可以使用极快的开关晶体管：超级结 MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化镓 (GaN) 的晶体管；这些仍然比传统晶体管昂贵得多，但它们使设计更小、更高效的开关电源
2021-10-14 15:33:00
3704 
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的缩写，是一种用于电子电路中的半导体器件
2023-02-25 16:24:382103 迁移率晶体管）。为什么同是第三代半导体材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？为什么没有GaN MOSFET产品？下面我们来简单分析一下。 GaN 和SiC 功率器件的衬底材料区别 首先我们从衬底材料来看看SiC和GaN功率器件的区别，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 8050的情况下，补码通常是8550。8050和8550晶体管的技术额定值通常是相同的。区别在于它们的极性。它们共同允许电流安全地流过无线电和无线电，从而为传输提供动力，并允许在用户端实现多种功能
2023-02-16 18:22:30
开关性能。集成驱动器还可以实现保护功能简介氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 (GaN) 晶体管的终端电容较低，并避免了体二极管所导致的反向恢复
2018-08-30 15:28:30
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何区别？MOSFET是MOS(金属-氧化物-半导体) 做栅极MODFET/MESFET 是用金属-半导体接触(肖特基二极管)，用二极管做栅极，速度比
2022-01-25 06:48:08
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28:40
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的缩写，也叫场效应管，是一种由运算器的基础构成
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我们将探讨 MOSFET 和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成电路使用更多晶体管。 平面与三维 （3D） 平面MOSFET（图1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-04-09 04:58:00
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-SBD－关于可靠性试验所谓SiC-MOSFET所谓SiC-MOSFET－特征所谓SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别与IGBT
2018-11-27 16:40:24
，而且在高温条件下的工作也表现良好，可以说是具有极大优势的开关元件。这张图是各晶体管标准化的导通电阻和耐压图表。从图中可以看出，理论上SiC-DMOS的耐压能力更高，可制作低导通电阻的晶体管。目前
2018-11-30 11:35:30
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
的SiC-MOSFET由于寄生双极晶体管的电流放大倍数hFE较低，因而不会发生电流放大，截至目前的调查中，即使在50kV/µs左右的工作条件下，也未发生这种损坏模式。关于体二极管快速恢复时的dV/dt，一般认为
2018-11-30 11:30:41
晶体管的结构与特征比较所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别与IGBT的区别所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品所谓
2018-11-27 16:38:39
的第一款SiC功率晶体管以1200 V结型场效应晶体管（JFET）的形式出现。SemiSouth实验室遵循JFET方法，因为当时双极结晶体管（BJT）和MOSFET替代品具有被认为是不可克服的障碍。虽然
2023-02-27 13:48:12
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21:55
晶体是什么？晶振又是什么？它们有何区别？
2021-06-07 07:04:34
情况，需要检查实际使用状态，并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法。为安全使用晶体管，请务必作为参考。判定前：晶体管的选定～贴装的流程1. 晶体管的选定从Web、Shortform产品目录
2019-04-15 06:20:06
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
是晶体管的直流电流放大系数，是指在静态（无变化信号输入）情况下，晶体管IC与IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情况下β和hFE较为接近,也可相等，但两者含义是有明显区别的，而且在许多场合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理
2020-06-09 07:34:33
题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容，来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
2018-10-25 16:01:51
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
【不懂就问】图中的晶体管驱动电路，在变压器Tr的副边输出电阻R3上并联的二极管D2，说D2的作用是在输入端有正脉冲输入时使得变压器次级产生的的正脉冲通过D2，直接驱动MOSFET管Q2，达到提高导
2018-07-09 10:27:34
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
的高功率晶体管产品组合。我们目前的产品提供超过80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半导体技术。我们还致力于制造一些首批Si-bipolar器件，从而支持传统方案
2019-04-15 15:12:37
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
基于SiC HEMT技术的GaN输出功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的效率-高达80％在100ms，10％占空比脉冲条件下进行了100％RF测试IGN0450M250功率晶体管
2021-04-01 10:35:32
和双极技术。产品型号：IGN2856S40产品名称：晶体管IGN2856S40产品特性SiC HEMT技术中的GaN500瓦输出功率AB类操作预匹配内阻抗100%高功率射频测试负栅电压/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。GaN on SiC HEMT技术40W输出功率AB类操作预先匹配的内部阻抗经过100％大功率射频测试负栅极电压/偏置排序IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 09:57:55
PLC晶体管输出和继电器输出区别
2012-08-20 08:26:07
发射极流向集电极。掺杂半导体可以在晶体管的三个不同部分中找到。一侧有一个发射器，另一侧有一个收集器。术语“基地”是指中心区域。晶体管的三个组件将在下面详细介绍。PNP 晶体管结构发射发射器有责任向接收器
2023-02-03 09:44:48
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
QPD1020射频功率晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50欧姆输入
2018-07-27 11:20:12
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
TGF2954碳化硅晶体管产品介绍TGF2954报价TGF2954代理TGF2954TGF2954现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2954是离散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶体管产品介绍TGF2955报价TGF2955代理TGF2955TGF2955现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2955是离散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管通道完全闭合；二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟，正在先行研发一种有前景的替代材料：GaN。从光学角度看，GaN的带隙为
2020-11-27 16:30:52
按工作电压的极性可分为NPN型或PNP型。》 双极结型晶体管“双极”意味着电子和空穴在工作的同时都在运动。双极结型晶体管，又称半导体三极管，是通过一定工艺将两个PN结组合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
，电压源连接的极性和电流流向不同。在大多数情况下，NPN晶体管可以用PNP晶体管代替，反之亦然，但必须改变电源极性。PNP和NPN有什么区别？NPN 代表负-正-负晶体管，而 PNP 代表正-负-正
2023-02-03 09:50:59
更高的功率耗散，因为输出晶体管不能饱和。在更高的频率下，更大的相移也是可能的，这可能会导致负反馈下的不稳定。 达林顿晶体管原理图通常描绘了在单个大圆圈内连接在一起的一对晶体管元件。互补达林顿或
2023-02-16 18:19:11
。 为什么使用鳍式场效应晶体管器件代替MOSFET？ 选择鳍式场效应晶体管器件而不是传统的MOSFET有多种原因。提高计算能力意味着增加计算密度。需要更多的晶体管来实现这一点，这导致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
）-正在取代以往占主导地位的硅解决方案，这标志着市场的转折。许多应用场景，比如手机充电器，尤其得益于GaN技术的快速发展。GaN晶体管不仅提供了比硅晶体管更高的开关速度，而且还降低了大多数MOSFET
2022-02-17 08:04:47
，导致流过晶体管的电流为零的大耗尽层。在这种情况下，晶体管被关闭。 截断区域特征如下所示： 图3.截断区域特征。图片由Simon Munyua Mugo提供 晶体管操作类似于单刀单掷固态开关
2023-02-20 16:35:09
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是电信号？常见的晶体管的电路符号有哪几种？
2021-10-29 07:04:27
≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))数字晶体管的型号说明IO和IC的区别IC: 能够通过晶体管的电流的最大理论值IO: 能够作为数字晶体管使用的电流的最大值解说
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
，晶体管将遍历其线性区域。强米勒效应使输入电容增加得如此之多，以至于栅极电压将显示一个平台状态，直到米勒效应在导通或关断状态下再次消失。这种效应会减慢开关速度，只能通过高峰值电流驱动器或级联电路来克服
2023-02-20 16:40:52
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
：LGA （a） 和 BGA （b） 格式的 GaN 晶体管显示了器件电流流的方向，从而最大限度地减少了共源电感 虽然最小化构成环路的各个元件（即电容ESL、器件引线电感和PCB互连电感）的电感很重
2023-02-24 15:15:04
励磁电流ILM开始在死区时间内对低侧晶体管的输出电容放电。在状态2时，寄生输出电容完全放电，GaN功率晶体管通过2DEG通道从源极到漏极以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一个固有的双极
2023-02-27 09:37:29
两种原子存在，需要非常特殊的栅介质生长方法。其沟槽星结构的优势如下（图片来源网络）：平面vs沟槽SiC-MOSFET采用沟槽结构可最大限度地发挥SiC的特性。相比GAN, 它的应用温度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
和高频场效应晶体管(FET)。WBG 材料以其优异的电学特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高频电子器件的局限性。更重要的是，WBG 半导体可用于可扩展的汽车电气系统和电动汽车(电动汽车
2022-06-15 11:43:25
。在数字设备中，肯定会使用大规模集成电路，所以不会采用电子管。 通过以上的内容可以看到，电子管与晶体管在结构与工作方式上都存在着较大的区别，这就导致了两者在应用范围上的不同，显然适应性更加广泛的晶体管将逐渐取代传统电子管是必然的发展方向，但在某些特定的设计或者场合中仍需使用电子管。
2016-01-26 16:52:08
，在这种情况下采用基于氮化镓（GaN）晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似，GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制，单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率，并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
本帖最后由 傲壹电子 于 2017-6-16 10:38 编辑
1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
方向上受控，在反向方向上不受控)。绝缘栅极双极性晶体管的工作原理和栅极驱动电路与 n 沟道功率 MOSFET 非常相似。基本区别在于 IGBT 中，当电流通过处于“ ON”状态的器件时，主导通道所提
2022-04-29 10:55:25
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36:55
时钟多米诺逻辑是晶体管级的结构，请问其结构如何，有何作用？如何理解比较好。
2019-07-25 05:56:04
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:11
23 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。
2022-04-01 11:05:193412 半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。
2022-04-16 17:13:015712 **氮化镓**晶体管和**碳化硅** MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。
他们也有各自
2023-02-03 14:34:201619 
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687
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