氮化镓(GaN)器件以最小的尺寸提供了最佳的性能,提高了效率,并降低了48 V电源转换应用的系统成本。迅速增长的采纳的eGaN的®在大批量这些应用FET和集成电路已经在高密度计算,以及许多新的汽车
2021-03-31 11:47:002732 GaN FET 实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗,这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:511366 解决方案需要额外的 IC,这会增加额外的复杂性和挑战。在本文中,作者介绍了一种与 GaN FET 兼容的模拟控制器,该控制器的材料清单数量很少,让设计人员能够以与使用硅 FET 相同的简单方式设计同步降压转换器,并提供卓越的性能
2022-07-26 11:57:091274 的 FET 和栅极驱动器。GaN FET 的开关速度比硅质 FET 快得多,而将驱动器集成在同一封装内可减少寄生电感,并且可优化开关性能以降低功率损耗,从而有助于设计人员减小散热器的尺寸。节省的空间
2018-10-31 17:33:14
。TPS62082 同步降压转换器具有集成的 FET,从而形成一个小型高效的 POL 转换器。主要特色隔离式 5V/1.25A 输出非隔离式 3.3V/1.075A POL 转换器小尺寸,1 x 2 英寸变压器高度为 5.7mm
2018-10-08 09:07:22
方案中,大多工程师都会选用非稳压的dc/dc转换器,同时根据485实际需要的功耗以及dc/dc转换器的技术规格书,在转换器的输出端加一个便宜又好用的电阻作为假负载。其实,以上所说的5v转3.3v转换器
2018-07-26 13:59:50
12 位精度、最高 1M SPS 转换速度的逐次逼近型模数转换器 (SAR ADC),最多可将 16 路模拟信号转换为数字信号。现实世界中的绝大多数信号都是模拟量,如光、电、声、图像信号等,都要
2023-06-01 11:59:20
的功率密度。整板重量不足 230g。在稳定的 950kHz 开关频率下,可达到 97.6% 的峰值效率。 主要特色390V - 48V/1kW 高频谐振转换器谐振频率为 950kHz,重量小于 210g
2018-10-26 10:32:18
应用,实现新型电源和转换系统。(例如,5G通信电源整流器和服务器计算)GaN不断突破新应用的界限,并开始取代汽车、工业和可再生能源市场中传统硅基电源解决方案。 图1:硅设计与GaN设计的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
的开关频率意味着任何磁性器件可以小得多,效率更高。使用GaN的LLC阶段利用高于1MHz的开关频率将转换成36至60V的输出。典型的输出是POL转换器的48V,这也正在利用GaN。整体设计不仅规模
2017-05-03 10:41:53
通电阻非常低,仅70mΩ,这款门驱动器内置了降压/升压转换器,从而可以产生负电压来关闭GaN HEMT。LMG3410R070 GaN功率级器件的一个关键优点是在硬切换时控制转换速率,这种控制对于抑制
2019-07-16 00:27:49
我想大多数听众都已经了解了GaN在开关速度方面的优势,及能从这些设备中获得的利益。缩小功率级极具吸引力,而更高的带宽则更是锦上添花。电力工程师已考虑在正在开发的解决方案中使用GaN这一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
领域的热点。
如图1所示,GaN材料作为第三代半导体材料的核心技术之一,具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由GaN材料制成的GaN器件具有击穿电压高、开关速度快、寄生参数低等优良特性
2023-06-25 15:59:21
面的需求。鉴于它具有对输出功率的微调能力,GaN组件将能开拓出现有磁控技术所无法实现的在医疗方面的创新应用。 提高汽车点火系统的燃油效率是射频功率另一新兴应用领域,它可用来提高发动机的工作效率。相比于
2017-05-01 15:47:21
要求,但无法达到必需的生产规模和成本,与传统技术相比,其成本要高出5 到 10倍,碳化硅衬底的加工成本即使在其进入大规模生产阶段仍然会十分高昂。然而,在新的一年中,当GaN器件从传统的 4 英寸化合物
2017-04-05 10:50:35
[VOUT] = 240V),以及一个8A的电感器电流。这个GaN栅极在开关电压电平间被直接驱动。一个阻性驱动设定GaN器件的接通压摆率。一个电流源只会仿真一个与连续传导模式降压转换器内开关 (SW
2018-08-30 15:28:30
,此时,转换器进入工作状态。SW2:设置数据保护开关,将SW2拨到OFF时允许对C2000 N2A1进行设置;将SW2拨到ON时保存设置处于写保护状态,此时保存设置数据的不能改变。RS-485/422:标准DB9接口。
2015-06-13 14:13:08
描述PMP4435 是一款面向工业和电信应用并且采用 GaN mosfet 的直流-直流隔离式数字模块参考设计。直流输入范围为36V-60V,其中典型输入为 12V,而输出为 12V/5A。此设计中
2018-11-02 16:47:28
实现的,该FET具有2.2 mΩ R上额定峰值直流电流为 90 A。两相设计还降低了电感器所需的额定电流。 图1: 采用eGaN FET的两相双向转换器的简化原理图。 在该设计中,电感值和开关
2023-02-21 15:57:35
•触摸屏显示器说明ADS7843-Q1是一个12位采样模数转换器(ADC),具有同步串行接口和低通阻开关,用于驱动触摸屏。在125kHz吞吐量和+2.7V电源条件下,典型功耗为750μW。参考电压
2020-09-08 17:38:19
的功率密度。整板重量不足 230g。在稳定的 950kHz 开关频率下,可达到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高频谐振转换器谐振频率为 950kHz,重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
损耗,实现了更高的开关频率,减少甚至去除了散热器。图2显示了GaN和硅FET之间48V至POL的效率比较。 图 2:不同负载电流下GaN与硅直流/直流转换器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
作者:Brian King 德州仪器谐振 LLC 半桥转换器非常适合离线大功率应用 (200-800W),因为一次侧 FET 可从零电压开关 (ZVS) 中获得极大的优势。LLC 转换器需要相当窄
2018-09-19 11:06:18
想到的是基于电感的降压转换器。然而,在像我们这样输入电压与输出电压之比为整数 (2) 的情况下,SCC 表现出更高的效率。与电感降压转换器相比,SCC 还具有更低的开关损耗。在降压转换器中,每个开关阻断
2022-03-11 13:50:00
在开关电源转换器中,如何充分利用SiC器件的性能优势?
2021-02-22 07:16:36
选择,在同类产品中具有最佳的抖动性能和行业领先的相位噪底。HMC987LP5E 1:9扇出缓冲器是关键应用中充当时钟驱动器的最佳选择,噪底超低,仅−166 dBc/Hz。这些器件的主要技术规格如表1
2018-10-18 11:29:03
容易做到高分辨率。主要用于音频和测量。5)电容阵列逐次比较型电容阵列逐次比较型AD在内置DA转换器中采用电容矩阵方式,也可称为电荷再分配型。一般的电阻阵列DA转换器中多数电阻的值必须一致,在单芯片上
2011-10-31 09:43:45
AD转换器中的时钟有什么作用呢?在网上找了很多答案,说了一大堆都没有说到点子上,就是说单纯这个时钟的作用是什么呢?我在原理图中使用过AD7988,上面写着在SCLK的上升沿捕捉数据,在下降沿读取数据。但是说,就单纯的讲这个时钟有什么作用呢?麻烦路过的各位大佬帮忙解答一下,谢谢!!!
2019-10-17 17:16:14
电压与内置DA转换器输出进行比较,经n次比较而输出数字值.其电路规模属于中等.其优点是速度较高、功耗低,在低分辩率(12位)时价格很高. 3)并行比较型/串并行比较型(如TLC5510) 并行比较型
2012-08-11 17:08:20
能效。负载越低,则能效越低。但设计精良的转换器具有稳定的高能效,尤其在重要的中到低负载范围内。对指甲大小的新型 R1SX-0505 1 W 转换器进行测试,并与相同额定功率的定制转换器比较进行,两者在能
2018-12-03 09:53:40
时,一旦充电电流降至编程值的1/10,充电将终止。一个“stat”引脚也可用于指示充电状态,低功率5伏升压转换器能够在5伏输出时提供0.4安培的电流。它可以通过将ENBST拉低来关闭,它将断开BAT的输出
2021-05-27 11:30:13
的1/10,充电将终止。一个“stat”引脚也可用于指示充电状态,低功率5伏升压转换器能够在5伏输出时提供0.4安培的电流。它可以通过将ENBST拉低来关闭,它将断开BAT的输出,从而进一步降低系统
2021-04-01 16:18:58
HI5746是一个10位全差分采样管道a/D带数字纠错逻辑的转换器。图25描绘了前端差分输入差分输出采样保持电路(S/H)。开关由内部控制非重叠式二相信号采样时钟1和2,来自主采样时钟。在采样阶段,1,输入
2020-07-16 16:00:34
设计概述PMP7966 是一款四相升压转换器,在输入电压为 6V 到 42V 且电流为 2.5A 时的额定输出值为 52V。该设计采用 LM5122 升压控制器,每相的开关频率为 100kHz…
2022-11-22 06:32:59
使用耦合电感可提高效率并改善频率响应。名称中的级联是指Q1,它是与ADP1613的内部FET串联的FET。这使我们能够在更高的开关节点电压下使用这个20V最大额定芯片
2019-07-16 08:23:15
导读:近日ADI推出两款具有行业最低功耗和卓越精度的18位模数转换器AD7989-1和AD7989-5.全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,AD7989-1和AD7989-5 PulSAR
2018-11-29 11:09:34
用于电压转换的每个开关模式稳压器都会引起干扰。在电压转换器的输入端和输出端,有一部分是通过线传输的,但也有一部分是辐射的。这些干扰主要是由快速开关的边缘引起的。
2019-08-02 07:14:00
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
的交流/直流双向转换器,其中ADSP-CM419F的软件在正确控制 SiC/GaN功率开关方面起着关键作用。
2018-10-30 11:48:08
的较低电容可通过最大限度地减小寄生振铃并优化转换次数来将失真降到最低,从而有助于尽可能地较少噪声。在数据中心和服务器中,GaN减少了为云端供电的电源损耗。此外,GaN在缩小电源解决方案尺寸方面所具有的功能
2018-09-10 15:02:53
在隔离型DC/DC转换器设计,氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)具有低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感等优点,可以实现更高功率密度、在高频时更大电流及高效以及在谐振设计的占空比更高,从而
2019-04-04 06:20:39
GaN器件在许多应用中取代现有的IGBT和MOSFET,能够带来更优异的性能、更低的损耗以及更快的开关速度。不变的是仍然需要隔离型上桥臂驱动器,以及可承受高开关电压、严苛的工作温度和高转换速率的隔离
2017-09-20 10:28:09
非常关键。子类1使用SYSREF信号来对齐串行输出数据。将SYSREF信号输入转换器的输出数据中。这个配置使得SYSREF可与转换时钟同步,并确保分配的各SYSREF信号同时到达各转换器。这会产生将置于
2018-09-03 14:48:59
不是实际量级。 图 4:准谐振反激式转换器中 BJT 的开关波形 在 t1 时间段的起点,集电极电流为0。基极使用19mA 的最小驱动电流(IDRV(MIN))驱动,该电流可逐步递增至37 mA的最大
2018-10-09 14:20:15
。DC-DC转换器IC应放置在最靠近CPU的位置。注意,图1和图2显示了传统高电流电源(即开关模式控制器和外部FET)的原理图。控制器FET解决方案可以处理上述应用所需的高电流负载。控制器解决方案
2021-12-01 09:38:22
了LTSpice中的转换器,尽管这些部件与LTSpice中的部件编号不完全相同,所以我相信很多重要的值都有些不同。在面包板上,我用过:一个DMG3420U(逻辑电平的N沟道MOSFET)极化帽1N4001二极管我有
2018-07-20 14:33:06
,使用开关稳压器的DCDC转换器可以由一个电阻、几个电容和一个线圈制作而成。当12V电压施加到所完成的电路时,输出电压为5V。电路中的反馈机制可以使输出电压保持不变,因此即使外部电压发生波动,电路也始终输出
2022-07-27 11:20:39
了印刷电路板或者某个特定组件上的热点。实际上,二相降压转换器让 FET 和电感的 RMS-电流功耗降低了一半。相交错还可以降低传导损耗。 图 1 二相降压转换器图 2 相 1 和 2 的节点波形输出滤波器考虑由于每个相位的功率级电流更低,多相实现的输出滤波器要求也随之降低…
2022-11-23 06:04:49
漏感能量损耗,限制了QR反激式转换器的最大开关频率,从而限制了功率密度。在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器,有助于提高开关频率和功率密度。然而,为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量损耗,限制了QR反激式转换器的最大开关频率,从而限制了功率密度。在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器,有助于提高开关频率和功率密度。然而,为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高
2022-06-14 10:14:18
LMG1020。在此处查看演示:如下图和上图中所示,该GaN驱动器具有1ns 100W光输出的能力。这是演示中的脉冲激光开发板:这是带有最少外部组件的简单应用图:LMG1210半桥GaN FET驱动器TI
2019-11-11 15:48:09
≈5.7 V,但是开关节点上振铃的峰值幅度为 9.8 V,有可能损坏低侧开关。在设计方面,电源设计人员具有多种方法来实现振铃的最小化。如果采用控制器,设计人员应同时选用具有最小寄生电容的 FET 及二极管
2008-09-25 08:45:25
参考设计与SEPIC转换器ADP1613相连,可将3至5V输入转换为干净的5V输出,并具有极低的纹波噪声。通过输出端的pi滤波器实现低噪声。根据SIMPLIS仿真,在Iout等于25mA时,Vout纹波应为392uV。该设计规定为25mA,但应能够处理更多的输出电流
2019-07-18 07:59:32
LM5017系列产品等降压转换器或稳压器集成电路(IC)可以从正VIN产生负VOUT在DC/DC转换器领域是常识。乍一看,使用降压稳压器IC的反向降压-升压转换器的电路图与降压转换器十分相似(图1
2019-08-12 04:45:09
先前的基于Si MOSFET的架构更高。 从48 VIN– 1 VOUT直接获取自采用12 V中间总线架构(IBA)以来,此总线转换器在输出功率中正接近数量级的提高。在型电源模块足迹中,现行设计从约
2018-08-29 15:10:47
描述 PMP7966 是一款四相升压转换器,在输入电压为 6V 到 42V 且电流为 2.5A 时的额定输出值为 52V。该设计采用 LM5122 升压控制器,每相的开关频率为 100kHz,从而
2022-09-27 07:10:27
考虑EMC,输入和输出线缆是频率范围高达1GHz的主要天线。由于现代四开关升降压转换器在输入和输出端都具有高频电流环路,因此必须根据工作模式对输入和输出进行滤波。这可以防止由于MOSFET快速开关导致
2020-09-01 14:07:07
。新供电要求中的一项独特挑战是如何使用一个4.5V-32V输入电压来提供一个5V-20V直流总线。一个4开关降压-升压转换器是合适的拓扑结构,提供降压或升压电源转换,因其可提供设计人员和客户所需的宽电压
2019-07-16 06:44:27
。新供电要求中的一项独特挑战是如何使用一个4.5V-32V输入电压来提供一个5V-20V直流总线。一个4开关降压-升压转换器是合适的拓扑结构,提供降压或升压电源转换,因其可提供设计人员和客户所需的宽电压
2020-10-30 09:04:18
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
设计方面,SiC功率模块被认为是关键使能技术。 为了提高功率密度,通常的做法是设计更高开关频率的功率转换器。 DC/DC 转换器和应用简介 在许多应用中,较高的开关频率会导致滤波器更小,电感和电容值
2023-02-20 15:32:06
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益,可帮助减小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
工作区域 (SOA) 曲线。图1中显示了一个示例。图1.GaN FET SOA曲线示例,此时Rds-On = 毫欧硬开关设计功率GaN FET被用在硬开关和数MHz的谐振设计中。上面展示的零电压
2019-07-12 12:56:17
作者:Robert Keller,德州仪器 我们一般使用连续波 (CW) 信号来描述高速模数转换器 (ADC) 和数模转换器 (DAC)。这样做的原因是:1)就 ADC 而言,CW 信号更易于通过
2018-09-19 14:27:16
我们一般使用连续波 (CW) 信号来描述高速模数转换器 (ADC) 和数模转换器 (DAC)。这样做的原因是:1)就 ADC 而言,CW 信号更易于通过 CW 生成器和窄带通滤波器无噪生成;2
2022-11-23 07:30:26
的电流。传统方法是各相均使用电流检测方案。电流检测一般用于保护目的,这种技术会增加交错式转换器的成本。 为了利用一路输入检测两相的电流,控制器必须分离各相的电流。在交错式正向操作中,主开关的占空比始终
2011-07-14 08:52:28
。其在120V / ns转换速率下,从0V升到480V,并具有小于50V的过冲。 图1:TI 600V半桥功率级——开关波形(a);设备封装(b);半桥板图(c)。 GaN FET具有低端子电容,因而
2019-08-26 04:45:13
。ALD4213模拟开关内部的集成电平转换器和逻辑门提供逻辑转换,可将单个5V输入转换为±5V逻辑摆幅。该电路在时钟控制下闭合两个开关S 1和S 4。在一个时钟周期的前半部分,C 1充电至等于输入电压V
2020-06-03 13:57:17
的谐振架构可以减少开关损耗并提高整体效率,也可以受益于GaN的卓越开关特性。 许多应用需要从相对较高电压(几百伏)到低电压的功率转换以供电电路元件(如处理器)。具有高输入至输出电压比的开关模式功率转换器
2018-11-20 10:56:25
新的GaN FET完全替换现有的硅MOSFET,就享受带来的益处,世界会变得轻松简单。例如,在栅极驱动电路和印刷电路板(PCB)布局中实现高压摆率具有独特的挑战性。如果处理不当,更高的dV/dt意味着
2017-08-21 14:36:14
系列中的其他一些转换器可主动避免在声频范围内进行开关操作,从而有效地获得最大导通和断开时间。TPS6420x系列起初是为电池供电型应用而设计,拥有1.8V~6.5V的输入电压范围,以及非常低的静态
2021-03-27 07:00:00
低成本意味着它们已被广泛用于商业和工业应用中。本文将提供先前在电源提示:反激式转换器设计考虑中讨论的5A CCM反激式的53Vdc至12V的功率级设计公式。图1显示了一个详细的60W反激式原理图,工作
2018-09-12 09:19:55
,工作频率为250 kHz。当FET Q2导通时,输入电压施加在变压器的初级绕组上。绕组中的电流现在升高,允许能量存储在变压器中。由于输出整流器D1反向偏置,因此阻止了流向输出的电流。当Q2关闭时,初级
2018-09-10 11:08:57
降低了工作占空比,从而实现了更高的开关频率,更小的元件尺寸和更低的FET电压。降低的占空比还可以提供更多的控制器选择,这些控制器以前在传统的升压转换器中实现时无法以足够高的占空比工作。
2020-08-10 14:27:34
oss和Q rr也很重要。在如图1所示的电感-电感-电容器-串联谐振转换器(LLC-SRC)之类的谐振转换器中,谐振储能电路中的电流对FET 的C oss进行充电/放电(图2中的状态1),以便实现零电压
2020-08-02 10:32:31
的电流来控制压摆率。对于升压转换器,驱动电路的简易模型如图3所示。可使用该模型推导公式。等式1证明:当GaN器件具有足够的栅漏电容(Cgd)时,可通过使用栅极电流通过米勒反馈来控制开关事件的压摆率。对于
2023-02-14 15:06:51
RMS(50%占空比)。图2:同相和异相配置三相DC转换器对比。如上文所述,使用相移技术可显著减小输入和输出电容要求。RMS输入电流由公式1规定:其中,n为相数,L为输出电感,Fs为开关频率,k(n
2018-12-03 11:26:43
间要求,因而可能难以获得真正的POL稳压器解决方案,如图5的示例布局所示。图5.DC-DC转换器与CPU的理想布局控制器的一个替代方案是单芯片解决方案,其中FET在转换器IC内部。例如,LTC3310S
2021-12-14 07:00:00
的好处。反激(升降压)转换器在FET导通时将能量存储在变压器的磁场中,然后当FET关断时再释放到负载。反激转换器可以被视为共享同一磁芯、并具有相反极性绕组的两个电感,如图3所示。图3:单开关和双开关
2018-10-16 19:33:11
。新供电要求中的一项独特挑战是如何使用一个4.5V-32V输入电压来提供一个5V-20V直流总线。一个4开关降压-升压转换器是合适的拓扑结构,提供降压或升压电源转换,因其可提供设计人员和客户所需的宽电压
2018-10-30 09:05:44
概述:TPS54260是德州仪器(TI)宣布推出其首款支持高达60伏输入电压的2.5A降压SWIFT 转换器。该款具有集成型高侧FET的最新TPS54260单片同步开关转换器可为12V、24V以及48V负载点设计方案...
2021-04-20 06:44:57
描述此集成 FET 升压转换器通过 6V - 8.4V 输入(2S 锂离子电池)提供 11V 输出 (1.2A)。此转换器经过优化,可以紧凑的尺寸为便携式收音机等应用提供高效率和低成本。特性成本低
2022-09-19 07:44:38
永久性损坏。尽管GaN在系统效率、尺寸和冷却方面具有优势,但其高开关速度和频率也呈现出越来越大的挑战。TI GaN产品的保护和其他集成功能正在改变使用分立Si MOSFET了解高速开关转换器设计复杂性
2019-07-29 04:45:12
• 高效率(使用 PoE 电源时为 93%,使用适配器电源时为 92%)• 5V (10A) 输出• 具有同步整流器的隔离式正向• 使用与 UCC2897A 相结合的 TPS2379 实施高效的有源正向转换器• 可实现外部热插拔 FET 以提高效率
2022-09-26 06:04:41
. ADuM4121评估板当隔离式栅极驱动器用在高速拓扑中时,必须对其正确供电以保持其性能水平。ADI公司的LT8304/LT8304-1是单芯片、微功耗、隔离式反激转换器。这些器件从原边反激式波形直接对隔离
2018-10-22 17:01:41
oss和Q rr也很重要。在如图1所示的电感-电感-电容器-串联谐振转换器(LLC-SRC)之类的谐振转换器中,谐振储能电路中的电流对FET 的C oss进行充电/放电(图2中的状态1),以便实现零电压
2022-05-11 10:17:28
oss和Q rr也很重要。在如图1所示的电感-电感-电容器-串联谐振转换器(LLC-SRC)之类的谐振转换器中,谐振储能电路中的电流对FET 的C oss进行充电/放电(图2中的状态1),以便实现零电压
2022-05-25 10:08:50
摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。关键词: 时钟分相技术; 应用中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0
2008-08-19 18:54:4124 TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降压转换器--TPS51315
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器,
2009-07-28 07:48:391051 与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益,可帮助减小磁性元件
2021-05-13 15:39:351434 除了显着提高各种拓扑和功率级别的商用 DC/DC 转换器的效率外,基于 GaN 的 FET 还表现出对伽马辐射和单事件效应 (SEE) 的非凡弹性。所有这些特性使 GaN FET 非常适合用于卫星和运载火箭的电源。
2022-07-25 09:22:411059 解决方案需要额外的 IC,这会增加额外的复杂性和挑战。在本文中,作者介绍了一种兼容 GaN FET 的模拟控制器,该控制器的物料清单数量少,使设计人员能够像使用硅 FET 一样简单地设计同步降压转换器,并提供卓越的性能。 众所周知,与传统的硅 FET 相比,氮化镓 (GaN) FET 已显
2022-08-04 09:58:08570 电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 11:30:0510 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273
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