电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>氮化镓E-HEMT器件在反激快充应用中的测试对比

氮化镓E-HEMT器件在反激快充应用中的测试对比

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

氮化器件介绍与仿真

本推文简述氮化器件,主要包括GaN HEMT和二极管,帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:011023

氮化: 历史与未来

,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。 因此,氮化是我们电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。光子学方面,氮化还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54

氮化GaN 来到我们身边竟如此的

被誉为第三代半导体材料的氮化GaN。早期的氮化材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化产品已经走进了我们生活,尤其充电器的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技术助力电源管理革新

的选择。  生活更环保  为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用现有设备的一些缺点。氮化为功率调节的发展创造了机会,使其高电压应用的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25

氮化一瓦已经不足一元,并且顺丰包邮?联想发动氮化价格战伊始。

,并且顺丰包邮。 2022 年 5 月 15 日,联想官方电商平台发起氮化价格战,YOGA 65W 双口 USB-C 氮化充电器到手价仅需 59.9元。这是一款正儿八经的大功率氮化充电器
2022-06-14 11:11:16

氮化充电器

是什么氮化(GaN)是氮和化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半导体技术解析

氮化功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片如何在高频下实现更高的效率?

氮化为单开关电路准谐振式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化电源 IC
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的优势

更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。 更快:氮化电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化发展评估

氮化的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近,氮化凭借硅基氮化技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出,成为大多数射频应用可替代砷化和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34

氮化技术半导体行业处于什么位置?

从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40

氮化技术推动电源管理不断革新

。与典型的PN结MOSFET不同,GaN器件的双向结构可以使用双栅结构控制电流。用于电机驱动的矩阵转换器可以通过利用双向设备潜在地减少开关的数量。此外,氮化器件可以比硅器件更高的温度下工作,这使其成为
2019-03-14 06:45:11

氮化激光器的技术难点和发展过程

波段,随着衬底、外延、芯片和封装技术的不断进步,蓝光激光器的性能在不断提升。    图3、(a)氮化/蓝宝石模板和(b)GaN自支撑衬底的位错缺陷对比(图中暗斑为位错缺陷)  衬底方面,早期的氮化
2020-11-27 16:32:53

氮化电源设计从入门到精通的方法

氮化电源设计从入门到精通,这个系列直播共分为八讲,本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧,助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾(点击下方内容查看上期直播):- 第一讲:元器件选型
2021-12-29 06:31:58

氮化的卓越表现:推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力

射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术商业应用的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42

氮化能否实现高能效、高频电源的设计?

GaN如何实现快速开关?氮化能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未来会取代硅芯片吗?

降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点,可以简化设计,降低GaN的开发难度,有助于实现小体积、高效氮化设计。 Keep Tops氮化内置多种
2023-08-21 17:06:18

CG2H80015D-GP4 氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT

` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00

CGH40010F氮化(GaN)高 电子迁移率晶体管

`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化高电子迁移率晶体管

Wolfspeed的CGHV40030是氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署L,S和C频段放大器应用。 数据手册的规格
2020-02-25 09:37:45

CGHV40030氮化(GaN)高电子迁移率晶体管

Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署L,S和C频段放大器应用。 数据手册的规格
2020-02-24 10:48:00

CGHV96100F2氮化(GaN)高电子迁移率晶体管

`Cree的CGHV96100F2是氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化(GaN)高电子迁移率 基于晶体管

Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化与硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V输入,支持27W功率输出

板上看出,得益于使用合封氮化器件,芯片无需辅助散热措施即可满足27W的连续输出,并且合封将控制器和开关管集成一颗芯片内,初级的元件也十分精简,可满足高性价比的氮化设计。钰泰半
2021-11-28 11:16:55

GaN HEMT可靠性测试:为什么业界无法就一种测试标准达成共识

GaN功率转换器件的文件,但它仅建立了测试这些器件的开关可靠性的方法。 硅MOSFET与氮化HEMT的开关特性。图片由富士通提供克莱斯勒,福特和通用汽车1990年代成立了汽车电子协会(AEC),以
2020-09-23 10:46:20

IFWS 2018:氮化功率电子器件技术分会在深圳召开

教授,AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件汽车应用的加速采用的报告,分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。近年来,垂直氮化器件,尤其是硅衬底上,因其低成本
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半导体将硅上氮化推入主流射频市场和应用

赶上甚至超过了成本昂贵的硅上氮化产品的替代技术。我们期待这项合作让这些GaN创新硅供应链内结出硕果,最终服务于要求最高的客户和应用。”意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38

MACOM:GaN无线基站的应用

$0.1/KWh,仅将新的宏基站替换使用氮化技术,一年节省的电费可超过$100M。MACOM公司的MAGb功率晶体管系列真实的基站工作温度200°C的环境下MTTF超过106小时,由此可见该器件
2017-08-30 10:51:37

MACOM:硅基氮化器件成本优势

不同,MACOM氮化工艺的衬底采用硅基。硅基氮化器件既具备了氮化工艺能量密度高、可靠性高等优点,又比碳化硅基氮化器件成本上更具有优势,采用硅来做氮化衬底,与碳化硅基氮化相比,硅基氮化晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41

MACOM:适用于5G的半导体材料硅基氮化(GaN)

的射频器件越来越多,即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同,我们可以将成本做到很低,全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代,需要的器件越来越多,价格越来越高。半导体材料硅基氮化
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔离探头实测案例——氮化GaN半桥上管测试

测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化实验室测试对象:氮化半桥测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23

NV6115氮化MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD

`明佳达优势供应NV6115氮化MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化MOS丝印:NV6115芯片介绍:NV6115氮化MOS,是针对
2021-01-08 17:02:10

QPD1004氮化晶体管

产品名称:氮化晶体管QPD1004产品特性频率范围:30 - 1200 MHz输出功率(p3db):40 W1 GHz线性增益:20.8分贝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%1
2018-07-30 15:25:55

QPD1018氮化晶体管

HEMT运行2.7至3.1 GHz和50V电源轨。该装置是甘移完全匹配50欧姆的一个行业标准的气腔封装,非常适合于军用雷达。​产品型号: QPD1018产品名称:氮化晶体管QPD1018产品特性频率范围
2018-07-27 09:06:34

SGN2729-250H-R氮化晶体管

)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化晶体管SGN1214-220H-R氮化晶体管
2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶体管

)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化晶体管SGN1214-220H-R氮化晶体管
2021-03-30 11:24:16

SW1106集成氮化直驱的高频准谐振模式控制器

,可直接用于驱动氮化功率管;芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式,同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能;当负载降低时,芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率,空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57

TGF2977-SM氮化晶体管

测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称:氮化晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围:直流- 12 GHz输出功率(p3db):6 W9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15

aN2 Pro氮化充电器的选购过程和使用

由于换了三星手机,之前的充电器都不支持了,一直想找一款手机电脑都能用的充充电器,「倍思GaN2 Pro氮化充电器」就是这样一款能满足我的充电器,这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31

【技术干货】氮化IC如何改变电动汽车市场

Canaccord Genuity预计,到2025年,电动汽车解决方案每台汽车的半导体构成部分将增加50%或更多。本文将探讨氮化(GaN)电子器件,也涉及到一点碳化硅(SiC),不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38

为什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。一些研发和应用,传统硅器件能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

为什么氮化比硅更好?

半桥拓扑结构结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变,初级FET的一般损耗方程可以最小化,从而提升至10倍的高频率。 氮化功率芯片前所未有的性能表现,将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16

为何碳化硅比氮化更早用于耐高压应用呢?

次,与之相反,因此它具有更低的功耗(工作效率)。那么,为何碳化硅比氮化更早用于耐高压应用?原因是, MOS场效应管的制造,碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2),「氮化晶片面临三大难题」(森
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。很多案例氮化功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通过SMT封装,GaNFast™ 氮化功率芯片实现氮化器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技术

两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化氮化凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是,氮化相比传统的硅,可以更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化比硅基半导体器件,可以更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16

什么阻碍氮化器件的发展

流,但随着5G的到来,砷化器件将无法满足如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成为下一个热点。氮化作为一种宽禁带半导体,可承受更高
2019-07-08 04:20:32

传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

使用宽带隙器件做电路设计时的注意事项

connection)以减轻影响。碳化硅和氮化器件非常的dV/dt也会造成类似的效果,通过漏栅米勒电容将瞬态耦合到栅极。在实践,电流和电压边缘速率通常通过增加串联栅极电阻和/或缓冲器故意降低,尤其是开关频率通常
2023-02-05 15:14:52

光隔离探头应用场景之—— 助力氮化(GaN)原厂FAE解决客户问题

(GaN)原厂来说尤为常见,其根本原因是氮化芯片的优异开关性能所引起的测试难题,下游的氮化应用工程师往往束手无策。某知名氮化品牌的下游客户,用氮化半桥方案作为3C消费类产品的电源,因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03

功率器件工业应用的解决方案

功率器件工业应用的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化PowerGaN、工业电源的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28

双管的特点及工作原理,有哪些好处?

设计开关电源的挑战双管主要特点双管基本工作原理双管的好处双管QR与单开关反对比分析
2021-04-06 09:07:45

基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限, 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑,效率开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化晶体管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50

如何为氮化场效应晶体管提供更高的短路能力?

导通电阻。为了分析的目的,进行了后者:通过降低ID,周六的氮化。SCCL是Transphorm的核心技术上实现的,通过使用专有工艺沿GaN-HEMT的宽度去除2DEG通道的段。标准GaN-HEMT
2023-02-22 16:27:02

如何学习氮化电源设计从入门到精通?

材料特性对比展开,通过泰克仪器测试英飞凌GaN器件来进行氮化特性的测量与分析。方案配置:示波器MSO5+光隔离探头TIVH08+电压及电流探头+电源和IGBT town 软件第二步:电路设计和PCB
2020-11-18 06:30:50

如何完整地设计一个高效氮化电源?

如何带工程师完整地设计一个高效氮化电源,包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23

如何实现氮化的可靠运行

我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23

如何实现小米氮化充电器

如何实现小米氮化充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何用集成驱动器优化氮化性能

导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29

如何设计GaN氮化 PD充电器产品?

如何设计GaN氮化 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55

如何选择PDUSB端口的防护器件SD05?

如何选择PDUSB端口的防护器件SD05?
2022-01-14 07:19:46

实现更小、更轻、更平稳的电机驱动器的氮化器件

,因此预期EMI相同。基于氮化器件的100 kHz 解决方案,输出电流纹波降低,而电机的电流具有更好的正弦形状。 图 5:带有 LC 输入滤波器的传统逆变器,PWM = 20 kHz、DT
2023-06-25 13:58:54

将低压氮化应用在了手机内部电路

已经电池上采用多极耳,多条连接线来降低大电流的发热。氮化的低阻抗优势,可以有效的降低发热。应用在手机电池保护板上,可以支持更高的功率,延长持续时间,获得更好的体验。同时氮化属于宽禁
2023-02-21 16:13:41

展嵘电子助力布局氮化适配器方案携手智融SW351X次级协议45W69W87W成熟方案保驾护航

、努比亚、魅族在内的六款氮化充充电器。加上华为P40手机发布会上,也发布了一款65W 1A1C氮化充充电器,成为第七家入局氮化的手机厂商。从各大知名手机品牌的布局来看,氮化普及趋势
2021-04-16 09:33:21

想要实现高效氮化设计有哪些步骤?

以适当的注意,测试设备和测量技术引入的寄生元件,特别是较高频率下工作,可能会使GaN器件参数黯然失色,并导致错误的测量结果。  应用说明“高速氮化E-HEMT的测量技术”(GN003)解释了测量技术
2023-02-21 16:30:09

拆解报告:橙果65W 2C1A氮化充电器

INN3365C使用。 贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司,具有体积小、重量轻等特色,非常适合应用于氮化这类高密度电源产品。料号为TMY1102M。 特锐祥专注于被动元器件的研发、生产及销售
2023-06-16 14:05:50

支持瓦特到千瓦级应用的氮化技术介绍

两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09

智融SW3556,高集成度多快协议,最大输出PD140W(20V*7A),同步降压变换器

反向输出,节省了一路充电或者输出电路,大大降低成本,也推动了大功率PD移动电源的普及。由于E-MODE氮化器件5V驱动电压下可以做到完全开启,支持逻辑电平驱动输出的同步升降压控制器,驱动电压通常也不
2021-11-02 09:03:39

有关氮化半导体的常见错误观念

功率密度计算解决方案实现高功率密度和高效率。 误解2:氮化技术不可靠 氮化器件自2010年初开始量产,而且实验室测试和大批量客户应用,氮化器件展现出具备极高的稳健性。EPC器件已经通过数千亿个
2023-06-25 14:17:47

硅基氮化大功率LED的研发及产业化

日前,广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55

硅基氮化与LDMOS相比有什么优势?

射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术商业应用的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34

请问氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

请问candence Spice能做氮化器件建模吗?

candence的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗?然后提取参数想基于candence model editor进行氮化器件的建模,有可能实现吗?求教ICCAP软件呢?
2019-11-29 16:04:02

谁发明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片发展的关键人物。 首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他硅、碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

转载 | 推高功率密度,茂睿芯发布氮化合封芯片MK2787/MK2788

本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 编辑 氮化作为第三代半导体器件,凭借其优异的性能,PD领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC品牌,茂睿芯一直潜心研发
2021-11-12 11:53:21

迄今为止最坚固耐用的晶体管—氮化器件

结构将击穿电压提高到了750伏。在这些器件,氧化实现高工作电压相对容易,这一成绩相当显著;仅仅几年,这种材料的研究就取得了长足进步,而氮化的研究则花了几十年的时间。  不过,更快的开关电源应用
2023-02-27 15:46:36

针对电机控制应用如何选择宽带隙器件

功率转换应用,使用碳化硅(SiC)和氮化(GaN)材料的宽带隙(WBG)半导体器件作为开关,能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT,宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-02-05 15:16:14

集成氮化直驱的高频准谐振模式控制器

电压,可直接用于驱动氮化功率管;芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式,同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能;当负载降低时,芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率,空载待机
2023-03-28 10:24:46

高压氮化的未来分析

就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高压氮化的未来是怎么样的

TI GaN开关的集成电路。这些器件硅材料兼容晶圆制造工厂内生产,并且用我们数十年工艺技术经验提供品质保证。“借助3百万小时以上的可靠性测试,LMG3410使得电源设计人员有信心挖掘GaN的潜能,并且
2018-08-30 15:05:50

LP8728D 30W/户外屏电源ic

深圳市三佛科技有限公司 供应 LP8728D  30W/户外屏电源ic,原装,库存现货热销 品牌:芯茂微型号:LP8728C/D封装:PDFN5*6功率范围:18-33W
2022-03-09 15:17:42

#硬声创作季 #氮化 氮化为什么能提升效率?

物理量与定理
水管工发布于 2022-10-08 17:57:48

#氮化充电器 #硬核拆解 给苹果氮化充电头拆解

Ga拆解产品拆解
学习电子知识发布于 2022-10-21 19:44:22

65W氮化方案 #从入门到精通,一起讲透元器件! #硬声创作季

氮化
深圳爱美雅电子有限公司发布于 2023-04-11 16:36:50

氮化测试

氮化
jf_00834201发布于 2023-07-13 22:03:24

氮化镓功率器件的工艺技术说明

氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同,本文通过深入对比氮化HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342704

氮化镓功率器件结构和原理

氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件,具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667

SW2303一颗PD纯协议IC,适用于单口USB PD及单口氮化产品

智融推出了一颗USB PD协议芯片SW2303,适用于单口USB PD及单口氮化产品。据悉,除了USB PD协议之外,该芯片还可兼容QC、FCP、高低压SCP、AFC、SFCP
2022-07-29 16:46:40

已全部加载完成