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电子发烧友网>模拟技术>什么是 GaN 氮化镓?2

什么是 GaN 氮化镓?2

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是什么氮化GaN)是氮和化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
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氮化功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
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2020-12-03 11:46:10

MACOM:硅基氮化器件成本优势

,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化等技术,共有40多条生产线
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MACOM:适用于5G的半导体材料硅基氮化GaN

多个方面都无法满足要求。在基站端,由于对高功率的需求,氮化GaN)因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20

为什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
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为什么氮化比硅更好?

氮化(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化拥有宽禁带特性(WBG)。 硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化技术

两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化GaN)?

氮化,由(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么是氮化GaN)?

、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化系列”,告诉大家什么是氮化GaN)?
2019-07-31 06:53:03

什么阻碍氮化器件的发展

=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化技术是5G的绝配,基站功放使用氮化氮化GaN)、砷化(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
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传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

应用的企图心。到2020年时,氮化组件将进军600~900伏特市场,与碳化硅组件的竞争关系升温。问题:1.碳化硅(Sic)、氮化(GaN)、都是一种新型的材料。那COOLMOS又是啥?(这几年也很热门)2
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光隔离探头应用场景之—— 助力氮化GaN)原厂FAE解决客户问题

GaN)原厂来说尤为常见,其根本原因是氮化芯片的优异开关性能所引起的测试难题,下游的氮化应用工程师往往束手无策。某知名氮化品牌的下游客户,用氮化半桥方案作为3C消费类产品的电源,因电源稳定性
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如何用集成驱动器优化氮化性能

导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29

如何设计GaN氮化 PD充电器产品?

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2021-06-15 06:30:55

有关氮化半导体的常见错误观念

氮化(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化半导体仍然有如此多的误解?事实又是怎样的呢? 关于氮化技术
2023-06-25 14:17:47

请问氮化GaN是什么?

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2021-06-16 08:03:56

谁发明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片发展的关键人物。 首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

高压氮化的未来是怎么样的

我们全新的白皮书:“用一个集成驱动器优化GaN性能。”• 通过阅读博文“我们一起来实现氮化的可靠运行”,进一步了解TI如何使GaN更加可靠。• 加入TI E2E™ 社区氮化 (GaN) 解决方案论坛,寻找解决方案、获得帮助、与同行工程师和TI专家们一起分享知识,解决难题。
2018-08-30 15:05:50

日本将LED发光效率再提高1倍

  日本碍子2012年4月25日发布消息称,开发出了可将LED光源的发光效率提高1倍的GaN氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷
2012-05-08 11:37:423500

功率半导体材料GaN和SiC使用新趋势

“功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前,功率半导体材料正迎来材料更新换代,这些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN氮化镓),二者的物理特性均优
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解读射频GaN市场的机遇及未来发展

今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。 GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。
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5G高频特性将使GaN技术使用领域延伸

相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC与GaN氮化镓)具备耐高电压特色,并有耐高温与适合在高频环境下优势,其可使芯片面积大幅减少,并简化周边电路设计,达成减少模块、系统周边零组件及冷却系统体积目标,GaN应用范围包括射频、半导体照明、激光器等领域。
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科锐宣布与荷兰Nexperia签署专利许可协议

Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。
2018-04-20 15:27:553888

Fly-Buck转换器正确的匝数比应该如何选取

纽约时间2018年10月25日,安克创新在纽约召开了首场新品发布会,搭载GaN氮化镓)黑科技的,Anker PowerPort Atom PD 1 全球首次亮相!
2018-11-06 10:16:176568

RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件

近日,RAVPower发布了一款USB PD充电器新品,这款充电器内置了时下关注度很高的GaN氮化镓功率器件,这在业内被称为第三代半导体。
2018-12-01 09:51:256414

电源负载和欠压、过压保护

GaN氮化镓)功率器件被业界称为第三代半导体材料,可以被应用到充电器当中,但是因为成本价格问题,使用GaN的充电器还未普及。除了GaN氮化镓)之外,还有一种可用于充电器的Coolmos功率器件也很不错,它兼顾了售价、设计、性能,比较均衡,适合运用在充电器等产品中。
2018-12-13 15:41:202394

国产5G通信基站GaN功率放大器芯片通过认证

在10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上,国产5G通信基站GaN氮化镓)功率放大器芯片,在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。
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如何利用GaN氮化镓半导体提高白光LED的发光效率

利用GaN氮化镓)系半导体的白色发光二极管,做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折,十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量,虽然有很多研究人员非常关心蓝光LED的发展,却都无视白光LED的应用潜能。
2019-10-16 17:22:465065

RAVPOWER 61W急速充电器GaN氮化镓加持小巧更安全

随着越来越多智能设备开始支持快充,外出时携带专用充电头就非常必要,但是这些支持快速充电的充电头外形都比较大,携带起来并不方便。
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小米发布旗下首款氮化镓充电器 售价149元

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2020-02-13 16:44:013372

小米GaN充电器与普通充电器有什么区别

在小米10发布的同时,小米还带来了旗下第一款采用GaN氮化镓材料的充电器,官方名称“小米GaN充电器Type-C 65W”。其售价149元,将于2月18日10点开卖。
2020-02-15 14:19:2225671

小米GaN氮化镓充电器到底采用的哪家方案

小米10系列发布会上,雷军宣布了小米旗下第一款采用GaN氮化镓材料的充电器,最大功率65W。
2020-02-17 15:03:1810520

曝苹果或发布GaN充电器 并支持65W快速充电

小米10系列发布后,雷军开始疯狂介绍新机的新功能,其中GaN氮化镓)充电器是他提到最多的。事实上,小米,华为,三星,Oppo和苹果都已制定了氮化镓技术计划。
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小米GaN充电器今日再开售 搭配小米10 Pro可提供最高50W充电功率

小米10发布会上,小米还带来了旗下第一款采用GaN氮化镓材料的充电器,官方名称“小米GaN充电器Type-C 65W”,售价149元。对一块4500mAh的超大电池从0%充电至100%仅需45分钟
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昨(17)日,全球领先的半导体行业沉积设备供应商爱思强(AIXTRON)宣布,康佳集团已订购了多个AIX G5+C和AIX 2800G4-TM MOCVD系统,以建立该公司基于GaN氮化镓)和砷磷材料的Mini及Micro LED的批量生产能力。
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第三代半导体材料,氮化镓的应用将越来越广泛

从供应链获悉,华为举行的2020年春季发布会上,发布了一款充电器新品(单品),功率65W。这款充电器属于GaN氮化镓)类型,支持双口(Type-C和A)模式,能给手机和平板充电。
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氮化镓接连被手机厂商们“翻牌” 2025年全球GaN快充市场规模有望达600多亿元

4月8日,华为举行P40系列国行版线上发布会。发布会上,除了发布了P40系列三款新机等,余承东带来了GaN氮化镓)双口超级快充充电器,最大充电功率为65W,5月下旬开卖,售价为249元。
2020-04-10 16:05:313302

随着GaN技术的成熟,GaN市场发展将迎来黄金期

在4月8日晚间的华为春季新品发布会上,期待已久的华为P40系列国行版终于发布,与此同时,华为还带来了一款充电器新品,功率65W。这款充电器属于 GaN氮化镓)类型,支持双口超级快充(Type-A
2020-07-16 15:24:451116

倍思推出全球首款120W氮化镓+碳化硅充电器

倍思与2019年推出了首款2C1A GaN氮化镓充电器引爆了的氮化镓充电器市场,热度持续不减,倍思再度推出全球第一款氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器。
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GaN氮化镓)——支持60W PD快充的双口充电器

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国内氮化镓、碳化硅等产值或达70亿元

日前,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在2020国际第三代半导体论坛上透露,双循环模式推动国产化替代,2020年中国SiC(碳化硅)、GaN氮化镓)电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。
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根据 @坚果手机微博消息,Smartisan 65W GaN 氮化镓充电器,昨晚在李诞的抖音直播间首发。这款充电器目前已经在锤子商城上架,售价 149 元,到手价 129 元。 这款充电器采用折叠
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消息称苹果将采用GaN技术的充电器、电池充电速度更快

,Navitas半导体今年将获得来自苹果的GaN氮化镓)充电器订单,而台积电将为Navitas供应氮化镓芯片。 报道中提到,苹果计划推出基于GaN的USB-C电源适配器,由于使用了氮化镓技术,充电器会变得更小、更轻。在过去几年中,已经有很多厂商推出了GaN充电器,比如贝尔金、An
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近日数码爆料博主数码闲聊站又爆料了一条重磅消息,那就是小米120W GaN氮化镓)充电终于要在小米商城上架了。可能看到这里有很多小伙伴会感到疑惑,小米商城之前不是有一款120W充电器了吗?怎么又来
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GaN氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
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一文详解GaN氮化镓电源技术

第一代半导体材料:主要指Si、Ge元素为主的半导体,它们是半导体分立器件、集成电路和太阳能电池的基础材料。
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氮化镓充电器电源方案的特点是怎样的

随着氮化GaN市场的火爆,有很多做充电器的工厂在寻找氮化镓充电器方案;市面上虽然已有多款氮化镓充电器在销售,但是提供GaN方案设计的厂商确不多,并且存在开发周期非常漫长,费用高等问题。鉴于以上存在
2022-06-02 15:32:522639

在高频电源转换器中演示基于GaN-HEMT的动态Rds电阻

GaN氮化镓)器件因其高开关速度、更高的功率密度和效率等能力而在设计电源转换器中变得流行,但 GaN 器件的一个缺点是电流崩溃由于当器件关闭和热电子效应时被俘获的电荷。因此 GaN 器件提供
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什么是GaN氮化镓?为什么充电器用GaN而不是SiC?

新能源车的功率控制单元(PCU)是汽车电驱系统的中枢神经,管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统 PCU 使用硅基材料半导体制成,强电流与高压电穿过硅制晶体管和二极管的时的电能损耗是混合动力车最主要的电能损耗来源。
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应用在电源适配器中的GaN氮化

电源适配器(Power adapter)是小型便携式电子设备及电子电器的供电电源变换设备,一般由外壳、变压器、电感、电容、控制IC、PCB板等元器件组成。
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应用在低功耗SMPS中的GaN氮化

是一种高频化电能转换装置。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。
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半导体材料:GaN氮化镓)的详细介绍

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基于安世GaN氮化镓)的无线充电系统

无线充电技术能够有效解决传统有线充电的接口限制和安全等问题,同时又兼备科技感和便利性,成为颇受业内欢迎的新能源充电解决方案。
2022-11-09 15:12:48710

什么是 GaN 氮化镓?1

对于 GaN,中文名氮化镓,我们实在是听得太多了。 这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始,一夜之间,GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。 然后随之而来的,就是
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氮化镓(GaN)是什么

氮化镓(GaN)是什么 氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高
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半导体材料:GaN(氮化镓)的详细介绍

三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,是支撑新一代移动通信、新能源汽车
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GaN/氮化镓65W(1A2C)PD快充电源方案

近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W(1A2C)PD快充充电器方案,该方案采用同系列控制单晶片:QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步
2023-03-01 17:25:56993

什么是GaN氮化镓?GaN有何优势?

GaN:由镓(原子序数 31) 和氮(原子序数 7) 结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。
2023-03-22 09:58:124735

什么是GaN氮化镓?Si、GaN、SiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,GaN 充电器的运行速度,比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率,GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212338

MTC-PD65W1C-CTA1快充电源-使用MTC-650V Cascode D-GaN

GaN/氮化镓作为第三代半导体材料经常被用在PD快充里面;氮化镓(GaN)拥有极高的稳定性,将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率。
2023-04-27 09:44:45173

1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行?

近年来,SiC(碳化硅)、GaN氮化镓)等宽带隙(WBG)功率半导体的开发和市场导入速度加快,但与硅相比成本较高的问题依然存在。
2023-06-15 14:46:47495

1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行?

在全球最大的电力电子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以类似硅的成本实现垂直 GaN氮化镓)功率晶体管的欧洲财团 YESvGaN 介绍了其方案。
2023-06-16 15:19:18387

找方案 | 世平安森美推出新一代GaN氮化镓/SiC碳化硅MOSFET高压隔离驱动器NCP51561 应用于高频小型化工业电源

的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的特性,使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOSMOSFET和
2022-11-21 16:05:46558

UE Electronic即将推出新型氮化镓智能插座,全方位展现品质高端、时尚性能

,“读”懂消费需求和偏好,精准匹配供需,推出新型氮化镓智能插座,接受个性化定制色彩。产品特色:时尚品质、快充供电、四大保护、新一代GaN氮化镓)时尚品质:UE智
2023-03-09 10:12:50571

GaN与SiC功率器件的特点 GaN和SiC的技术挑战

 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN氮化镓)为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

量产GaN晶圆的KABRA工艺流程

半导体制造设备厂商DISCO Corporation(总部:东京都大田区;总裁:Kazuma Sekiya)采用了KABRA(一种使用激光加工的晶锭切片方法),并开发了一种针对GaN氮化镓)晶圆生产而优化的工艺。通过该工艺,可以同时提高GaN晶圆片产量,并缩短生产时间。
2023-08-25 09:43:52435

功率半导体器件 氧化镓市场正在稳步扩大

调查结果显示,SiC、GaN氮化镓)等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件,市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24365

低成本垂直GaN氮化镓)功率器件的优势

GaN因其特性,作为高性能功率半导体材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型:水平型(在硅晶圆上生长GaN晶体)和垂直型(原样使用GaN衬底)。
2023-09-13 15:05:25660

应用在SMPS中的GaN氮化

开关模式电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。
2023-10-11 09:49:18238

垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

使用GaN氮化镓)的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术,解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:40709

GaN氮化镓加速无线充电应用:更快、更方便

缩短充电时间。预计到2030年,用于无人机投递和专业或个人用途的机器人市场将超过1000亿美元,而GaN基于WPT技术预计将在这些应用中发挥重要作用。
2023-10-22 11:30:00661

不知道该如何选择氮化镓芯片?

GaN氮化镓比硅更适用于高频功率器件。可以显著降低功率损耗和散热负载,在体积和功率密度方面具有明显的优势。用于逆变器、稳压器、变压器、无线充电等领域,可有效降低能量损耗。
2023-10-27 14:12:35225

GaN氮化镓的4种封装解决方案

GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点,与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感,芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时,GaN产品的高压特性,也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
2023-11-21 15:22:36335

GaN氮化镓材料,主要适用于哪些领域

GaN器件是平面器件,与现有的Si半导体工艺兼容性强,因此更容易与其他半导体器件集成,进一步降低用户的使用门槛,并在不同应用领域展现它的属性和优势,很有可能彻底改变世界。
2023-11-28 13:51:08541

“强”+“强”,利亚德、富士康、友达等与国际大厂“抱团”

鸿海持续强化旗下Micro LED(微发光二极管)技术实力,决定携手以GaN氮化镓)技术为基础的英国半导体企业Porotech,建立双方在AR(扩增实境)应用中的伙伴关系,共同发展Micro LED微显示器。
2023-12-19 16:54:18457

面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势

近年来,SiC(碳化硅)、GaN氮化镓)等宽带隙(WBG)功率半导体的开发和市场导入速度加快,但与硅相比成本较高的问题依然存在。
2023-12-26 10:11:57393

英飞凌联手安克创新与盛弘电气,加速SiC与GaN技术应用

近期,英飞凌科技公司宣布与安克创新和盛弘电气两大知名厂商达成合作,共同推动SiC(碳化硅)和GaN氮化镓)技术在各领域的应用。这些合作将进一步提升功率半导体器件的效率和性能,为行业带来更多的创新和价值。
2024-02-02 15:06:34304

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