Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22:14
的。虽然有些公司可以提供高压的肖特基硅二极管，但是也是将几个二极管串联之后封装在一起。当然也有公司称有独特的工艺，可以制造高压肖特基二极管，但并不知晓是什么样的工艺。 13、什么是碳化硅二极管
2012-07-15 15:28:24
二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一，二极管的压降的其中的一种。 二极管在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。二极管规格书下载：
2021-03-22 17:25:26
一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
％至 97％的系统效率。此外，CoolSiC 肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低 30%。由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。详情见附件。。。。。。
2021-03-29 11:00:47
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
明显优势，可以用来做成高耐压的肖特基二极管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。 03 碳化硅肖特基二极管结构简析 肖特基二极管：以金属为阳极，以N
2023-02-28 16:55:45
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
小轻薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性：⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势：⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
碳化硅为半导体材料设计的肖特基二极管，由于碳化硅的优点，它的应用范围可以扩展到200V以上场合。对于不同的应用，碳化硅肖特基二极管具有以下优势： ·由等效电容造成的反向恢复电荷很少，所以硅二极管中常
2019-01-02 13:57:40
称有独特的工艺，可以制造高压肖特基二极管，但并不知晓是什么样的工艺。 13.什么是碳化硅二极管？ 通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料
2017-05-22 14:07:53
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料，几乎不
2023-02-15 14:24:47
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
二极管，但是也是将几个二极管串联之后封装在一起。当然也有公司称有独特的工艺，可以制造高压肖特基二极管，但并不知晓是什么样的工艺。13. 什么是碳化硅二极管?通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是
2014-04-26 13:42:10
。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。 5. 什么是二极管的反向漏电流? 二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压得时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反
2016-11-14 20:04:40
能动力碳化硅二极管ACD06PS065G已经在倍思120W氮化镓快充中商用，与纳微GaNFast高频优势组合，高频开关减小磁性元件体积，提高适配器功率密度。创能动力是香港华智科技有限公司孵化出来的公司
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合，可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管，也是一个不错的选择，与纯硅解决方案相比，可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管
2012-07-12 15:40:31
MOSFET有更低的开关损耗。碳化硅MOSFET的体二极管虽然也存在反向恢复行为，但是其反向恢复电流相对IGBT或超结MOSFET要小很多。因此，当开关频率提高时，碳化硅MOSFET的优势将更为明显，系统
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性，在持续使用内部体二极管的连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）设计，例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
以及低体二极管反向恢复的优势能简化拓扑设计，提高了隔离DC/DC变换器的功率密度（图4）。方案每个开关采用两颗1000V、65毫欧碳化硅MOSFET(C3M0065100K)并联，总共有８颗碳化硅在
2016-08-05 14:32:43
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
本期SiCer小课堂，将为大家介绍基本半导体内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品。该产品在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热，可简化生产步骤，提高生产质量和整机的长期可靠性，有效
2023-02-28 17:06:57
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
、反向恢复时间短的半导体二极管）主要用于各种功率转换器的开关功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到续流效果。碳化硅肖特基二极管4.1 碳化硅肖特基二极管基本型肖特基二极管，也称为热载流二极管，通过
2023-02-07 15:59:32
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
)和1200V 碳化硅隔离全桥DC/DC方案(下图)因此碳化硅MOSFET在软开关桥式高输入电压隔离DC/DC电路中优势明显，简化拓扑，实现高效和高功率密度。特别是它的超快体二极管特性使无论谐振LLC
2016-08-25 14:39:53
μs以内起作用。采用二极管或电阻串检测短路，短路保护最短时间限制在1.5μs左右。 1）高dv/dt及di/dt对系统影响 在高压大电流条件下进行开关动作时，器件开关会产生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
什么是二极管的正向导通压降？二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。5.
2020-09-18 17:00:12
CSD01060E为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-27 20:10:54
C3D04060F为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 15:55:46
C3D08060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:45:27
C6D08065Q为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 20:36:06
C6D08065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-29 20:42:44
C6D10065Q是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-05-31 20:02:07
E4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-02 18:19:35
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管
2022-06-03 19:46:36
因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的极限电场是硅材料和砷化镓(GaAs)的5~20倍12。这一高极限电场可以用来制造高压、大功率器件。 大功率碳化硅二极管
2018-11-20 15:28:07
1412 碳化硅二极管的应用改善了绝缘芯变压器结构的输出部分的发热，受IGBT的开关频率的限制没有真正发挥碳化硅的高频特性，随着开关频率的提高，碳化硅二极管的优势会更明显。
2020-08-14 16:51:558712 
碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:056028 高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。 碳
2023-02-05 16:34:591314 碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在智能
2023-02-10 17:45:171732 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。碳化硅二极管的工作原理是，当电压通过碳化硅二极管时，电子会从N极流向P极，从而产生电流。碳化硅二极管可以用于汽车电子控制系统，以及其他电子设备中，用于控制电流和电压。
2023-02-15 15:13:42642 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。
2023-02-15 15:21:40629 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN3D06065F（650V碳化硅二极管，电流6A，贴片
2023-02-21 10:12:241680 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 我们拿慧制敏造碳化硅半导体出品的KNSCHA碳化硅二极管封装接下来我们来看一下碳化硅二极管的贴片封装，常见的有有TO-263和TO-252封装，随着近些年电源对于功率密度要求不断提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 今天鑫环电子就为大家讲解一下碳化硅二极管的应用领域及优势。 一、太阳能逆变器。 碳化硅二极管是太阳能发电用二极管的基本原材料，碳化硅二极管在各项技术指标上都优于普通双极二极管技术。碳化硅二极管
2022-12-14 11:36:05843 
的电子器件，正逐渐成为电力电子领域的明星产品。本文将深入探讨碳化硅肖特基二极管的优势、市场前景及其在各领域的应用。
2023-12-29 09:54:29188
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