业该如
2020-10-09 16:44:513357 2020年，新基建产业站在了风口上。在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基建主要领域中，第三代半导体承担着重要角色。 有消息称，第三代半导体产业将写入十四五规划之中，计划2021年至2025
2020-10-27 10:36:302890 呢？为什么说第三代半导体有望成为国产替代希望？ 第三代半导体也被称为宽带隙半导体，主要是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽带隙半导体材料，其带隙宽度大于2.2eV，是5G、人工智能、工业互联网等多个新基建产业的重要材料，同时也是
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体什么区别？ 一、材料 第一代半导体材料，发
2020-11-04 15:12:374305 实现产业独立自主。 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体什么区别？ 一、材料 第一代半
2020-11-05 09:25:4933332 近年来，随着半导体市场的飞速发展，第三代半导体材料也成为人们关注的重点。第三代半导体材料指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴材料。而这
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 招商引资名单中。 问题来了：第三代半导体产业是真的进入春天还是虚火上升？又有哪些行业真的需要GaN或SiC功率器件呢？相对于IGBT、MOSFET和超级结MOSFET，GaN和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革？ 为了回答这些问题，小编认真阅读了多
2020-12-08 17:28:0312548 最近，“我国将把发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”引爆全网。什么是第三代半导体？发展第三代半导体的意义在哪儿？它凭什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 ，什么材料会再领风骚？记者采访了专家。 禁带宽度，是用来区分不同代际半导体的关键参数。 作为第三代半导体，氮化镓和碳化硅的禁带宽度分别为3.39电子伏特和3.26电子伏特，较高的禁带宽度非常适合高压器件应用。氮化镓电子饱和速度
2021-01-07 14:19:483427 半导体的触角已延伸至数据中心、新能源汽车等多个关键领域，整个行业渐入佳境，未来可期。 第三代半导体可提升能源转换效率 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
在政策导向方面，多项新政策的出台，大大助力了第三代半导体材料产业的发展。近年来，国务院及工信部、科技部等多部门出台了一系列扶持第三代半导体材料产业发展的利好政策。
2021-06-09 09:20:514374 
据统计，目前国内以SiC、GaN为代表的第三代半导体主要制造商已达147家。
2022-07-20 15:16:351477 如何化解第三代半导体的应用痛点 在集成电路和分立器件领域，硅始终是应用最广泛、技术最成熟的半导体材料，但硅材料技术的成熟恰恰意味着难以突破瓶颈。为了打破固有屏障，半导体产业进一步深入对新材料、新工艺
2022-08-02 15:12:291446 
与第一代硅（Si）半导体材料和第二代砷化镓（GaAs）半导体材料相比，碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）的第三代半导体材料（也称为宽带隙半导体材料）具有更好的物理和化学特性，同时具有开关速度快、体积小、效率高、散热快等
2022-12-08 09:56:03887 第三代半导体材料有哪些 第三代半导体材料: 氨化家、碳化硅、氧化锌、氧化铝和金刚石。 从半导体材料的三项重要参数看，第三代半导体材料在电子迁移率、饱和漂移速率、禁带宽度三项指标上均有着优异的表现
2023-02-07 14:06:164201 、射频应用中的显著
性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化镓
2023-02-27 15:23:542 领域的性能方面表现不佳，但还有性价
比助其占据市场。第二代半导体以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）为代表，主要应用领域为光电子、微电
子、微波功率器件等。第三代半导体以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金
2023-02-27 15:20:113 、射频应用中的显著
性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化镓
2023-02-27 14:37:561 所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第三代半导体功率器件的理想材料，可以在溶剂中生长。
2022-01-13 17:39:231522 
第三代半导体以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
能与成本?未来有何发展目标?...... 前言： 凭借功率密度高、开关速度快、抗辐照性强等优点，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料被广泛应用于电力电子、光电子学和无线通信等领域，以提高设备性能和效率，并成为当前半导
2023-09-18 16:48:02365 第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有许多优势，这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:28295 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 5G、快充、UVC，第三代半导体潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半导体之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117
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