当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv
2015-01-14 17:10:29
7144 
米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段
2018-09-28 08:02:0019124 MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
2022-09-29 09:26:071441 上篇文章聊了MOS管-传输特性曲线的细微之处，希望同学们能精准识别三种特性曲线的区别，而不是死记硬背。研究MOS管，一定绕不开一个重要现象——Miller效应，今天我们就一起探讨下，一次聊不完，可能会分几篇来探讨。
2023-02-01 10:18:411547 从多个维度分析了米勒效应，针对Cgd的影响也做了定量的推导，今天我们再和大家一起，结合米勒效应的仿真，探讨下如何减小米勒平台。
2023-02-14 09:25:467164 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
2023-04-26 09:20:532057 
本文主要介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通过了解MOS管的的开关过程，以及MOS米勒电容的影响，来改进MOS管设计。
2023-07-21 09:19:364571 
MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻
2023-08-26 08:12:55915 
本章首先介绍了MOS管的基本结构并推导了其I/V特性，并阐述MOS管的二级效应，如体效应、沟道长度调制效应和亚阈值传导等，之后介绍了MOS管的寄生电容，并推导其小信号模型。
2023-10-02 17:36:001342 
SOT-89 N沟道MOS管/场效应管HN03N10D参数：100V MOS管100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管/场效应管HN0801产品应用于：小家电，雾化器，加湿器，电源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
`惠海半导体【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，超低内阻，结电容超小，采用沟槽工艺，性能优越,惠海半导体专业20-150V
2020-11-14 13:54:14
惠海半导体 供应30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原装，库存现货热销HC020N03L参数：30V 30A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体资料
2018-10-29 22:20:31
(VGE)：5.5VG-E极漏电流(IGES)：100na工作温度：-55~+150℃引线数量：3 MOS管25N120又称场效应管，我们首先介绍一个更简单的器件——MOS电容，可以更好地理解MOS管
2021-10-30 15:41:50
本帖最后由 菜鸟到大神 于 2020-5-17 21:24 编辑
MOS管类型MOS管有N沟道型和P沟道型两种，根据场效应原理的不同又可分为耗尽型和增强型。因此，MOS管可构成P沟道增强型、P
2020-05-17 21:00:02
`电子元器件行业有今天的成就，那绝离不开MOS管与场效应晶体管的鼎力相助，但是一些刚入电子行业的常常把MOS管与场效应晶体管混为一谈，到底MOS管和场效应晶体管两者背后到底有何联系？这对于初学者来说
2019-04-15 12:04:44
了，没错就是米勒电容。我们都知道因为多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等因素，MOS管会产生寄生电容。 它们分别是输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss
2023-03-15 16:55:58
MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道。场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解
2021-10-28 07:46:04
影响不明显，可是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较高，比方310V下，经过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振动，这个振动叫米勒振动。所以Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时刻
2019-04-09 11:39:46
也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时间，也就是积分那段时间，叫米勒平台，如下图圆圈中的那部分为米勒平台，右边的是振荡严重的米勒振荡：因为MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且
2018-11-21 14:43:01
米勒振荡可以认为是开关电源设计的核心关键。A、减缓驱动强度 1、提高MOS管G极的输入串联电阻，一般该电阻阻值在1~100欧姆之间，具体值看MOS管的特性和工作频率，阻值越大，开关速度越缓。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
上一节讲了MOS管的等效模型，引出了米勒振荡，可以这么讲，在电源设计中，米勒振荡是一个很核心的一环，尤其是超过100KHz以上的频率，而作者是做超高频感应加热电源的，工作频率在500K~1MHz范围
2018-11-20 16:00:00
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2021-01-27 15:15:03
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度比三极管快。
2023-03-12 05:16:04
网上查询到的MOS管防过压原理图，求大神解析原理，跪谢！
2022-10-13 09:37:04
MOS_场效应晶体管
2012-08-20 08:21:29
MOS场效应晶体管
2012-08-20 08:51:08
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 07:46:37
MOS场效应管电源开关电路MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽
2018-10-27 11:36:33
MOS场效应管的工作原理MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写
2011-06-08 10:43:25
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器
2012-07-11 11:53:45
场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47:48
【不懂就问】看到TI的一个三相逆变器设计资料中，关于有源米勒钳位的设计这是一段原话“开关IGBT过程中，位移电流流经IGBT的GE极电容，使其栅极电压上升，可能让器件误导通原因是，当逆变器的上管导
2017-12-21 09:01:45
MOS管质量过硬，性能稳定，可替换6N40场效应管。飞虹的FHP730高压MOS管为N沟道增强型高压功率场效应管，除了可替代6N40外，还可替代7N40、IRF730B这两款场效应管。FHP730高压
2019-07-18 20:32:19
。飞虹微电子研发的这个FHP3205低压MOS管在转换效率、安全性能等方面都是可以替换IRF1010E场效应管使用的。飞虹的这个FHP3205低压场效应管是N沟道沟槽工艺MOS管，主要适用于300W
2019-09-03 11:28:28
VMOS场效应管（VMOSFET）简称Vmos管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
产生很大感抗，这里面就有电容，电感，电阻组成震荡电路（能形成2个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大。所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。Gs极加电容，减慢mos管导通时间，有助于减小米勒
2019-07-26 07:00:00
MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析！纯手工画图解析，这资料还是可以的回帖直接下载原文档 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
二极管三极管与晶闸管场效应管解析
2021-02-24 09:22:34
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；
2019-09-12 09:05:05
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶体三极管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。
2021-03-11 06:11:03
1. 什么是MOS管？MOS管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称。1.1 如何判断MOS管的G栅极、D漏极、S源极?（1）引脚一般如上图所示。（2）万用表测量，方法如下S源极与D漏极之间应该有
2021-12-31 06:20:08
中的作用就是保护电路，控制过级电流大小，HY4004场效应管是目前家用电器应用得比较多的场效应管型号之一。逆变器的直流转换是由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动
2019-08-10 16:05:34
组成震荡电路（能形成2个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大，所以最关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。 Gs极加电容，减慢mos管导通时间，有助于减小米勒振荡。防止mos管烧毁。 过快的充电会
2020-06-26 13:11:45
负载适应性和稳定性。因而为了保证产品质量，减少维修成本，厂家就更应该选择一款优质的场效应管，而飞虹电子自主研发的这个FHP740高压MOS管在转换效率、安全性能等方面都是可以替换11N40场效应管
2019-07-22 15:36:13
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体
2009-04-25 15:38:10
障碍!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。IGBT管IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
的米勒平台区，它会影响MOS管的开通和关断过程。对于这个平台区，在开关电源中会引起较大的开关损耗，这是它不利的一面；但是在EMI超标的时候，适当的增加Cgd电容，延长MOS管的开通过程，又可以用来降低
2023-03-22 14:52:34
一、MOS管简介：MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中
2018-10-25 16:36:05
也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时间，也就是积分那段时间，叫米勒平台，如下图圆圈中的那部分为米勒平台，右边的是振荡严重的米勒振荡： 因为MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且
2018-11-27 14:11:15
的半导体器材。 MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器
2018-12-28 11:54:50
开始上升，此时MOS管进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时ld已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOS管进入电阻区，此时
2018-12-19 13:55:15
` MOS管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型--结型MOS管和绝缘栅场效应管可构成相应
2018-10-30 16:02:32
电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻
2024-01-30 11:38:27
绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS＝0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
击穿现象、安全工作范围宽等优点。本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管，其基本结构如下图所示：如上图所示，在一块P型硅片（半导体）衬底（Substrate，也有称为Bulk或Body）上，形成两个高
2023-02-10 15:58:00
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应？
2019-09-05 03:29:03
三极管会不会存在米勒效应
2019-09-10 04:37:38
由MOS场效应管和普通电源变压器构成，TK8A50D场效应管是目前家用电器的逆变器后级电路应用得比较多的场效应管型号之一。冰箱、空调、LED等是我们每天都会应用到的电器，如果场效应管的质量不过关，无法进行
2019-08-15 15:08:53
的竞争优势等。飞虹研发的这个FHP3205低压MOS管在转换效率、安全性能等方面都是可以替换IRF1010E场效应管使用的。飞虹的这个FHP3205低压场效应管是N沟道沟槽工艺MOS管，主要适用于300W
2019-08-29 13:59:20
请问各路大神，场效应管组成的放大电路，存在米勒效应，阶跃时间变得很长，是不是需要增大前级驱动电流，就能减小阶跃时间，或者还有其他方法吗，我看米勒效应都在开关状态下来讲解，但在放大状态依然有米勒平台，这是正常的吗？
2018-08-08 10:29:41
MOS场效应管
表16-3 列出了一些小功率MOS 场效应管的主要特性参数。
2009-08-22 15:54:231094
MOS场效应管
2009-11-06 17:21:00943 米勒效应解决
2017-06-09 09:56:40
48 米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平台（miller plateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
MOS管的等效模型 我们通常看到的MOS管图形是左边这种，右边的称为MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3727499 
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险（如图1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
MOS管的细节
2022-02-11 16:33:053 MOS管即场效应管(MOSFET)，属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。
2022-02-16 16:38:464395 
本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒电容器寄生导通效应的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以同期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
2022-03-29 13:56:160 从t1时刻开始，MOS进入了饱和区。在饱和有转移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨导，只要Id不变Vgs就不变。Id在上升到最大值以后，而此时又处于饱和区，所以Vgs就会维持不变。
2022-08-22 09:11:431821 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。
2022-08-30 15:34:142286 MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
2022-10-31 02:03:321073 
在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10 14:05:506736 
在上一篇文章中详细描述了带阻性负载时米勒平台是怎样的，对各阶段做了定量分析，相信看过的同学应该会有所收获。今天我们来聊一聊带感性负载时米勒平台是怎样的。
2023-03-26 13:40:481714 关于MOS管的米勒效应，已经输出了8篇，今天这一篇是MOS管章节的最后一篇，下一篇就开始整理运放相关的内容。我个人认为今天聊的这个话题至关重要：抑制米勒效应和抑制EMI之间如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数
2023-05-15 16:11:324100 
之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台
2023-05-25 17:24:253999 
搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图
2023-03-03 16:04:061634 
场效应管MOSFET是mos管吗？场效应管mos管的区别？场效应管和mos管有什么不一样的地方？ MOSFET和场效应管（FET）都属于半导体器件中的一种，类似晶体管。MOSFET是MOS（金属
2023-09-02 11:31:152546 为什么说共源共栅结构会减小米勒电容效应呢？ 共源共栅结构是一种常见的放大器电路结构，在多种电路应用中都有广泛的应用。它由共源、共栅、共耦合电容和外部负载等元件组成。共源共栅结构由于具有许多优良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应？ 米勒电容是指由电路中存在的电感所形成的电容。它可以导致电路中的寄生导通效应，从而影响电路的性能。常见的一种解决方法是使用补偿电容，但这么做也会带来其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒电容效应怎么解决？ 米勒电容效应是指在一个带有放大器的电路中，负载电容会产生一种反馈效应，使得整个电路的增益降低或者不稳定。这种效应的产生会影响到很多电路的稳定性和性能，是电子设计中必须面对
2023-09-18 09:15:451230 MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半导体开关中使用共源共栅拓扑消除米勒效应
2023-12-07 11:36:43237 
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