MOS晶体管的工作原理

MOS管的全称是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应晶体管)。

如图所示这是一个N沟道的MOS晶体管，一共有三个级，漏极，栅极、源极。

MOS晶体管可以实现的功能是：当栅极没有电压时，它是截止的，当给栅极一个电压之后MOS晶体管就导通了。

上图为MOS管的半导体结构

N代表是N型半导体(Negative)，N型半导体掺入了五价的磷元素。

P代表P型半导体(Positive)，P型半导体在纯净的硅晶体中掺入了三价的硼。

因为掺入了五价的磷元素，所以有多的自由电子，因为自由电子带负电，所以英文名字叫Negative(消极的，负电的)。

因为在纯的硅晶体中掺入了三价的硼，导致最外层没有形成8电子的稳定结构，缺少电子形成了空穴带正电，所以英文名字叫Positive(正点的，正极的)，在这里很重要的是，P型半导体同样也是含有自由电子的只是没有N型半导体的自由电子数多。

当接通电源的时候，电流的流向和电子的流向如上图所示。

由于P型半导体和N型半导体等效成了两个二极管(模型上的等效，实际上不能进行等效)，导致电路没有办法进行导通。

当在P型半导体上面加上绝缘层金属板并通上电之后，P型半导体的自由电子迅速向绝缘层方向靠近，就形成了N沟道，并且顺利导通。

同时MOS管还具有如下特点;

1.由于有绝缘层的存在，MOS管栅极输入阻抗非常高。

2.MOS管栅极很容易被静电击穿，造成永久损坏。