SiC（碳化硅）是由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比，SiC具有许多优势，包括10倍的击穿电场强度，3倍的带隙，以及实现器件结构所需的更广泛的p型和n型控制。
2022-11-21 12:08:45
1254 本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:06642 
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
器件的特点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、高温操作。但是，不仅器件的特性让人对新设计充满好奇，也是意法半导体的战略。碳化硅（SiC）技术是意
2023-02-24 15:03:59
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时，碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
至半导体内部导致失效。同样的晶片表面钝化层损坏后，杂质可能迁移到晶片内部导致失效。 HTRB试验可以使这些失效加速呈现，排查出异常器件。基本半导体碳化硅二级管的HTRB实验温度为175℃，高于一般
2023-02-28 16:59:26
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半导体器件选型，并给出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解决方案。 02 图腾柱无桥PFC拓扑分析 在正半周期（VAC大于0）的时候，T2为主开关管。 当T2开通时，电感L储能，电流
2023-02-28 16:48:24
技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如碳化硅场效应管（SiC MOSFET） 。它们能够提供设计人
2023-03-14 14:05:02
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系统中应用，需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低
2023-02-27 16:03:36
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
很长的路要走。那为什么SiC器件这么受欢迎，但难以普及？本文简单概述一下碳化硅器件的特性优势与发展瓶颈！
2017-12-13 09:17:4421987 1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:006437 碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了。
2019-10-24 10:36:383504 
碳化硅半导体器件供应商致瞻科技有限公司获得Pre-A轮融资。11月20日，毅达资本在官方微信宣布，已完成对致瞻科技的投资。依托核心团队10余年的碳化硅功率半导体设计和驱动系统研发经验
2020-11-30 10:33:272199 碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行，首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线，采用先进碳化硅专用封装工艺技术，打造
2021-12-31 10:55:432797 
与普通硅相比，碳化硅可以承受更高的电压，因此，碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161072 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。
2022-10-14 17:52:065310 。 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅较宽的禁带宽度保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的
2022-11-28 16:51:24498 SiC（碳化硅）器件作为第三代半导体，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等特性，碳化硅器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和新能源汽车、光伏、航天、军工等环境应用领域有着不可替代的优势...以下针对SiC器件进行深度分析：
2022-12-09 11:31:261087 碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许
2022-12-30 13:57:49632 
半导体届“小红人”——碳化硅肖特基，让你的电源温度低过冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 
希科半导体（苏州）有限公司宣布碳化硅外延片投产。据悉，该产品通过了行业权威企业欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司和宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室的双重检测，具备媲美国际大厂碳化硅外延片的品质，解决了国外产品的卡脖子问题，为我国碳化硅行业创下了一个新纪录。
2023-01-13 10:54:281006 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:411859 
碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅是目前应用最为广泛的第三代半导体材料，由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV，因此一般也会被称为宽禁带半导体材料，除了宽禁带的特点外，碳化硅半导体材料还具有高击穿电场、高热导率、高饱和电子
2023-02-12 15:12:32933 碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件，但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件”结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。
2023-02-19 10:18:481086 第三代半导体碳化硅是目前半导体领域最热门的话题。提到 碳化硅（SiC） ，人们的第一反应是其性能优势，如更低损耗、更高电压、更高频率、更小尺寸和更高结温，非常适合制造大功率电子器件；如果说
2023-02-21 09:09:55
3 什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在众多半导体器件中，碳化硅材料具有低热
2023-03-03 14:18:564079 在半导体材料领域，碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中，碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性，其耐高频耐高温的性能，是同等硅器件耐压的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半导体（ST）宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽
2023-05-10 09:43:241338 
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 1、半导体照明领域以碳化硅为基板的LED在此期间具有更高的亮度、更低的能耗、更长的寿命、更小的单位芯片面积，在大功率LED中具有很大的优势。2.各种电机系统在5kV以上的高压应用中，半导体碳化硅功率
2021-12-07 10:36:02546 
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展，一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221042 igbt和碳化硅区别是什么？ IGBT和碳化硅都是半导体器件，它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘
2023-08-25 14:50:049049 目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多，常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件，单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22286 汽车领域中得到了广泛的应用。本文将从AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、优势及应用等方面进行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半导体器件，它的工作原理与传统的硅功率器件基本相同，
2023-09-05 09:04:421880 SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件，具有高温、高频、高效等优点，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅材料的半导体，虽然随着技术的发展，目前碳化硅的成本已经下降了不少，但按市场性价比来看，同类型的硅材料与碳化硅半导体器件的价格相差十倍以上。碳化硅单晶可用于制造晶体管（二极管和晶体管）。由于
2023-10-09 17:00:45276 目前，全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测，未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计，2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元，该数据包括多家上市公司，如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 
随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46241 碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性： 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357 氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中，碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29188 随着科技的不断进步，碳化硅（SiC）作为一种新型的半导体材料，在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力，将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）和传统硅半导体（Si）是两种常见的半导体材料，它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而，碳化硅相对于传统硅半导体具有一定的优缺点。 优点： 更高的热导率：碳化硅的热导率是传统硅半导体
2024-01-10 14:26:52231 共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15412 
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31337 随着全球能源危机和环境问题的日益突出，高效、环保、节能的电力电子技术成为了当今研究的热点。在这一领域，碳化硅（SiC）功率器件凭借其出色的物理性能和电学特性，正在逐步取代传统的硅基功率器件，引领着电力电子技术的发展方向。本文将详细介绍碳化硅功率器件的特点、优势、应用以及面临的挑战和未来的发展趋势。
2024-02-22 09:19:21170
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