本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。
2022-08-01 09:03:57
1150 
为大家奉上GP,multisim对双极性晶体管模型进行模拟分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
双极结型晶体管（BJT）是放大或切换电子信号和电力的常用设备。 当BJT在集电极和发射极之间传导电流时，BJT将消耗功率。那么，应该如何估算BJT额定功率(Power Rating)？功率额定值
2018-08-26 23:03:52
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管发射极结间的正向压差越大电流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)，接下来我们就以BJT和FET为例来讲述晶体管的工作原理。1.双极性晶体管双极性晶体管，英语名称为Bipolar Transistor，是双极性结型晶体管的简称
2016-06-29 18:04:43
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
晶体管的 电流放大原理 该怎么解释？
2017-03-12 20:30:29
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作，还同时具备双极晶体管的高耐压、低导通电阻特征。工作上与MOSFET相同，通过给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET（以Nch为例）是相同N型的源极
2018-11-28 14:29:28
给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET（以Nch为例）是相同N型的源极与漏极间流过电流，而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流，也就是与双极晶体管相同。因此，具有MOSFET的栅极
2020-06-09 07:34:33
得到了晶体管的h参数后，就可以画出晶体管的线性等效电路，图Z0214是晶体管的h参数等效电路。 关于h参数等效电路，应注意以下几点： （1）电压的参考极性为上正下负，电流的参考正方向是流入为正
2021-05-25 07:25:25
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
晶体管进行举例。如果是PNP型晶体管，则只要把晶体管的极性由正换成负就行。如果要从基极电流、集电极电流、发射极电流的组成、流动，PN结的能级等等方面来讲清晶体管的放大机理，就更复杂了。这在许多专业
2012-02-13 01:14:04
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
20 mA 的电流。其他电流源设计还有其他几种设计电流源的方法。下面是一些示例，包括之前的所有关于电路的文章中详细描述的一些示例：使用MOSFET电流源（FET 电流镜）使用结型晶体管电流镜使用稳压器
2023-02-15 11:41:23
MOS型电流镜、低压共源共栅MOS型电流镜、Wilson MOS型电流镜、双极型电流镜参考源：Widlar电流源、电源电压不灵敏型偏置、恒温偏置（Bandgap）、恒跨导源电流镜和参考源教程——清华大学微电子学研究所[hide][/hide]
2011-11-04 16:07:43
分别连接每个并联晶体管，再同时与传统硅晶体管的标准驱动器连接。并联的几个晶体管只需要一个隔离型驱动器，例如隔离型EiceDRIVER™1EDI20N12AF，使用源极（OUT +）和漏极（OUT-
2021-01-19 16:48:15
。图 6. (a) 低 ZIN电流镜反相 (b) 低 ZIN电流镜同相采用基本电流镜和电流源，则输入和输出电流极性相同。通常，输出晶体管的射极/源极直接或通过检测电阻接地，且输出电流从集电极/漏极流入
2018-10-23 17:12:08
电路的功能，与晶体管的共射放大电路一样。由于结型FET的正常工作，要求栅极和源极间的电压VGS为反向偏置电压，因此其偏置电路的构造有些不同。与晶体管的电流反馈偏置电路一样构成的FET“自偏置电路”，由于其
2017-04-19 15:53:29
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
2022-02-16 06:48:11
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-03-27 06:20:04
。晶体管NPN型和PNP型结晶体管工作状态晶体管的工作原理类似于电子开关。它可以打开和关闭电流。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
两个PN结。晶体管NPN型和PNP型结晶体管工作状态晶体管的工作原理类似于电子开关。它可以打开和关闭电流。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流
2023-02-08 15:24:58
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 编辑
ROHM 2Sx双极结型晶体管（BJT）设计用于工业和消费类应用。 这些BJT有PNP和NPN两种极性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
电流镜电路可以用晶体管和MOSFET来搭建，尽管我们可以用这两个简单的有源器件或直接使用一个放大器电路，但其输出并不完美，而且有着自身的局限并依赖于外部因素。所以为了得到稳定的输出，我们必须在电流镜
2019-11-05 16:27:10
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。（2）夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道
2019-04-04 10:59:27
本设计实例是一个2线式电流调节器（图1），它在性能和器件数目之间达到了很好的平衡。通过使用三个晶体管、三个电阻和一个LED灯，可实现很好的调节效果（在大部分电压范围内准确度好于1%）、较低的工作
2018-09-29 17:15:25
行业真正的“领头羊”？一、三极管定义：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管
2019-04-08 13:46:25
类型。
双极结型晶体管(BJT)
双极结型晶体管是由基极、集电极和发射极 3 个区域组成的晶体管。双极结型晶体管（与 FET 晶体管不同）是电流控制器件。进入晶体管基极区的小电流会导致从发射极流向集电极
2023-08-02 12:26:53
。 图1:离线高电压 BJT 适配器反激电路 在深入探讨计算 BJT 损耗的方法之前，需要对双极性晶体管模型做一个基本了解。一个双极性晶体管的最简单形式是一个电流控制型电流汲/开关。基极（B）输入可控
2018-10-09 14:20:15
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2023-02-10 15:33:01
本实验的目的是研究双极性结型晶体管(BJT)电流源或电流镜。电流源的重要特性包括：在宽顺从电压范围保持高输出阻抗、能抑制外部变化（如电源或温度）的影响。
2021-02-24 06:24:07
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率BJT。特点：电压高，电流大，开关特性好，驱动功率高，但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是两种类型的双极结型晶体管 （BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN晶体管可用于放大或开关。本文将解释NPN和PNP之间
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半导体材料是双极性晶体管晶体管(BJT)的基础之外，光电晶体管的功能也是类似的。一个光敏晶体管被描述为一个去掉基极端子的 BJT，箭头暗示基极对光敏感。本文中的其他图只描述了
2022-04-21 18:05:28
可能就会成为大问题。 Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的双极结型晶体管(BJT)开关，能够提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率
2018-10-10 16:55:54
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定（对输入电流电平的变化较不敏感）的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
的两种主要类型是什么？晶体管基本上分为两种类型;它们是双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。BJT再次分为NPN和PNP晶体管。5.晶体管有多少种？两种类型晶体管有两种类型，它们在电路中
2023-02-03 09:32:55
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1为驱动管，可饱和，而V2为输出管
2018-01-15 11:59:52
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1为驱动管，可饱和，而V2为输出管
2018-01-25 11:27:53
单极型晶体管也称场效应管，简称FET（FieldEffectTransistor）。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与
2020-06-24 16:00:16
“步”。有两种类型的步进电机，单极型和双极型晶体管，而且知道你正在使用哪种类型是非常重要的。每种电机，都有一个不同的电路。示例代码将控制两种电机。看看单极性和双极性电机的原理图，和关于如何连接你的电...
2021-07-08 09:14:42
:dodo1999@vip.163.com双极晶体管阵列 (BJT)DMMT5401-7晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 200 mA, SOT-26封装, 300 MHz, 6引脚规格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
用一个运放和一个分立的外接晶体管就可以实现一个恒流电路，但也可以用一只运放和一些电阻器，设计出一个双极型的电流源或接收器。
2021-04-08 06:24:36
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2011-12-19 16:30:31
。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管（bipolar juncTIon transistors，缩写：BJT）。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比
2019-05-08 09:26:37
先焊源极后焊栅极。3、绝缘栅场效应晶体管由于输出电阻极高，故不能在开路形态下保管。即无论管子运用与否，都应将三个电极短路或用铝(锡)箔包好，不要用手指触摸以避免感应电势将栅极击穿。结型场效应晶体管可以
2019-03-22 11:43:43
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
电路功能与优势数字控制电流源在许多应用中至关重要，如电源管理、电磁阀控制、电机控制、阻抗测量、传感器激励和脉搏血氧仪等。本文介绍三种利用 DAC、运算放大器和 MOSFET 晶体管构建支持串行接口
2018-10-16 08:45:57
。对于NPN，它是灌电流。 达林顿晶体管开关 这涉及使用多个开关晶体管，因为有时单个双极晶体管的直流增益太低而无法切换负载电压或电流。在配置中，一个小输入双极结型晶体管（BJT）晶体管参与打开和关闭
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
。晶体管的正确直流偏置还会通过使用两个或四个电阻偏置网络的实际偏置电路来建立其初始交流工作区域。在双极型晶体管电路中， 对于NPN晶体管，Q点由（V CE，I C）表示， 对于PNP晶体管，Q点由
2020-11-12 09:18:21
电流源的重要特性 有哪些？有什么作用？ 如何进行电流镜配置？
2021-03-11 07:06:13
该分相器是另一种类型的双极结型晶体管的，（BJT）的配置，其中单个正弦输入信号被分成由180个电角度相位彼此不同两个独立的输出。
2019-08-01 16:03:32
减小势垒电容）和减小基极反向偏压的大小（以使得发射结能够尽快能进入正偏而开启晶体管）；而从晶体管使用来说，可以增大输入基极电流脉冲的幅度，以加快对结电容的充电速度（但如果该基极电流太大，则将使晶体管在
2019-09-22 08:00:00
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流
2008-08-12 08:39:59
结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。前者是本次讨论的重点。 双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型：NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型（正极）和N型（负极）半导体材料
2023-02-17 18:07:22
减小势垒电容）和减小基极反向偏压的大小（以使得发射结能够尽快能进入正偏而开启晶体管）；而从晶体管使用来说，可以增大输入基极电流脉冲的幅度，以加快对结电容的充电速度（但如果该基极电流太大，则将使晶体管在
2019-08-19 04:00:00
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
。三极管是电流控制型器件。 Mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的源
2018-10-24 14:30:27
泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型
2017-09-19 10:22:59
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案，如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
的比值，使其成为一个跨导器件，IGBT 也是如此。然后我们可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基极电流的功率 BJT。绝缘栅双极性晶体管可以用在小信号放大电路中，与 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢？
2023-03-31 11:56:49
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36:55
这个晶体管为什么是开关管的作用，还有电流方向是怎样的？
2018-12-28 15:41:49
采用双极性晶体管的基准电源电路
2019-09-10 10:43:51
`在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08:33
、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。一、原理介绍晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极性晶体管(BJT),又称半导体三...
2021-07-21 06:31:06
晶体管，另一个则采用 PNP 晶体管，如图 2 所示。图 2：脉冲电流源方框图尽管 SC 的输出是双极性，但我们开发的是单极性输出，可快速评估该电源的可行性和性能。我们将晶体管阵列用于电流镜实施
2018-09-20 15:19:42
本实验的目的是研究双极性结型晶体管(BJT)电流源或电流镜。电流源的重要特性包括:在宽顺从电压范围保持高输出阻抗、能抑制外部变化(如电源或温度)的影响。背景知识电流镜是一种电路模块,通过复制输出端子的电流来产生完全一样的流入/流出输入端子电流
2020-12-24 14:39:15741 首先介绍了双极性晶体管（BJT）的工作原理，接着演示了晶体管的伏安（I-V）特性，电流增益（current gain）和输出电导（conductance）。高能注入和重掺杂带来的能带狭窄也会介绍
2022-12-05 11:20:09842 首先介绍了双极性晶体管（BJT）的工作原理，接着演示了晶体管的伏安（I-V）特性，电流增益（current gain）和输出电导（conductance）。高能注入和重掺杂带来的能带狭窄也会介绍到。
2023-02-02 14:15:301101 
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