，快速切换能力和非常好的热稳定性，因此可以满足所有这些要求，但是由于成本高，这些器件并未广泛用于开发转换器[4]。SiC MOSFET的成本是其两倍，但与Si IGBT相比，它的高电流范围是其8倍。为了减少成本问题，现在的重点是混合Si和SiC器件。在[5]中，介
2021-03-22 13:00:16
3753 
最终的器件是额定电压为650 V的FET，具有4 V的高阈值，小于15mΩ的导通电阻以及类似于单芯片的封装。
2020-12-07 13:43:053055 在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 其中一个优势是，MOSFET 器件在高频开关应用中使用 应用非常重要。MOSFET 晶体管更加容易驱动，因为其控制电极与导电器件隔离，所以不需要连续的导通电流。一旦 MOSFET 晶体管开通
2023-02-03 14:48:24827 
EV、混合动力车和燃料电池车等电动车应用市场。 与Si器件相比，SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的 高效率、小型化和轻量化。 据了解，SiC功率器件的能量损耗只有Si器件的50%，发热量只有Si器件的50%，且有更高的电流密度。在相同功率等级下，SiC功率
2019-07-05 11:56:2833343 13.56Mhz SI522兼容MFRC522的资料以及对比性Si522（超低功耗13.56M芯片）是一颗专门替代替代RC522 FM17522，PIN对PIN，完全软硬件兼容。相对于MFRC522
2020-09-11 14:05:14
。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。请看25℃时的特性图表。SiC及Si MOSFET的Id相对Vd（Vds）呈线性增加，但由于IGBT有上升电压，因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人们当然关注SiC之类的新材料，但是，目前占有极大市场份额和应用领域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。与Si-MOSFET的区别：驱动电压SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，由于漂移层
2018-11-30 11:34:24
、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。下图是相对于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
，关断时电子可以迅速被抽走，没有拖尾电流，因而关断损耗更小，且基本不随温度变化。相比于其它SiCMOSFET, CoolSiCTM MOSFET有以下独特的优势为了与方便替换现在的Si IGBT
2019-04-22 02:17:17
在市场上开始流通是在二十世纪初，而SiC MOSFET则仅有5年左右的历史。首先对SiC半导体材料的物理性质稍作说明。SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体，对于功率元器件来说很重
2018-12-03 15:12:02
AD625失调电压相对于时间的比值指标，这个参数在datasheet里没有给出来
2019-02-18 14:26:32
操作系统（包括内核、驱动等）是使用C语言和汇编编写的，Windows,UNIX,Linux都是这样的。绝大部分是C语言，极少情况使用汇编写的。C语言相对于其他语言有哪些特点：1、有出色的可移植性2、能够访问硬件3、运行效率高良好的移植性：C语言在不同的软件平台，拥有相同的语法。在不同的硬件平台
2021-10-27 08:25:21
半导体材料可实现比硅基表亲更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，这些功能使得在各种电源应用中减少重量，体积和生命周期成本成为可能。 Si，SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑
问:LED相对于CCFL而言，优势在哪里？LED背光的兴起是不是意味着CCFL的淘汰呢？答:LED（发光二极管）背光相对于
2012-05-22 10:40:09
什么是LPDDR5？LPDDR4又是什么？LPDDR5相对于LPDDR4，性能上又有哪些提升呢？
2021-06-18 08:22:53
一、你真的决定要转嵌入式Linux吗？1. 单片机开发相对于Linux嵌入式最大的劣势在于基层的打工岗位平均薪资偏低2. 你所在的城市嵌入式Linux岗位多吗？3. 单片机虽然待遇较低，但是就业机会更多，对大龄求职者相对友好4. 单片机也有一些较高薪职位二、 单片机和嵌入式...
2021-11-05 08:47:17
效果相对于贴片元器件来说是很不错的，在SMT包工包料中使用插件加工对于产品的性能稳定来说会有更好的效果。 3、在极端环境中面对颠簸震动的稳定性插件会表现得更加出色。不同的元器件有不同的优势这个需要工程师在电子设计阶段做全盘考虑从而选择合适的元器件进而使SMT加工达到最好的实现效果。
2020-09-02 17:23:10
工业领域的特点有哪些？WiFi为什么会被用于工业控制中？SimpleWiFi相对于常见的UARTWiFi具有哪些优势？
2021-07-19 08:17:40
paas的优势是什么？为什么选择paas而不是laas
2020-04-07 12:58:23
zynq是xilinx的新一代的嵌入ARM硬核的SOC，请问1、这种FPGA器件相对以往传统FPGA有哪些优势和劣势？2、针对图像和视频处理的，这两类哪一种器件更适合？3、相同价格的情况下，ARM硬核的引入相比传统FPGA是否会降低zynq的性价比和灵活度？
2022-11-07 15:28:45
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意点，可靠性 4、SiC 功率器件的活用（动作、回路、实验例
2018-07-27 17:20:31
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。
一、 SiC的材料优势
碳化硅（SiC）作为宽禁带材料相较于硅（Si）具有很多优势，如表1所示：3倍的禁带宽度，有利于碳化硅器件工作在更高的温度；10倍
2023-10-07 10:12:26
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
？下面，小编就为大家详细介绍一下什么是QSFP28光模块？QSFP28光模块相对于其他光模块有什么优势？ 首先，我们先来了解一下： 什么是QSFP28光模块 我们要了解的就是光模块封装。 通俗的说光模块
2017-10-24 15:18:08
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
我正在使用 STM32WLE5JCI6 开发硬件设计。作为参考，我正在查看项目“MB1842.PrjPcb”（参考设计）和“MB1389.PrjPcb”（Nucleo-WL55JC1 设计文件）降低功耗是使用 RFO_LP 输出相对于 RFO_HP 的唯一优势吗？
2022-12-08 08:42:05
、机械方面都非常稳定的化合物半导体，对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件，具有优于Si半导体的低阻值，可以高速工作，高温工作，能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗
2018-11-29 14:39:47
小，因此在高温条件下特性也很稳定。上述的trr特性也相对于温度非常稳定。Si-FRD的trr随温度上升而増加，而SiC-SBD则能够保持几乎恒定的trr。此外，高温工作时，开关损耗也几乎没有増加。另外
2018-12-04 10:26:52
现在的labview使用初始化鼠标控件，再用输入控件采集。得到的是鼠标相对于电脑屏幕的绝对位置。但是我想要鼠标相对于前面板窗格的绝对位置。请问如何实现？
2019-01-06 18:51:35
开关电源相对于线性电源的优点效率高，但是杂波多，不管是线性电源还是开关电源都需要滤波。下面是嘉立创的方案以及测评。https://www.szlcsc.com/info/12160.html在这里做
2021-10-29 06:43:08
在开关电源转换器中,如何充分利用SiC器件的性能优势？
2021-02-22 07:16:36
地感线圈这一从20世纪中期就被使用的车辆检测设备，正面遭遇了无线地磁的挑战。相对于地感线圈来说，无线地磁传感器在关键的数据采集、施工简便程度都有自己的优势。无线地磁传感器的优势地球的磁场在几公里之内
2020-05-09 21:47:44
。但是，SiC器件需要对其关键规格和驱动要求有新的了解才能充分发挥其优势。本文概述了EV和HEV的功率要求，解释了为什么基于SiC的功率器件非常适合此功能，并阐明了其辅助器件驱动器的功能。在简要讨论了
2019-08-11 15:46:45
，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件。②SiC功率元器件SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体，对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件，具有优于Si
2017-07-22 14:12:43
，一直被视为“理想器件”而备受期待。然而，相对以往的Si材质器件，SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求，将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。近年来，随着国内多品牌的进入，SiC技术
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引入内匹配电路，因此内匹配对发挥GaN功率管性能上的优势，有非常重要的现实意义。 2.SIC碳化硅(SiC)以其优良的物理化学特性和电特性成为制造高温、大功率电子器件
2017-06-16 10:37:22
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品，并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13
请问Arm Cortex-M85内核相对于M7内核有哪些提升？有没有哪位大神科普一下
2022-09-22 10:37:06
PLC相对于继电器线路的优势1、功能强，性能价格比高一台小型PLC内有成百上千个可供用户使用的编程元件，有很强的功能，可以实现非常复杂的控制功能。与相同功能的继电
2009-11-24 16:22:03
21 3GPP R4相对于R99的优势
相对于传统电路交换网络，软交换网络可以实现更简单的目标网络结构，主要是从节约运营成本、易于维护和保
2009-06-13 22:27:091050 分析了SiC半导体材料的结构类型和基本特性， 介绍了SiC 单晶材料的生长技术及器件工艺技术， 简要讨论了SiC 器件的主要应用领域和优势
2011-11-01 17:23:2081 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的优势体现在哪些方面？电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件的可行替代品。正如预期的优越材料
2018-03-20 11:43:024444 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 山东康道资讯：桁架机器人相对于人工的优势，桁架机器人相对于人工来说，具有很高的效率和产品质量稳定性，结构简单更易于维护，可以满足不同种类产品的生产，对用户来说，只需要作出有限调整，就可以很快
2018-12-10 15:27:47225 SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。
2019-05-09 10:06:545171 
随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:501774 
直到最近，功率模块市场仍被硅（Si）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）把持。需求的转移和对更高性能的关注，使得这些传统模块不太适合大功率应用，这就带来了 SiC 基功率器件的应运而生。
2019-11-08 11:41:5317040 FPGA相对于CPU和GPU，在进行感知处理等简单重复的任务的时候的优势很明显，按照现在的趋势发展下去，FPGA或许会在未来取代机器人开发中GPU的工作。
2019-12-20 14:39:312425 文章来源：电子工程世界 作者：汤宏琳 就在我们还沉浸在Si器件带来的低成本红利时，很多关键型应用已经开始拥抱SiC了。 虽然SiC成本还有些略高，但它却有着自己得天独厚的优势：与Si相比，SiC
2020-10-26 10:12:252654 
首先，5G基站相对于之前基站最大的变革在于，行业对于虚拟化和开放RAN（radio access network，无线接入网络）的接受和推广。
2020-10-26 15:05:183050 码垛机器人相对于传统的码垛机而言，效率、功能、自由度更高，且易于维护。腾阳为各种类型的包装和码垛作业提供对应的关节机器人，他能很方便的集成在任何生产线中，并很好的处理纸箱、塑箱、瓶类、袋装桶装等物料
2020-11-06 17:27:29657 的 3 倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制，所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC，现在 4inch～6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。
2021-04-20 16:43:0957 硅 （Si） 基功率器件由于其技术的成熟性和相对容易的可获性，长期占据着电力电子行业的主导地位。然而，碳化硅 （SiC） 器件因其先天的巨大优势能够很好地契合当前的工业趋势，正在获得越来越多的采用
2021-06-17 18:20:045732 
碳化硅器件正在几个大容量功率应用中取代其现有的硅对应物。随着 SiC 市场份额的持续增长，该行业正在消除大规模商业化的最后一道障碍，包括高于 Si 器件的成本、相对缺乏晶圆平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
的 SiO 2界面处的本征缺陷。这使得氧化物更容易受到过电压和其他电应力的影响，相对于基于硅的器件，V GSMax相当大。
2022-08-04 09:23:041129 
ROHM 具有电流隔离功能的新型晶体管栅极驱动器 ( BM6112 ) 非常适合应对驱动 SiC MOSFET 的独特挑战。它可以驱动高达 20A 的大电流，驱动高达 20V 的栅极电压，并且以小于 150ns 的最大 I/O 延迟完成所有操作。
2022-11-01 10:43:391331 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC 器件取代服务器、电机、EV 中的 Si MOSFET 和二极管
2023-01-05 09:43:43529 随着硅接近其物理极限，电子制造商正在转向非常规半导体材料，特别是宽带隙（WBG）半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙（与常用的硅相比），宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命，这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:15677 SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18705 
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30346 
碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 硅 (Si) 基功率器件由于其技术的成熟性和相对容易的可获性，长期占据着电力电子行业的主导地位。然而，碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大优势能够很好地契合当前的工业趋势，正在获得越来越多的采用
2023-05-20 16:45:131890 
碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料，相对于Si基器件具备降低电能转换过程中的能量损耗、更容易小型化、更耐高温高压的优势。如今，SiC“上车”已成为新能源汽车产业难以绕开的话题，而这要归功于搭载
2022-11-25 18:14:081756 
一、什么是SiC半导体？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581145 
碳化硅(SiC)技术已达到临界点，即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。 如今，出于多种原因，希望保持竞争力并降低长期系统成本的设计人员正在转向基于SiC的技术，其中包括： 降低总拥有
2023-10-13 09:24:17824 在逆变器、电机驱动器和电池充电器等应用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷却要求和更低的整体系统成本等优势。
2023-11-07 09:45:59434 
了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357 
SiC的导热性大约是Si的三倍，并且将其他特性的所有优点结合在一起。导热率是指热量从半导体结传递到外部环境的速度。这意味着SiC器件可以在高达200°C的温度下工作，而Si的典型工作温度限制为150°C。
2023-11-23 15:08:11490 
的 R sp将导致更低的损耗，从而产生更高的效率。 电子漂移速度是电子由于电场而在材料中移动的速度。SiC 半导体的电子漂移速度比 Si 基半导体高 2 倍。电子移动得越快，设备开关的速度就越快。系统
2023-12-19 09:41:36348 
SiC材料具有两倍于Si的电子饱和速度，使得SiC 器件具有极低的导通电阻（1/100 于Si），导通损耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁带宽度，泄漏电流比Si 器件减少了几个数量级，从而可以减少功率器件的功率损耗。
2023-12-20 15:47:44169 
SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的3倍以上，有利于高功率应用中的热管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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